HL-I装置等离子体真空紫外光谱研究

本文叙述了在HL-1装置上做的真空紫外区(300—2000)光谱实验。用微通道板象增强器摄出了光谱,对光谱进行了辨认和分析。用光电法测量了谱线随时间的变化和缩小孔栏时的杂质变化情况,观察了等离子体发生小破裂时出现的光谱现象,对杂质的来源及其某些性质进行了分析研究。用两条CIV谱线强度比测出了放电初期的电子温度。     

JT—60U托卡马克吹氖气偏滤器放电的辐射及光谱分析

本文给出JT-60U由敝开型偏滤器改装成W型抽运偏滤器后，用吹入氖气的方法研究杂质行为的偏滤器辐射实验，为了估计氖的辐射，在偏滤器等离子体中，用一台真空紫外光谱仪对测量的氖离子辐射谱线进行了分析。因此，鉴定了从NeⅣ和NeⅧ的谱线。用绝对标定的多道干涉滤光片分光计结合真空紫外光谱仪来进行测量，对偏滤器等离子体氖线发射的辐射损失进行了估计。在没有抽运的情况下，脱离等离子体发展边缘的多面非对称辐射（MARFE）。还观测到，高离化氖谱线（NeⅣ、NeⅧ）的辐射强度随MARFE的形成而同时增加，MARFE形成之后仍继续增大，我们认为偏滤器等离子体脱离之后，在没有抽运比有抽运时等离子体流速和摩擦力都弱，更多的杂质流向X点区域，这些观察表明因为粘滞力的减小，杂质从偏滤器上游回流。     

利用真空紫外光谱研究HL-1装置杂质浓度(英文)

叙述了利用真空紫外光谱确定HL-1装置杂质浓度的方法,详细报告了用于解释光谱测量的杂质输运模型SITCODE。此模型可以计算各个电离态杂质的密度分布以及由杂质引起的电离,轫致辐射和激发等形式的能量损失,该模型是一维的结合新经典与反常输运的杂质输运模型,用模拟的线强度获得了氧的浓度并估计了氧杂质引起的辐射功率,较了不同电子温度和不同反常扩散系数的氧离子密度的径向分布。基于SITCODE,开发了一种杂质浓度的快速分析方法,在每次放电后利用测量的OⅥ103.2nm。线强度可计算出氧浓度,实现杂质浓度的实时分析。对HL-1托卡马克在不同放电情况下杂质浓度进行了测量,且对杂质输运情况进行了研究。     

碳的束箔光谱、能级寿命和跃迁几率

碳离子是高温等离子体中主要的杂质之一,在用光学方法测定高温等离子体中杂质浓度和分布时能级寿命参数带来很大的不确定性和误差。我们将用束箔光谱方法对高温等离子体有关杂质光谱能级寿命和跃迁几率进行研究,这里只给出碳的束箔光谱研究的初步结果。     

同步辐射红外光源和NSRL红外光束线站

本文介绍了同步辐射红外辐射的基本特征及其最新进展,以及国家同步辐射实验室红外光束线和实验站改造的设计、性能和科学研究方向。国家同步辐射实验室原红外光束线和实验站主要是针对中红外波段的谱学研究,未能发挥同步辐射红外光源的优势,随着同步辐射红外光源在显微和远红外谱学方面应用的快速发展,为了满足红外谱学和成像研究的需要,我们对光束线光学元件参数重新进行模拟计算和优化设计,将光束线光谱范围扩展到约10cm^-1,同时建立了新的红外光谱和显微实验站。对线站性能的测试结果显示同步辐射红外辐射具有明显的亮度优势,为开展同步辐射显微谱学和成像研究提供了一个有力的工具。     

托卡马克弯晶谱仪双晶体结构应用的初步研究

X射线弯晶谱仪作为托卡马克装置等离子体温度和旋转速度等参数诊断测量的重要手段之一,通常利用单晶体衍射分光来测量某种特定杂质的特征谱,这也限制了弯晶谱仪所能测量的等离子体温度范围。为解决更高温度等离子体测量问题,有效提高目前弯晶谱仪诊断系统温度测量范围,用双晶体代替原有单晶体,通过选择合适的晶体和Bragg衍射角组合,利用同一个探测器同时测量类氢和类氦的氩离子光谱,实现更高更宽温度范围测量。本文就东方超环(Experimental Advanced Superconducting Tokamak,EAST)弯晶谱仪双晶体应用方面的设计和技术实现进行了阐述,并首次在EAST装置上成功实现了氩离子类氦和类氢谱线的测量,利用类氦线和类氢线拟合得到的氩离子温度非常接近,验证了双晶体结构的可行性。     

