英飞凌LDMOS工艺可使RF晶体管功率密度提高25%

英飞凌科技(InfineonTechnologies)日前在MTT国际微波研讨会上,展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF(射频)晶体管。据介绍,采用这种工艺制造的设备其工作频率可以满足高速无线接入网络的要求,在功率密度方面,比采用英飞凌现有工艺生产的设备高出25%。此外,随LDMOS一起采用的新型塑料封闭技术,可降低系统总体成本。这种解决方案能够让无线网络系统开发商降低成本,提高系统性能,增强系统质量和可靠性。英飞凌副总裁兼射频功率产品部总经理Helm…     

SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用

介绍了在无线应用中的两种ＳｉＧｅ器件工艺：低压ＩＣ电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响。     

SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用

介绍了在无线应用中的两种 Si Ge器件工艺 :低压 IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数 ,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响     

700系列RF晶体管家族——为SiGe：C超低噪放大器（LNA）设立全新标准

我们最近又新推出硅锗碳（SiGe：C）BFP740系列的三款产品： 1、适用于低功耗/电耗应用BFR705L3RH 2、通用超低噪音放大器（LNA）BFR740L3RH 3、适用于驱动器和中等功率应用的BFR750L3RH     

美国制造出新型碳纳米晶体管

美国科学技术人员最近制造出电子迁移率比现有半导体材料高25％，比硅晶体管高70％的碳纳米晶体管，该碳纳米管成为新一代功能更强大、尺寸更小的电子产品。半导体碳纳米管在室温下传输电流的能力好于任何已知的其他物质，用它可制造比以往更好的晶体管，这一发现是纳米管能够成为新一代功能强大的电子产品基础的最新证据。     

瑞萨电子宣布推出新型SiGe：C异质接面晶体管

瑞萨电子宣布推出新款SiGe：C异质接面晶体管（SiGe：C HBT）NESG7030M04,可做为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗：碳（SiGe：C）材料达到领先业界的低噪声效能。     

低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管

给出了低电压微波 Si Ge功率异质结双极型晶体管 (HBT)的器件结构和测试结果 .器件结构适于低压大电流状态下应用 .采用了梳状发射极条的横向版图设计 ,其工作电压为 3— 4V.在 C类工作状态 ,1GHz的工作频率下 ,输出功率可以达到 1.6 5 W,具有 8d B的增益 . 3V时可以达到的最高收集极效率为 6 7.8% .     

低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管

给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条的横向版图设计,其工作电压为3-4V.在C类工作状态,1GHz的工作频率下,输出功率可以达到1.65W,具有8dB的增益.3V时可以达到的最高收集极效率为67.8%.     

英飞凌推出射频功率LDMOS晶体管

正英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50 V LDMOS工艺技术,全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠性。PTVA家族的首批产品包括两套成对的驱动和输出晶体管一具备400 W和500 W输出功率,适用于L频段和UHF频段雷达系统一和一个适用于965MHz至1215 MHz商用航空电子设备频率的应用的1000 W器件。每个器件最低都能承受10:1 VSWR(电压驻波比)负载失配,其可靠性是同类器件的两倍。     

SiGe晶体管工作频率达500GHz

来自IBM和佐治亚理工大学(Georgia Institute of Technology)的研究人员近日宣布,他们研发的基于SiGe工艺的晶体管工作频率达到500GHz,比现有的手机中所用的晶体管的工作频率快250倍。到目前为止,只有采用昂贵的-族混合半导体材料的IC才能达到这种性能。SiGe异质结双极晶体管工     

SiGe异质结微波功率晶体管

本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。     

采用SiGe双极技术的晶体管

ＮＥＣ电子器件公司研制成噪声系数为 0 9ｄＢ的晶体管 ,型号为 2ＳＣ5 76 1,样品已开始销售。主要用途为Ｗ -ＣＤＭＡ等第三代移动通信机 ,蓝牙接收部分的低噪声放大器等。在 2ＳＣ5 76 1器件中已采用制作 ,最高振荡频率为 6 0ＧＨｚ晶体管的ＳｉＧｅ双极技术。工作频率为2ＧＨｚ ,收集极———发射极间施加 + 2Ｖ下 ,最小ＮＦ时的增益为 + 16ｄＢ(收集极电流为 5ｍＡ时 )。在相同条件下的功率增益为 14 5ｄＢ ,比该公司用Ｓｉ双极技术制作的晶体管提高 1 6倍。直流电流放大系数为 30 0 ,为此前该公司的产品 3倍以上。接合部到管壳间的热…     

SiGe晶体管工作频率达500GHz

来自IBM和佐冶亚理工大学（Georgia Institute of Technology）的研究人员近日宣布,他们研发的基于SiGe工艺的晶体管工作频率达到500GHz,比现有的手机中所用的晶体管的工作频率快250倍。到目前为止,只有采用昂贵的III—V族混合半导体材料的IC才能达到这种性能。     

英飞凌推出全球最小的纳米晶体管

英飞凌科技公司设在慕尼黑的实验室最近取得了新的突破——这里的研究人员成功开发出全球最小的纳米晶体管，其沟槽长度仅为18纳米，几乎是当前最先进的晶体管产品的四分之一。为了制造这个纳米晶体管，这些研究人员采用一种可控工艺，制成了直径从0．7纳米至1．1纳米不等的碳纳米管，仅仅相当于人类头发丝的直径的十万分之一。     

英飞凌全球最小的纳米晶体管问世

英飞凌科技公司(Infineon Technologies)最近成功开发出全球最小的纳米晶体管，其沟槽长度仅为18纳米，几乎是当前最先进晶体管产品的四分之一。英飞凌公司为制造这个纳米晶体管，采用了一种可控工艺，使直径从0．7纳米至1.1纳米不等的碳纳米管成功面世，其大小仅仅相当于人头发丝直径的十万分之一。     

英飞凌推出全球最小的纳米晶体管

英飞凌科技公司(FSE、NYSE股票代码:),设在慕尼黑的实验室最近取得了新的突破其沟槽长度仅为18纳米,几乎是当前最先进1/4。为了制造这个纳米晶体管,制成了直径从纳米~1.1纳米不等的碳纳米管,仅仅相当于碳纳米管的特殊属性使其成为微电子领域众多由于具备“弹道式”电子传送特碳纳米管在传输电流时几乎可以避免表面摩擦,1,000倍以上。此外,它英飞凌公司也是首家演示如刚刚问世的纳米晶体管在电压仅为0.4 V(当前的标准电压为0.7V)时,可提供15μA以上的电流。在试验中,它的电流密度是当今的标准材料-硅晶体管的10倍以上。立足于试验结果,英…     

研究者用碳60制造出高性能场效应晶体管

佐治亚理工大学的研究者采用碳60薄膜利用常温工艺成功制造出高性能场效应晶体管,碳60也称为富勒烯。该场效应晶体管可以应用在显示器、有源电子广告牌、RFID标签以及其他需要柔性基底的应用中。