LTE网络规划设计审核平台的研究与应用

随着4G-LTE网络的大规模建设应用, LTE网络建设工作日益繁重。运营商迫切需要一种管理机制以及相应的管理平台,能够实现对LTE网络规划勘察设计完成全生命周期集中管控。本文基于以上内容,研究提出了一种基于全生命周期管控的LTE网络规划设计审核平台,实现对LTE网络建设工作的标准化、信息化、规范化、集中化、系统化管理,有效管控LTE无线网络站点从规划需求到开站入网各个环节,良好支撑LTE集中规划设计审核及入网工作。本平台已实现并在实际工作中得以应用,具有良好的应用价值。     

基于智能审核的TD-LTE基站需求管理方案研究与应用

现有的无线网基站信息管理平台缺乏对于需求管理阶段的信息化管控,本文提出一套对TD-LTE基站需求进行智能管理和审核的方案.该方案包括需求过滤、统一编号生成、优先级打分规则、需求合并等机制,并建立同类型问题点超近和多种类型需求合并两类智能审核算法,自动生成基于需求集中分析的站点方案,有效解决了当前TD-LTE基站需求数据的无法关联规划设计数据和需求点重复上报等问题.在此基础上通过信息化手段研发相应平台并投入应用,具有较高的应用价值.     

解析TD-LTE无线网络规划以及设计

在信息化时代下,网络已成为人们日常生活和生产中必不可少的一部分。无线网是通信企业各网络中最活跃、最灵活、最热点的基础业务网络,因此无线网络是网络规划设计的基础,随着移动网络的发展和人们对移动网络性能需求的提升,合理规划设计TD-LTE无线网络意义重大。本文在分析TD-LTE无线网络特点的基础上,对其规划设计的关键技术进行分析,对其网络规划设计进行探究,以期为完善TD-LTE无线网络的规划设计提供一定的借鉴。     

信令分析在TD-LTE网络优化中的应用分析

目前,随着移动通信公司的发展,TD-LTE网络系统也逐渐出现在了人们的视野中.我们应该充分重视到TD-LTE网络优化工作,应用信令分析发挥TD-LTE的最大效用.因此,本文首先探究了在TD-LTE网络优化中应用到信令分析的作用,重点分析了信令分析在TD-LTE网络优化中的应用以及增强TD-LTE网络优化中的有效应用的措施,以此来提高网络质量与安全,解决网络发展中存在的问题.     

TD-LTE网络规划与设计研究

介绍了TD-LTE网络规划特点及其基本原理,对频率规划、容量规划以及参数规划进行了分析,并对TD-LTE网络构架、帧结构进行了研究,针对TD-LTE网络规划设计,对其规划流程的三个过程进行阐述。TD-LTE网络规划设计的研究对于理论和实际相结合,具有一定的借鉴意义。     

浅析当前TD-LTE室内分布系统的规划与有效建设

随着现代社会经济的飞速发展,移动通信的变化也是日新月异。目前,室内分布的通信系统还存在着些许不足,无法满足社会快速发展的需求。作为最新移动通信的设计成果,TD-LTE的高效性能已经运用到许多大规模网络建设中。而TD-LTE室内分布系统的规划设计也成为了完善TD-LTE网络建设的重要工作。     

TD-LTE无线网络规划实例

TD-LTE,LTE的TD版本,具有更快传输速率、更好频谱利用率和更高用户吞吐量。LTE规划和设计是后续工作的基础和向导,规划设计的好坏,对网络建设中的缩短网络建设周期、提高决策的科学性、降低网络建设的投资风险有极其重要的作用,因此成为网络规划设计一不可或缺的环节。     

TD-LTE及WLAN融合网络的规划和设计

目前绝大多数智能终端不支持TD-LTE网络制式,形成了TD-LTE网络发展的瓶颈。TD-LTE与WLAN融合组网技术,是一种新的通信解决方案,能有效克服该瓶颈。文章介绍了TD-LTE与WLAN融合组网的总体方案和核心业务流程,并讨论了在规划设计中,需重点考虑的有效带宽、端到端时延、业务连续性、远端设备可管理性等技术问题。最后,本文结合融合组网技术在公共交通系统上的具体应用案例,介绍了融合组网在规划设计中的具体问题和解决方法。     

TD-LTE无线网络规划技术发展与挑战

本文结合中国移动TD-LTE网络建设情况,针对TD-LTE无线网络规划设计特点,总结了当前TD-LTE无线网络规划技术发展趋势和面临的挑战,提出了工程规划设计中相关的应对措施。     

一种基于多维度排序的TD-LTE优化方法

随着网络的建设和业务的发展,TD-LTE网络越来越复杂,网络性能和客户感知的要求也越来越高。实际网络优化过程中如何运用各种优化方法、优化手段实现TD-LTE网络的精准优化,提高TD-LTE网络的质量,保持TD-LTE网络性能的持续领先,是当前乃至今后一段时间内网络优化工作者的重要工作。文章以精准优化为出发点,提出一种基于多维度排序的TD-LTE优化方法。通过对多维度排序表编制过程中的关键节点梳理、分析和说明,论述了该方法在TD-LTE网络优化中的作用,为TD-LTE无线网络优化提供参考。     