掺入Dy和Mn的MgSO_4磷光体的热释光发光光谱

用光学多道分析器和微机控制线性升温法研究了MgSO4 :Dy和MgSO4 :Dy ,Mn热释光材料的发光光谱。测定不同温度和波长的发光光谱 ,得到了热释光三维光谱图。观察到MgSO4 掺入稀土元素Dy的两个发光谱带为 4 80nm和 580nm ,每个光谱带有多个发光峰。与掺入Dy的Ca SO4 的三维发光谱相比较 ,掺入稀土元素Dy的热释光材料的发光谱带的波长主要取决于掺入Dy3+的能级间的跃迁。MgSO4 同时掺入Dy和Mn后 ,4 80nm发光谱带受到很大的抑制 ,所有发光峰的发光效率显著减小 ;波长为 580nm谱带的多个发光峰中 ,温度低于 30 0℃的发光峰的发光效率显著减小 ,在 380℃附近的发光峰的发光强度最大。这说明掺入Mn杂质后 ,不同深度的陷阱的相对分布发生了变化。     

掺入Dy和Mn的MgSO4磷光体的热释光发光光谱

用光学多道分析器和微机控制线性升温法研究了MgSO4:Dy和MgSO4:Dy,Mn热释光材料的发光光谱,测定不同温度和波长的发光光谱,得到了热释光三维光谱图。观察到MgSO4掺入稀土元素Dy的两个发光谱带为480nm和580nm,每个光谱带有多个发光峰。与掺入Dy的CaSO4的三维发光谱相比较,掺入稀土元素Dy的热释光材料的发光谱带的波长主要取决于掺入Dy^3 的能级间的跃迁。MgSO4同时掺入Dy和Mn后,480nm发光谱带受到很大的抑制,所有发光峰的发光效应显著减小;波长为580nm谱带的多个发光峰中,温度低于300℃的发光峰的发光效率显著减小,在380℃附近的发光峰的发光强度最大。这说明掺入Mn杂质后,不同深度的陷阱的相对分布发生了变化。     

一种直接测量穆斯堡尔谱小能量移位和弱线的方法

本文描述了一种利用穆斯堡尔色散结合共振过滤的简易方法,直接测量穆斯堡尔谱小能量移位和弱线成份。用不同厚度的吸收体作吸收补偿,可从穆斯堡尔色散谱中直接测得较精确的谱线小能量移位(可小至0.01mm/s)和从强的背景谱中直接分离出弱相的谱线(小于5％的相成分)。这种方法适宜于辐照样品、非化学计量的化合物、组分不同或有少量杂质的合金和腐蚀样品的穆斯堡尔测量。     

氢气放电源打靶谱的分析

在以氢气放电源打钆靶为例,分析氢气放电源打靶谱时,发现有以下几类谱线:源谱、靶材料的特征X射线、衍射谱线和一些未知谱线。根据打靶的初级谱可以分辨出源谱;根据靶材料的成分可将特征线区分出来;用改变靶面和入射角、固定测量角的方法及打多晶体靶和非晶体靶的方法可以分辨出X射线衍射谱线;剩下的无法辨识的那些谱线是一种未知谱线,对它的认识还在深入中。     

HT-6B托卡马克杂质输运

在HT-6B托卡马克上,通过测量杂质的真空紫外线辐射和可见线辐射,得出杂质各电离态的稳态空间分布。建立了杂质输运计算程序,模拟分析出该装置上杂质输运系数和其它与之有关的参数。通过对慢磁压缩下杂质线辐射时空分布的测量和模拟分析,得出了杂质约束因磁压缩而增强、杂质再循环随之降低等结论。同时对该装置上杂质输运特征进行了分析与讨论。     

EAST辐射偏滤器运行模式下等离子体杂质浓度评估方法

通过在偏滤器区域充入适量氖气（Ne）或氩气（Ar）,东方超环（Experimental Advanced Super-conducting Tokamak,EAST）托卡马克装置实现了辐射偏滤器运行模式。在辐射偏滤器运行模式下,靶板热负荷显著降低,有效缓解了高能粒子流对偏滤器靶板的损伤。但是在偏滤器区域充入过量杂质气体时,杂质粒子会沿着磁力线进入主等离子体,影响主等离子体的约束性能,甚至导致等离子体破裂。因此,有必要研究偏滤器区域等离子体杂质浓度的估算方法,分析充入杂质气体时该区域杂质的定量变化,以此来评估充入的杂质气体对芯部等离子体约束性能的影响。本文针对不同的杂质种类,建立了不同的杂质浓度估算方法。对于钨杂质,通过极紫外光谱（Extreme Ultraviolet Spectroscopy,EUV）诊断系统测量偏滤器区域钨杂质的辐射强度,再根据碰撞-辐射模型对该区域的钨杂质浓度进行了估算。对于Ne杂质,则通过等离子体有效电荷数(Z_eff)的变化进行了Ne杂质浓度估算。基于估算结果,对辐射偏滤器条件下的芯部杂质行为进行了讨论。上述杂质浓度评估方法对开展辐射偏滤器...     

