微纳米线距标准样片的研制与应用

为了精确控制线宽尺寸参数,研制了一套周期尺寸为100nm～10μm的线距标准样片。首先,依据样片的应用进行了图形设计,分别采用电子束直写和投影光刻技术开发出线距标准样片,并对制备出的样片进行考核,考核参数包括线距尺寸、均匀性、稳定性。并与VLSI同等量值样片的质量参数进行了对比,以周期尺寸为100nm的样片为例进行表征,研制的样片均匀性为1.8nm,稳定性为0.6nm,VLSI的样片的均匀性为1.5nm；并使用CD-SEM对样片进行了定值,整体不确定度为3.9nm～23nm(k=2)。研制的线距样片不仅包括光栅结构,还包括格栅结构,可以对不同的测试设备进行现场校准。     

微纳米台阶标准的制备和评价

台阶高度是半导体技术中重要的工艺参数,其准确度直接影响器件的整体性能。为了精确控制和表征台阶高度参数,制备了一套8nm～50μm的台阶高度标准进行测量技术研究。首先,通过半导体热氧化工艺、反应离子刻蚀工艺制备台阶标准。其次,基于白光干涉仪评估台阶上下表面平行度、表面粗糙度、均匀性和稳定性四项质量参数。结果表明,台阶上下表面平行度为0.4′～2.7°,标准台阶表面粗糙度为0.46nm～6.5nm,台阶两侧表面粗糙度为0.44nm～0.46nm；均匀性为0.5nm～5.9nm,稳定性为0.2nm～11.2nm。最后,与美国VLSI相同标称高度的台阶标准相比,标称高度50μm的台阶标准表面粗糙度较差,均匀性略好,其余质量参数均相当。     

激光器线宽虚拟测试系统

为了测试窄线宽激光器的线宽,设计了一种基于虚拟仪器技术的激光器线宽自动测试系统;该测试系统硬件平台基于GPIB总线,以示波器作为高精度的数据采集设备,软件系统以LabVIEW为开发平台,可以实时采集和处理光电流时域信号;利用该系统对IPG公司1550nm波长的窄线宽光纤激光器进行测量,测得线宽值为32kHz;实验结果表明,该系统响应快,精度高,运行可靠,具有良好的工程应用意义。     

高功率窄线宽可调谐 1 064 nm 环形腔激光

文章采用了三镜环形腔内插入标准具获取高功率窄线宽可调谐1064 nm 激光。对环形腔的单向运行、标准具压窄线宽与调谐波长及激光大基模体积运转进行了理论分析与计算,结合实验优化了腔镜曲率与输出耦合率。在808 nm 半导体激光泵浦功率151 W 条件下,获得输出功率33.7 W、光束质量因子 M 2＝1.28、线宽0.1 GHz 的单向1064 nm 激光输出,相应的光转换效率22.3%。采用高精度控温仪对标准具进行精确温控,实现激光波长的精密调谐。改变标准具温度获得1064 nm 波长调谐范围72.6 GHz,调谐精度为220 MHz。波长调谐过程中1064 nm 激光输出功率变化约10%。整个系统稳定可靠,而且相对简单,较易实现,为获得可调谐窄线宽1064 nm 激光提供了实用有效的技术手段。     

基于概率Hough线段检测算法的天花板影像边界提取

对天花板影像进行线段检测,传统的概率Hough线段检测有两个问题：随机选取边界点导致效率低下;检测结果中含有平行且邻近的多条线段。论文提出了分块处理和线宽控制两种方法,验证了这两种方法可消除噪点对线段检测效率的影响,避免了天花板影像过检测现象的发生。实验表明新方法能快速提取到可靠、完整的天花板的边缘线段,提高了线段检测的效率和质量。     

PCB图像线宽线距缺陷检测算法研究

在分析了印刷电路板缺陷检测算法的基础上,提出了一种在中心线画法线检测线宽线距缺陷算法.叙述了线宽线距设计标准和寻找中心线原理,以及在中心线上画法线检测线宽线距原理和实现方法.实验证明了该方法的可行性.     

光刻线宽精度控制的研究

本文通过对涂胶、曝光等影响线宽参数的工艺进行实验,制定了一套工艺规范,使光刻线宽控制在±10%以内,提高了光刻的工艺水平.     

基于线距标准样片的扫描电镜校准方法探讨

为解决微电子行业内扫描电镜的计量需求,结合现有扫描电镜的计量技术文件,研究了基于线距标准样片的扫描电镜校准方法.首先,采用半导体工艺研制了用于计量扫描电镜的线距标准样片,并对样片进行了质量参数考核.其次,分析了现有检定规程的局限性,并研究了扫描电镜放大倍数示值误差、重复性、图像线性失真度等参数的实际校准方法.最后,使用自行研制且经过溯源的线距标准样片对扫描电镜在100K倍下的示值误差进行了校准实验,结果表明:自行研制样片的指标可以达到校准电镜的要求,被校电镜的示值误差在2％的范围以内,校准方法有效.     

表面粗糙度对变电站绝缘子冲击闪络特性的影响

为了研究表面粗糙度对绝缘子闪络特性的影响,使用了不同目数的砂纸对绝缘子表面进行均匀打磨,并利用激光共聚焦显微镜对绝缘子表面粗糙度进行了量化处理.利用陡前沿冲击试验装置产生标准雷电冲击,并对不同粗糙度的绝缘子施加正负标准雷电波,观察了在不同极性的标准雷电波的作用下绝缘子沿面闪络电压和表面粗糙度的关系,并从实验得出,随着绝缘子表面粗糙度增大,绝缘子50％闪络电压逐渐降低,在正、负极性的标准雷电波下,新绝缘子即未经过砂纸打磨的绝缘子的平均50％击穿电压最高,分别为424.9,429.1 kV,各个粗糙度下的绝缘子的闪络电压与未打磨的绝缘子的闪络电压的比值在半对数坐标系下与粗糙度呈线性关系.     

薄膜线条宽度对坡莫合金AMR性能的影响

利用半导体标准工艺,在8英寸工艺平台上,通过光刻和剥离工艺制备出不同线条宽度的坡莫合金材料Ta(5 nm)/NiFe(12 nm)/Ta(2 nm),然后再进行表面钝化、电极引出和TO-94封装以后进行测试.测试结果表明:在常温条件下,不同薄膜线宽对材料AMR值影响不大,而对薄膜材料的饱和磁感应强度影响巨大.当线宽从1...