超宽带高抑制无反射带通滤波器的设计

为了提高无反射带通滤波器的带宽和衰减,设计一款基于集成无源器件技术的小型化、超宽带、高带外抑制的无反射带通滤波器。该滤波器由无反射低通滤波器、无反射高通滤波器和匹配电路级联而成,无反射低通、高通滤波器级联可实现超宽带,通过在匹配电路的上下频带各引入一个零点的方法,将滤波器的带外抑制峰值提高到了40 dB。通过HFSS软件在硅衬底上对其进行建模仿真,最终实现了所需的无反射带通滤波器。该滤波器的中心频率f_0为2.43 GHz,中心频率处的插入损耗为1.17 dB,BW_(-3dB)≤1.86 GHz,带外抑制≥40 dB,回波损耗在12 dB左右,整体尺寸仅为2.65 mm×1.25 mm。三维电磁场仿真结果表明,该款无反射带通滤波器的相对带宽为76.5%,衰减为40 dB。     

基于OTA的有源Gm-C复数带通滤波器的设计

设计了一种基于OTA的有源Gm-C复数带通滤波器,用以实现射频前端芯片中的中频滤波和镜像抑制功能,该滤波器采用Gyrator结构,将低通原型滤波器中的集总电感用有源电感进行替换,并依据复数变换理论,对浮地电容和接地电容进行复数变换,实现带通滤波器.滤波器中心频率为4.1 MHz,1 dB带宽2 MHz,带内增益13.27 dB,1.5倍带宽处抑制在40 dB以上,镜像抑制度40 dB.Gm-C滤波器集成度高,功耗低,适合于高频应用,是当前集成中频滤波器的热点.     

基于交指结构的可调带通滤波器的设计

依据微带线的基本原理和电压调谐变容二极管的特性,结合微带交指滤波器的设计方法,提出一种基于交指结构的中心频率可调带通滤波器。设计了一种中心频率可调范围1.23～2.23GHz、带内插损小于4dB、带内平坦度优于0.5dB、相对带宽6.5%～4.5%的可调带通滤波器。经过ADS软件的仿真验证,证实了设计的有效性。     

半集总同轴腔体带通滤波器设计

提出了一种半集总同轴腔体带通滤波器结构,并设计了一个中心频率为2.35 GHz,相对带宽为4.25%的半集总同轴腔体带通滤波器。仿真结果表明,该滤波器通带内反射损耗小于–18 dB,插入损耗小于0.08 dB,在2.2GHz和2.5 GHz处带外抑制均小于–40 dB。该滤波器插入损耗低,结构简单紧凑,在移动通信系统中有一定的应用价值。     

国外简讯

70MHz的声表面波带通滤波器 据报道:美国Phono公司生产出了中心频率为70MHz的带通滤波器,这种滤波器有FB—70—2.2型和FB—70—5.1型两种。FB—70—2.2型主要技术指标:-1dB带宽为2.2MHz(最小);-3dB带宽为2.6MHz(最小);-40dB带宽为4.4MH2(最大)插损为24dB(最大);抑制为55dB。FB—70—5.1型滤波器主要技术指标:-1dB带宽为5.1MHz(最小);-3dB带宽为5.6MHz(最小);-40dB带宽为7.9MHz(最大);插损为24dB(最大);抑制为50dB。FB—70—2.2型每只售价为85.50美元;     

一种高抑制小型化带通滤波器

该文提出了一种具有3个传输零点的高带外抑制小型化带通滤波器。通过耦合控制可在梳状线滤波器响应中引入3个传输零点。通过源/负载耦合和传输线上刻蚀的马刺线可降低带外抑制,使滤波器获得更好的性能。设计并制作了一款小型化带通滤波器实物,仿真结果表明,该文设计的滤波器工作中心频率和相对带宽分别为2.12 GHz和20%,该滤波器的回波损耗优于40 dB,插入损耗小于0.2 dB,带外抑制小于40 dB。此外,该滤波器还具有结构简单紧凑、易加工等特点,实物测试结果与仿真结果基本一致。     

CMOS低中频有源复数带通滤波器设计

设计并实现了基于0.18 μm CMOS工艺的2.4 GHz无线传感网(Wireless Sensor Network)射频接收机低中频有源复数带通滤波器.该滤波器采用基于积分器单元的复数带通滤波器结构,同时实现镜像抑制和信号滤波的功能.仿真结果表明,复数带通滤波器的中心频率为2 MHz,通带带宽为2.4 MHz,通带电压增益约为12.5 dB,镜像抑制大于30 dB,相邻信道阻带衰减大于40 dB,噪声系数小于15 dB,消耗电流为5 mA.通过系统验证,本设计各项性能均满足无线传感网射频接收机的设计要求.     

