C—F型物理发泡聚乙烯绝缘同轴电缆的衰减设计计算

介绍了在Ｃ－Ｆ型物理发泡聚乙烯绝缘同轴电缆的衰减设计计算中，如何合理选择等效介电常数εｒ，等效介质损耗角正切ｔｇδｒ、外导体的材料系数ｋρ等参数。     

用H01型圆柱谐振腔测量介质材料介电常数的原理及方法

讨论H01型圆柱谐振腔的测试原理;详细介绍了用圆柱谐振腔测量介质材料相对介电常数及损耗角正切的方法.     

掺杂Y2O3对BaSrTiO3介质瓷性能的影响

以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Y2O3为掺杂剂,制得了BaSrTiO3系介质瓷。用Automatic LCR Meter 4225测试了1 kHz条件下试样的电容量C和介质损耗因数D,并测试了–30～+125℃试样的C和tgδ,得到了试样相对介电常数εr及εr和tgδ随温度的变化曲线。结果表明,在室温下,试样的相对介电常数最大值εr max不小于5 500,tgδ的最小值不大于16×10–4。     

掺杂Li_2O-K_2O-Al_2O_3石英陶瓷的性能研究

采用固相烧结法烧结掺杂Li2O-K2O-Al2O3石英陶瓷,用XRD、SEM、微波网络分析仪等手段分析不同烧结温度下样品的表面特性、介电性能及力学性能。结果表明,掺杂Li2O-K2O-Al2O3石英陶瓷在烧结过程中产生了大量玻璃相,陶瓷微结构致密,介电性能良好(低频1 MHz测试下介电常数εr=5.45⁵.87,损耗角正切tanδ=0.004 15.87,损耗角正切tanδ=0.004 1⁰.005 4;高频14GHz测试下εr=4.370.005 4;高频14GHz测试下εr=4.37⁴.58,损耗角正切为0.003 84.58,损耗角正切为0.003 8⁰.005 3),在1 350℃烧结陶瓷介电性能最优。相比不掺杂石英陶瓷抗弯强度有显著提高,在145MPa以上,最高可达163MPa。有作为天线罩材料的潜力。     

高介高压2B4介质陶瓷

本文报告配方为97.8 wt％BaTiO_3+0.8 wt％Bi_2O_3+0.7wt％Nb_2O_5+0.5wt％CeO_2+0.2wt％MnO_2的陶瓷的制备工艺和介电性能,探讨了介电常数ε和损耗角正切值tgδ随烧成温度的变化规律,详细地描述了ε和tgδ的温度特性和频率特性以及直流偏压特性。实验证明,此种陶瓷是制作高压陶瓷电容器的一种良好的介质材料。     

氮气中烧结的厚膜介质浆料

厚膜铜导体的烧结通常是在惰性气氛中进行的,与其配套的多层布线介质材料也应适合在惰性气氛中烧结。研制的ZnO-Al_2O_3-SiO_2-ZrO_2系介质材料介电常数小(ε<6),损耗角正切低(tgδ<10×10~(-4)),绝缘电阻高(R≥10~(13)Ω),材料烧结后主晶相是立方ZrO_2,适于惰性气氛(如N_2)烧结,可用作铜导体多层布线系统介质材料。     

自由空间法分析介质蜂窝等效复介电常数

根据自由空间法介质材料介电常数测试原理,采用商用电磁场仿真软件给出了介质蜂窝材料等效复介电常数的分析方法,计算出了特定材料、格孔周期蜂窝材料的等效复介电常数。为验证方法的正确性,对等效介电常数的平板和相应的蜂窝的透射反射系数的幅度相位进行了比较,两者吻合良好。通过对宽带范围内蜂窝等效介电常数的计算表明,介质蜂窝具有微小的色散效应,随着频率增高,蜂窝的相对介电常数、损耗正切略微减小;蜂窝的磁介电常数接近为1,磁损耗正切接近为0。     

平板介质的微波分裂腔法介电常数测试技术

为实现微波频段平板类介质材料的介电常数的无损测试,研究了分裂式圆柱形谐振腔测试方法。介绍了分裂式圆柱形谐振腔的电磁场分析理论,采用模式匹配技术实现了介质加载条件下腔内电磁场分布的精确求解,得到了腔体谐振频率与材料介电常数之间的准确关系。在理论分析的基础上,制作了空腔谐振频率为10 GHz的分裂式谐振腔,并与前期研制的闭式谐振腔进行对比测试,介电常数实部测量结果相对误差小于1%。与国外同类产品进行对比测试,介电常数实部结果基本一致,损耗角正切测量结果更接近于文献参考值。因此,微波分裂腔法能够实现平板介质板材的无损测量,具有准确度高,使用方便等突出优势,可在微波频段内实现介电常数为1～20,损耗角正切为1×10^-3～1×10^-5,板材厚度为0.1～2.0 mm的各类平板介质材料介电常数的准确测试。     

一种填晶型的隔离介质浆料

在玻璃中加入氧化铝，制成填晶型隔离介质的相对介电常数８～１０，绝缘电阻率大于１０１２Ω·ｃｍ，耐电压强度大于ＡＣ５００Ｖ／２５μｍ，损耗角正切小于５×１０（－３），接近进口同类产品性能指标。     

X波段介质振荡器的设计

研究了一种具有较宽机械调频范围和较低相位噪声的x波段介质振荡器设计方法.利用介质谐振器法对三种型号的介质谐振器(DR)材料进行了精确的测试,得到了其介电常数εr和损耗角正切值tanδ以及DR的谐振频率.利用仿真软件建立微带线与谐振器耦合模型,通过仿真提取其S2P文件.选用GaAs FET ATF26884作为电路中的放大器件,使用生成的S2P文件建立介质振荡器(DRO)电路模型,调整耦合段和输出匹配微带线的长度,得到较低的相位噪声.测试证明输出信号的相位噪声在偏离中心频率100 kHz处小于-100 dBc/Hz.     

