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ZnO基陶瓷的导电性能研究 总被引:16,自引:2,他引:14
以ZnO为基添加MgO和Al2O3制得了ZnO陶瓷。研究了掺杂含量,烧结温度和降温特性等因素对ZnO基陶瓷的导电性能影响。研究表明,Al2O3含量和烧结温度对ZnO基陶瓷的电阻率具有较大的影响,MgO含量和降温速率对电阻温度系数影响尤为明显。 相似文献
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CaO-Y2O3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了掺杂CaO-Y2O3热压烧结和常压烧结AlN陶瓷的性能和显微结构.结果表明:热压烧结AlN陶瓷的第二相为Y3Al5O12,常压烧结AlN陶瓷的第二相为Y3Al5O12和Ca3Y2O6;热压烧结AlN的第二相体积百分数和晶格氧含量均低于常压烧结;热压烧结AlN陶瓷的微观结构良好,其热导率达到200W/m·K. 相似文献
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晶须增韧补强陶瓷基复合材料的若干关键技术研究(Ⅰ):晶界和界面的调控 总被引:1,自引:1,他引:0
根据各种助烧剂在相应的氧氨玻璃中的作用,通过晶界相预合成和改变Al2O3和MgO的添加量,研究了不同La/Y比及Al2O3和MgO含量对SiC(w)/Si3N4复合材料力学性能的影响,从而实现了对晶界和界面的调控,优化了助烧剂体系和制备工艺,达到了最佳的晶须增韧强效果。 相似文献
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MgO,CaO,Y2O3掺杂ZrO2相组成的定量分析 总被引:4,自引:1,他引:3
以共沉淀法制备了掺杂8mol%MgO,CaO,Y2O3的ZrO2粉料,在1550℃烧结得到致密的稳定或稳定ZrO2试样,应用X射线步长扫描衍射数据和Rietveld方法对试样进行了相含量的定量分析,结果表明,相同组份不同金属氧化物稳定的ZrO2试样在烧结后得到不同的相组成,MgO部分稳定ZrO2为立方、四方和单斜三相混合物(17:57:26:wt%),CaO的部分稳定ZrO2仅包含立方和单斜相(6 相似文献
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Al2O3短纤维Al—1/5wt%Mg复合材料的界面研究 总被引:5,自引:0,他引:5
实验研究了液态浸渗后直接挤压工艺制备的Al2O3短纤维/Al-1.5wt%Mg复合材料的界面特点。发现;基体中的Mg在纤维/基体界面处偏聚,发生了界面反应;反应产物MgAl2O4,其厚度约为20nm,远小于由Metcalfe定义的界面反应层第一临界厚度;界面反应产生MgAl2O4的存在,为其体与纤维间提供了较好的结合强度。 相似文献
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本实验通过对MAg4l5(M:K,Rb)薄膜的光学吸收谱中B1-谱带的详尽分析,计算出5p(l)和4d(Ag)波函数对MAg4l5价带顶部电子状态的贡献,论证了在MAg4l5中,M^+离子的加入是导致MAg4l5的自旋-轨道分裂能Δso以及5p(l)波函数对其价带顶部的贡献(γ)比在纯Agl中相应值降低的根本原因。 相似文献
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四元磷酸盐玻璃的 Raman 光谱和 AlO_6丰度变化的研究表明,玻璃的离子电导率主要由活动离子 Na~ 的总数决定,Na_2O 含量越高,其电导率也越高;但是,玻璃结构对电导率也有一定影响。由 AlO_4四面体和(Al—O—P)~-基团构成结构网络的某些 Na_2O—Al_2O_3—P_2O_5玻璃有较高的离子电导率。当以 MgO 替代玻璃中的 Al_2O_3时,由于MgO 只起网络修饰体作用,电导率是单调下降的。以 SiO_2替代 Al_2O_3时,情况有所不同。由于 SiO_2可能兼起网络形成体和修饰体的作用,无疑使玻璃结构变得复杂了。只有在参与网络的 SiO_2达到相当量的情况下,才有希望提高玻璃的电导率。外加 SiO_2到 Na_2O—Al_2O_2—P_2O_5玻璃内,导致玻璃中的 Na~ 离子的相对量降低,所以其电导率总是下降的。 相似文献
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以Al2O3-ZrO2复合粉末、W、Cr、Ni、Co粉末为原料,采用热压烧结工艺制备了性能优良的Al2O3-ZrO2/W/Cr/Ni/Co金属陶瓷复合材料。通过SEM,EDS,XRD等手段分析其微观组织,单边梁开口法(SENB)测量其断裂韧性。实验结果表明在1320℃,20MPa条件下热压烧结制备的Al2O3-ZrO2/W/Cr/Ni/Co金属陶瓷的断裂韧性为7.16±0.4MPa.m1/2,硬度为83.3HRA,横向断裂强度为540MPa,相对致密度为97.4%;对维氏压痕下裂纹扩展进行了分析,其增韧机理为延性金属对裂纹的桥梁作用和氧化锆相变增韧,在裂纹通过时硬质相以沿晶断裂为主。 相似文献
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首次研究了以Nd~(3+)离子为辅助激活剂,对Eu~(2+)掺杂的发光材料Sr_4Al_(14)O_(25):Eu~(2+)余辉性能的影响.用溶胶凝胶法合成了Eu~(2+), Nd~(3+)共掺杂的Sr_4Al_(14)O_(25):Eu~(2+),Nd~(3+)发光粉末,并用扫描电镜、X射线衍射计、荧光分光光度计、余辉亮度测试仪、热释光剂量计等手段对粉末样品进行了表征.结果表明,在1350℃得到了单一的Sr_4Al_(14)O_(25)相,粉末颗粒平均粒度在1μm左右.Eu~(2+), Nd~(3+)共掺杂的Sr_4Al_(14)O_(25):Eu~(2+),Nd~(3+)发光粉末有402和485nm两个发射峰,与Eu~(2+)单掺杂的Sr_4Al_(14)O_(25):Eu~(2+)相比,发射峰位置没有变化,但适量的掺杂可以大大提高余辉时间和余辉亮度,余辉时间可达18h以上.最后通过对热释光谱的分析解释了双掺杂发光粉余辉性能增强的原因,适宜深度的陷阱可以有效存储光能,增强余辉的时间和强度. 相似文献