基于双模谐振器的W波段波导带通滤波器

带通滤波器为现代毫米波系统中进行频率选择的重要器件,而波导滤波器因其低损耗、大功率容量、易加工等优点成为首选。为满足系统的小型化要求,设计了一种基于双模谐振器且具有准椭圆函数响应的W波段波导带通滤波器。该波导带通滤波器结构简单紧凑,由两个双模方形脊谐振腔组成,可获得2 个传输零点及四阶准椭圆函数响应。滤波器样品选取紫铜材质,采用CNC 技术加工制作。经矢量网络分析仪测试,该滤波器通带内插损低,达0.5 dB,3 dB 波束带宽为4.35 %(92.2 ~96.3 GHz),回波损耗优于20 dB,通带外存在两个非对称零点。在全W波段的测试结果与仿真数据高度吻合。     

微带宽带匹配3 GHz低通滤波器设计

叙述了用微带电路设计制作的宽带匹配低通滤波器的原理与设计.与常规低通滤波器不同,该滤波器输入端口在带通阻带内均呈匹配特性,他可以解决常规低通滤波器在系统连接中由于带外失配导致的带外抑制性能变劣问题.整个电路做在40×20×0.5 mm3的复合介质衬底上,实验结果表明,宽带匹配3 GHz低通滤波器带内的插损小于1.5 dB,带外抑制大于40 dB,带外驻波比小于2.5.     

国外简讯

1—2GHz SAW带通滤波器 美国Sawtek公司制成一系列SAW带通滤波器,其工作频率范围为1—2GHz。该器件的插损为15—40dB,相对带宽为1—15％,矩形系数可小到1.5:1,带外抑制为30—45dB。一种典型的滤波器有如下的室温特性:中心频率为2005.36MHz,插损为31dB,3dB带宽为124.8MHz,纹波峰-峰值为0.8dB,幅度倾斜度为门1dB,在1500和2500MHz处信号抑制大于或等于30dB。滤波器封装在TO-5外壳内,是制备在128°旋转Y切LiNbO_3基片上的。基片温度系数为-75ppm/℃。     

BNKLT无铅压电陶瓷梯形中频带通滤波器的研制

利用发明的[Bi0.5(Na1-x-yKxLiy)0.5]TiO3(BNKLT)系无铅压电陶瓷,采用全电极径向振动模式制作了插入损耗小于6 dB,阻带损耗大于30 dB,频率特性曲线平滑,并具有良好选择性的中频(IF=460 kHz)多节带通滤波器。与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性有待进一步改进。     

0.8～18GHz宽频YIG带通滤波器设计与仿真

针对现代电子系统对YIG带通滤波器超宽工作频段的要求,本文给出了一种0.8~18GHz宽频YIG带通滤波器的设计。通过磁路结构、谐振耦合结构的设计、仿真和优化,采用自屏蔽磁路、宽频谐振耦合技术,研制的宽频YIG带通滤波器主要技术指标为:工作频率范围0.8~18GHz;插入损耗≤11.5dB;-3dB带宽≥13MHz;线性:±12MHz;磁滞:≤15MHz;失谐隔离≥65dB;工作温度范围-40^+60℃;外形尺寸35.5mm×35.5mm×35.5mm。     

一种新型介质谐振器带通滤波器

本文阐述一种能与微波集成电路结合使用的新型介质谐振器带通滤波器。这种滤波器是目前能用于微波集成电路的性能最佳的一种窄带滤波器。本文对这种滤波器作了理论分析;并导出了有关滤波器设计的主要公式;给出了一至四谐振器带通滤波器的实测性能。例如:一个相对带宽为 0.2％的 5cm三谐振器滤波器,其带内插损为 0.8dB左右,带外衰减大于50dB,30dB与 3dB的带宽比约为 3.3。     