HT-6B托卡马克杂质输运

在HT-6B托卡马克上,通过测量杂质的真空紫外线辐射和可见线辐射,得出杂质各电离态的稳态空间分布。建立了杂质输运计算程序,模拟分析出该装置上杂质输运系数和其它与之有关的参数。通过对慢磁压缩下杂质线辐射时空分布的测量和模拟分析,得出了杂质约束因磁压缩而增强、杂质再循环随之降低等结论。同时对该装置上杂质输运特征进行了分析与讨论。     

用感应耦合等离子体发射光谱法测定岩石中的铀

本文介绍了用发射光谱法进行岩样中铀的定量测定。岩石样品经溶解后制成溶液,然后将其喷入感应耦合等离子体激发光源。对若干条不同类型的谱线进行了研究,并选用了铀378.28nm发射谱线作分析线,因为这条谱线相对来说不受基体元素谱线的干扰。应用这条谱线选择最佳的光源参数(功率,气体流速,观测高度)测定的实际检出限为0.1ppm。所得分析结果与其它一些分析方法的分析结果作了比较。     

纯石墨中微量元素的光谱测定

本文叙述了采用部分灰化法集石墨中杂质元素(富集系数～10),然后加入NaCl“载体”,用粉末法进行光谱测定的方法。若杂质元素含量较高,不用富集,可以直接进行测定。本方法可测定纯石墨中的12个杂质元素。当富集系数约为10时,其测定下限为:Cu 0.03ppm;Mg 0.05ppm;Mn,Fe,Al,V 0.1ppm;Sn,Si,Ni,Ti 0.3ppm;Ba,Cr1.0ppm。其单次摄谱的波动系数在±23%以内(除Si为±27%外);样品测定的波动系数在±25%以内。     

用正电子湮没寿命谱法研究退火对镍镀层结构的影响

1981年Vertes等人采用正电子湮没技术研究镍电镀层的结构时,在退火研究中却忽略了对镍镀层的物理性能有重要影响的渗氢和杂质的化学聚团作用。本文论述用正电子湮没寿命谱法研究暗镍和亮镍两类镀层退火时结构缺陷的运动规律,杂质化学聚团作用和再结晶行为。     

气体采样滤膜中铀含量的激光诱导击穿光谱分析方法研究

为对核设施尾气监测中气体采样滤膜中铀元素的含量进行测量分析,本文开展了激光诱导击穿光谱（LIBS）定量分析气体采样滤膜中铀含量的方法研究。通过优化LIBS测量延迟时间参数,最终选出了铀的定量分析有效特征谱线,并得到了浓度范围较低的工作曲线。结果表明,在选择的实验条件下,采用标准样品对筛选后的特征谱线进行实验验证,测量值的相对偏差绝对值小于20%,RSD小于10%。     

水体放射性在线监测系统校准装置设计

水体放射性在线监测系统在长时间不间断地工作中，由于探测器和各种电子元件温度变化、元器件老化等原因会造成谱线漂移、谱线展宽和峰位变化，导致谱线解析困难和解析结果误差变大。针对基于溴化铈探测器的水体放射性在线监测系统，研制了一种在线校准谱线漂移的附加装置，该装置由¹³⁷Cs(豁免源)、铅挡块、校准孔、直线电机和铅屏蔽层组成。校准孔最佳的开孔半径和铅挡块最佳厚度通过蒙特卡罗模拟得到，分别为2.2 cm和5 cm；使用标准豁免级¹³⁷Cs源作为标准参考峰，通过软件对¹³⁷Cs全能峰峰位漂移及峰面积进行分析，计算增益，实时调节参数等完成峰位及峰面积的校准。最后用该装置进行现场应用验证，结果表明该装置能够把系统测量谱线的峰位变化控制在了±1%以内，峰面积变化控制在±5%以内。     

类Mg的Cu离子跃迁谱线

在中国原子能科学研究院用HI 13串列加速器提供的 80 和 110 MeV的 Cu离子,用束箔技术测量了波长在11~38 nm范围内Cu的束箔光谱。识别出29条谱线属于类Mg离子的Cu ⅩⅧ的“3,3”跃迁,即3s2、3s3p、3p2、3s3d和3p3d组态之间的跃迁,其中,有10条谱线以前未见报道。     

托卡马克等离子体杂质密度的光谱法测量研究

本文介绍了基于托卡马克等离子体被动光谱诊断获得杂质密度的方法。通过被动光谱诊断测量获得杂质线辐射的空间多道弦积分强度分布,利用强度标定系数转换为绝对光亮度分布;通过测量弦与等离子体位形,将弦积分的强度分布反演变换为径向体发射率。根据线辐射强度激发截面求出对应电离态的离子密度,最后采用杂质输运程序模拟计算得出总密度分布。以东方超环(Experimental Advanced Superconducting Tokamak,EAST)托卡马克装置上软X射线-极紫外光谱(Soft X-ray and Extreme Ultraviolet Spectrometers,XEUV)诊断测量到的Mo XXIX-Mo XXXII为例,描叙了获得Mo杂质密度分布的过程,获得的总误差小于10%。