常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较

用热丝CVD方法制备了常规和纳米金刚石薄膜。测量了其电阻率、介电常数和损耗角正切值。实验结果表明,常规金刚石薄膜的电导率、损耗角正切值均小于纳米金刚石薄膜,介电性能比较理想。两种薄膜的介电 常数基本相同,损耗角正切值在10^5Hz处都有弛豫极大值,表明在该频率范围内,主要为弛豫损耗机制。电导率和损耗的大小可能与晶界处缺陷和非金刚石相的多少有关。     

测量复数介电常数的简单的设备

基本的同轴谐振器是这介质测试设备的心脏,复数介电常数和损耗角正切可以根据测量调谐的位移和电路的Q 值来计算.     

二、微波医疗

一、引言人体是一种电介质.电磁波穿透人体时遭到衰减,并转化为热。利用微波的热效应,可以治疗某些疾病。微波的非热效应能促进创伤的愈合,目前已见到报导。如果微波的频率为fMHz,机体的相对介电常数为ε(?),损耗正切为tgδ,电场强度有效值为E伏/厘米,则微波照射人体时每单位体积的吸收功率为: P=55.61E~2fε(?)tgδ×10~(-20)(瓦/厘米~3)微波的穿透深度为     

发泡聚乙烯电缆发泡度测量计算方法

发泡度是发泡聚乙烯绝缘同轴电缆生产质量受控的一个关键要素。当生产所用PE有关特性一定,生产线芯结构尺寸一定的条件下,发泡度的大小与电缆的主要电性能指标如特性阻抗、衰减、回损、屏蔽衰减等息息相关,它决定着发泡聚乙烯绝缘体的复合介电常数ε_D、复合介质损耗角正切tgδ_D和工作电容C,影响着电缆中电磁信号的传输速度和传输质量,对电缆特性质量非常重要。本文仅就其测量计算有关方法予以介绍。     

电介质复介电常数的教学和实验

本文从时谐电磁场情况下电介质的电极化物理过程出发,通过理论推导建立了介质损耗与复介电常数的关系。在此基础上,以电容器为例得到了时谐情况下的等效电路,进一步得到电容器中电介质的复介电常数实部和虚部与频率的关系,并通过指导本科生测量电介质介质损耗角正切得到复介电常数的频率特性。     

PZT厚膜与Si衬底互扩散阻挡层研究

在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,利用电泳沉积制备PZT热释电厚膜材料.为防止Pb和Si互扩散,在Pt底电极与SiO2/Si衬底间通过直流磁控溅射制备了TiOx薄膜阻挡层.对具有0、300 nm和500 nm TiOx阻挡层的PZT厚膜材料用SEM和能量色散谱仪(EDS)表征了Pb和Si互扩散情况,用动态热释电系数测量仪测试了热释电系数.结果表明,当TiOx阻挡层为500 nm时,可阻挡Pb和Si互扩散,热释电性能最好.热释电系数p=1.5×10-8 C·cm-2·K-1,相对介电常数εr=170,损耗角正切tanδ=0.02,探测度优值因子Fd=1.05×10-5pa-0.5.     

新型环氧树脂E-51的性能研究

采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料。测试了不同种类和含量的填料对封装材料的介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。实验结果表明:随ZrW2O8含量的增加,ZrW2O8/E-51材料的介电常数ε不断增大,介质损耗正切值不断减小。在室温约163℃范围内,ZrW2O8/E-51材料的电阻率稳定在3.03×106Ω·m,电击穿场强均大于10kV·m-1,满足于微电子器件封装材料的实际应用。     

印制电路板高频介电常数测试技术现状分析

在印制电路板的设计、生产等过程中,板材的介电常数和介质损耗角正切都是影响板材应用性能的重要参数,因此,介电常数的测量准确性十分重要。本文介绍了目前使用的几种高频介电常数测量方法的原理、标准和相关产品,并分析了其优势和不足,以及测量技术的发展趋势。     

毫米波损耗角正切的测量

本文介绍微波材料毫米波复介电常数和损耗角正切的简易测量方法 ,重新推导有关公式 ,给出测试步骤、计算步骤 ,并给出测试实例。     

高介电常数覆铜箔金属基复合微波介质基板的研制

本研究采用PPO树脂体系，同时采用介电常数调节剂——复合陶瓷粉材料，研制开发出了介电常数为6—10、介质损耗因数为小于0．005的金属基高频电路用覆铜板。