高度边带陡峭的半集总LTCC滤波器设计

基于LTCC技术设计一款高度边带陡峭的带通滤波器。为了便于生产加工,选用半集总结构,采用LTCC技术保证了此款带通滤波器的小型化。通过交叉耦合插入零点的方式提高边带陡峭度,为了满足高度边带陡峭的特性要求,选择上下层模式,级联两个一致的带通滤波器。电路仿真与电磁场三维仿真结果均优于设计指标。此款带通滤波器中心频率在1 237.5MHz,带宽575MHz,100~480MHz频率上的衰减均优于40dB,1 900~3 050 MHz频率上的衰减均优于30dB,尺寸仅为4.5mm×3.2mm×2.5mm。     

高度边带陡峭的半集总LTCC滤波器设计北大核心CSCD

基于LTCC技术设计一款高度边带陡峭的带通滤波器。为了便于生产加工,选用半集总结构,采用LTCC技术保证了此款带通滤波器的小型化。通过交叉耦合插入零点的方式提高边带陡峭度,为了满足高度边带陡峭的特性要求,选择上下层模式,级联两个一致的带通滤波器。电路仿真与电磁场三维仿真结果均优于设计指标。此款带通滤波器中心频率在1 237.5MHz,带宽575MHz,100~480MHz频率上的衰减均优于40dB,1 900~3 050 MHz频率上的衰减均优于30dB,尺寸仅为4.5mm×3.2mm×2.5mm。     

基于GaAs PHEMT工艺的超宽带多通道开关滤波器组MMIC

基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款超宽带7路开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了开关、驱动电路和带通滤波器,实现了开关滤波功能。开关采用反射式串-并联混合结构;译码器和驱动电路控制某一支路开关的导通或关断;带通滤波器由集总电感和电容组成。该开关滤波器组芯片通带频率覆盖0.8～18 GHz。探针测试结果表明,开关滤波器组芯片各个支路的中心插入损耗均小于8.5 dB,通带内回波损耗小于10 dB,典型带外衰减大于40 dB。为后续研发尺寸更小、性能更优的开关滤波器组提供了参考。     

微型LTCC四级带通滤波器的设计

提出了一种微型LTCC四级带通滤波器的实现方法。该带通滤波器由四个性能良好的谐振器组成,通过交叉耦合实现传输零点从而达到良好的阻带衰减。通过电路仿真以及电磁场三维仿真软件进行三维建模,对模型进行加工测试,滤波器的测试结果与电磁仿真结果相匹配。四级带通滤波器的中心频率为5.25GHz,带宽为500 MHz,通带范围内插入损耗均优于1.59dB,在0~4.65GHz频率以及6.33GHz频率以上的带外衰减均优于40dB,尺寸仅为2.5mm×3.2mm×1.5mm。本设计采用了带状线分布式结构来实现滤波器的微型化。     

基于DGS 结构的微带岔线型带通滤波器设计

本文介绍了一种基于缺陷地结构(DGS)的微带岔线型宽带带通滤波器的设计过程。此滤波器以四分之一波长的开路枝节型带通滤波器为原型进行设计和改进,引入了微带岔线和DGS 结构,在增加通带带宽和阻带带宽的同时,使滤波器的带外谐波抑制和带内回波损耗得到了很大的改善。采用HFSS 三维场仿真软件进行S 参数的仿真,从仿真结果可 以看出,所设计的带通滤波器中心频率为11.5GHz,其3dB 相对带宽大于50%,带内插损小于0.3dB。此外,在1-6GHz的第一阻带内,滤波器的带外抑制大于20dB,最大抑制度为52dB;在15-24GHz 的第二阻带内滤波器的带外抑制大于20dB,最大抑制度为46dB。整个滤波器尺寸仅为12mm × 16mm。     

带通开关电容滤波器的设计和仿真方法

文中采用MATLAB计算机辅助设计和基本的二阶开关电容滤波器级联的方法,设计了八阶开关电容带通滤波器.使用了一种结合Cadence的spectreRF仿真模块和脚本语言的开关电容滤波器的频域仿真方法,提高了开关电容电路仿真精度和效率.基于CSMC 0.5μm的工艺实现,测试结果显示,通带纹波小于1dB,-3dB带宽为300～3400Hz.     

基于新型互补开环谐振器的带通滤波器

展示了一种新型互补开环谐振器(Complementary Split Ring Resonators,CSRR).文章分析了CSRR的运行机理,研究了环缝的半径、径向间距对带通滤波器性能的影响,将该结构用于一个三阶波导带通滤波器的设计.并采用有限元法对这种结构的传输特性进行了仿真.仿真结果表明,所设计的波导带通滤波器带宽满足指标700 MHz,中心频率10 GHz,插损0.5 dB,具有体积小、性能高的特点.