业务识别与控制技术及其测试评估

在传统Intemet网络逐步向多业务网络演进的过程中,监管者、运营商以及最终用户都对网络的可管可控能力提出了差异化的要求,业务识别与控制技术应运而生.作为IP领域的一项热点技术,该技术得到了广泛的关注并取得了迅猛的发展.在考虑来自不同主体需求的基础上,介绍了业务识别与控制技术.此外,还结合技术发展以及网络部署等要求,着重分析了该技术的测试评估方法及测试内容.     

箔条和箔片的性能特性及其应用和趋势

从箔条和箔片用于干扰雷达测和扰乱、迷惑、转移或者引诱进攻出发,详细论述箔条、箔条云及箔片、箔片云的雷达散射截面、带度、平移速度、下降速度及转动等情况,空间和时间我、水平和垂直极化性能、多普勒频移效应以及频谱展宽特性等,通过箔条和箔片有效成火控雷达实例,提出对抗火控雷达的三个重要因素及其采取的对策。     

Engineering education and industrial research and development-thepromise and the reality

The author observes that the social fabric of engineering, the support infrastructure of the profession, and the political and economic systems of the world are undergoing shifts that affect what engineering is, how it is accomplished, and what it should do. He asks what these changes mean in terms of the educational system and explores a few of these issues that lie between academia and the industrial environment beyond. He discusses the engineering curriculum as seen from industry, the role of continuing education, research in academia     

"电路原理"与"信号与系统"课程的整合与优化

科学技术迅速发展,新兴学料不断增加,知识总量不断增长,迫使本科教育不断向着基础化方向发展,基础课程教学在本科教育中的地位愈来愈高。计算机技术的广泛应用,离散信号与系统的基础知识已是电气类各专业的必要的教学内容。因此基础课程要从根本上整体优化课程结构。本文提出了电气类专业“电路原理”与“信号与系统”课程教学改革方案,将两门课程教学内容进行整合与优化,并在实际教学过程中进行了教学试验,缩短了教学时间,提高了教学质量。     

电压波动和闪烁的解析测量法及其应用与验证

文章介绍了针对特定电压变化特性的被测设备的、简单的、低成本的电压波动和闪烁的解析测量法,并将实际解析法测量计算结果与直接测量法结果进行了比较、验证,证明该方法切实可行,且符合标准规定的容差要求。     

“信号与系统”课程建设与教改的探索

信号与系统课程是高等院校电类专业一门重要的专业基础课程,本文以西安明德理工学院智能制造与控制技术学院的信号与系统课程建设与教学改革为例,介绍了我院在信号与系统课程资源建设和教学改革中的探索和实践。实践证明,本文提出的五维一体化线上线下课程资源建设和混合式教学改革能够有效推动教与学两个方面的变革,有效提高课程教学质量,为同类兄弟院校的同类课程建设和教学改革起到一定的借鉴作用。     

压电／电致伸缩材料及驱动器的新技术与应用

压电／电致伸缩驱动器是一种广泛使用的驱动器,文章概括总结了几种压电／电致伸缩新材料的发展方向,同时还介绍了几种新型驱动模式和超声电机的研究动态,并对压电／电致伸缩驱动器的发展前景予以展望。     

光交叉连接和光插分复用技术及其应用

目前所谓的全光网络一般指基于DWDM传送技术的光传送网络（OTN）。由于OTN的节点采用OADM和OXC技术,为解决目前点到点的DWDM技术在应用中不能实现灵活组网和当网络失效时不能有效进行保护的问题提供了一种解决方法,使得OTN具有传输容量大、组网灵活、网络具有可扩展性和可重构性、易于升级等特点,可透明传输具有代码格式的不同速率等级的用户数字信号,能够同时适应用户信号种类用服务种类不断增长的需求。     

Thin film deposition and microelectronic and optoelectronic devicefabrication and characterization in monocrystalline alpha and betasilicon carbide

The deposition of silicon carbide thin films and the associated technologies of impurity incorporation, etching, surface chemistry, and electrical contacts for fabrication of solid-state devices capable of operation at temperatures to 925 K are addressed. The results of several research programs in the United States, Japan and the Soviet Union, and the remaining challenges related to the development of silicon carbide for microelectronics are presented and discussed. It is concluded that the combination of α-SiC on α-SiC appears especially viable for device fabrication. In addition, considerable progress in the understanding of the surface science, ohmic and Schottky contacts, and dry etching have recently been made. The combination of these advances has allowed continual improvement in Schottky diode p-n junction, MESFET, MOSFET, HBT, and LED devices