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采用共沉淀法制备出尺寸分布均匀、分散性良好的立方相钇铝石榴石(YAG)与Ce:YAG纳米粉体.考察了煅烧温度和时间对粉体物相和颗粒大小的影响及Ce~(3+)的掺杂量对Ce:YAG粉体的荧光光谱的影响.借助IR、XRD、BET、SEM和荧光分析仪等测试手段对前驱体、YAG及Ce:YAG纳米粉体进行了表征与分析.结果表明:共沉淀前驱体经900℃煅烧2h后可得到纯立方相的YAG(Ce:YAG)纳米粉体;所得Ce:YAG粉体具有较好的荧光特性且Ce~(3+)的掺杂量增加会造成其荧光光谱红移. 相似文献
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电泳沉积HA -Ti -Y2 O3/ZrO2复合涂层的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
为了制备均匀致密的HA -Ti -Y2 O3/ZrO2陶瓷涂层,在正丁醇介质中,以三乙醇胺为添加剂,将羟基磷灰石(HA)与Ti,Y2 O3/ZrO2按一定比例混合电泳沉积在钛基底上,得到了形貌稳定的HA -Ti -Y2 O3/ZrO2生物陶瓷涂层.研究了电场强度,电泳时间,添加剂用量对涂层品质的影响.用扫描电镜(SEM)对热处理后的涂层进行了观察,采用红外光谱仪(FTIR)和X射线仪(XRD)对涂层的形貌、组成及结构进行了表征.结果表明:在正丁醇作分散剂,三乙醇胺添加量为12 mL/L,电场强度30~60 V/cm,HA浓度为10~20 g/L,Ti为4~16 g/L,Y2 O3/ZrO2为6~12 g/L的条件下,可制得形貌较好的HA -Ti -Y2 O3/ZrO2复合陶瓷涂层. 相似文献
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麦饭石基铝系远红外基元材料的制备及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
将天然麦饭石与Al2O3、MgO、Ti O2、ZrO2进行混合烧结,通过XRD、IR、红外热效应、红外辐射检测等测试,结果表明,Al2O3-MgO-Ti O2-ZrO2系远红外材料在麦饭石的加入后烧结,有堇青石的生成,所显示的衍射峰分别对应于六方结构堇青石的(112)、(202)、(211)特征峰,(100)晶面衍射峰为堇青石的最强峰;所制基元材料红外热效应明显,A7、MA7 10min的温升分别能够达48.2、51.3℃;红外辐射率分别为0.83、0.86。将制备的远红外基元材料加入到涂料中,涂料红外发射率为0.85。 相似文献
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采用燃烧还原合成技术, 以还原体系(B2O3 + ZrO2 + Al) 为反应体系制备了ZrB2 / Al2O3 复合粉体。利用X射线衍射(XRD) 、X 射线光电子能谱(XPS) 和透射电镜( TEM、HRTEM) 对复合粉体的物相组成、化学组成及界面结构进行了表征分析。结果表明, 复合粉体中存在Zr 、B、Al 和O 元素且它们分别以ZrB2 和Al2O3 为主要存在形式, ZrB2 和Al2O3 为复合粉体的主晶相。复合粉体中有少量ZrO2 的存在, 分析认为是合成反应过程中未参加反应的ZrO2 。ZrB2 和Al2O3 颗粒间形成了结合良好的界面, 这主要与ZrB2 的结晶过程有关。 相似文献
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The electronic and crystal structural properties of Bi-doped Sr_3Ti_2O_7are studied using the first principles density functional theory(DFT)based on pseudopotentials basis and plane-wave method.Our results show that the formation energy of Bi doping in Site-1 and Site-2 of Sr_3Ti_2O_7increases with increasing doping concentration.And at the same doping concentration,the formation energy of Bi doping in Site-2 is lower than that in Site-1.The undoped Sr_3Ti_2O_7is found to be an insulator and its Fermi level stays at the top of the valence band.While the Fermi level of the Bi-doped Sr_3Ti_2O_7moves into the bottom of conduction band,the system undergoes an insulator-to-metal phase transition.Furthermore,our calculation results demonstrated that the Fermi level of the Bi-doped Sr_3Ti_2O_7goes deeper into the bottom of conduction band with increasing doping concentration. 相似文献
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