非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长

研究了非掺ＧａＡｓ半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法（ＶＧＦ）生长技术,解决了Ｓｉ沾污和Ｃ浓度的控制问题,得到了直径２英寸非掺半绝缘低位错单晶。测试表明：该单晶的位错密度较ＬＥＣ单晶下降近一个数量级,电学参数与ＬＥＣ单晶类似,接近国个ＶＧＦ单晶的的参数指标。     

国产ZFL018型高压单晶炉及液体复盖直拉法生长GaP单晶

介绍了国产ZFLO18型高压单晶炉的主要性能和特点,主要是:热态下(坩埚加热到1500℃)可经受100大气压;可采用电阻、高频两种加热方式;配用工业电视可遥控整个拉品过程;上下炉膛采用螺帽连接既使受力均匀,开启也较方便;上下轴均有压力补偿,采用“O”形密封,运转比较灵活;可用热偶取出信号进行控温等。用液体复盖直拉法(LEC法)在该单晶炉内进行了GaP单晶生长实验,采用电阻加热方式,在我国首次拉制出了适于绿色(黄、红)发光二极管衬底的掺Te的GaP单晶。详细介绍了所用热场配置、掺杂计算,工艺     

Φ2″VGF法单晶炉和掺Si砷化镓单晶

砷化镓单晶材料是当今世界移动通讯、微波光电集成电路及光电子领域中的基础衬底材料。国际上GaAs单晶生长方法的主流技术是:液封直拉(LEC)法和水平布里奇曼(HB)法。随着砷化镓单晶材料朝大直径、高质量、低成本方向发展,垂直梯度凝固技术VGF法生长GaAs晶片具有设备结构简单,操作方便,易实现自动控制,适合产业化生产,晶体具有温度梯度小、热应力小,位错密度低,甚至可生长无位错单晶等特点。近几年,国际上采用VGF法生长GaAs单晶已进入φ4'产业化,φ6'正处于产业     

氟化物激光晶体Cr:LiSAF的坩埚下降法生长

报道了氟化物激光晶体CrLiSAF的坩埚下降法生长工艺.采用经氟化处理的无水氟化物原料,按照LiFSrF2(AlF3+CrF3)=111的摩尔比配料,控制炉体温度于900～940℃,晶体生长速度为0.4～0.8mm/h,通过密闭条件下的坩埚下降法生长出大尺寸(φ25mm×85mm)的优质完整的CrLiSAF单晶.     

氟化物激光晶体Cr∶LiSAF的坩埚下降法生长

报道了氟化物激光晶体Cr∶LiSAF的坩埚下降法生长工艺。采用经氟化处理的无水氟化物原料 ,按照LiF∶SrF2 ∶(AlF3 +CrF3 ) =1∶1∶1的摩尔比配料 ,控制炉体温度于 90 0～940℃ ,晶体生长速度为 0 .4～ 0 .8mm /h ,通过密闭条件下的坩埚下降法生长出大尺寸 ( 2 5mm× 85mm )的优质完整的Cr∶LiSAF单晶     

Pb2MoO5单晶的坩埚下降法生长

本文报道了Pb2MoO5单晶的坩埚下降法生长工艺.按照精确的化学计量比进行配料,应用高温固相反应合成Pb2MoO5多晶料;在晶体生长过程中,控制炉体温度于1050～1070℃,调节固液界面温度梯度为30～40℃/cm,按照0.6～1.0 mm/h的下降速率,通过改进的坩埚下降法生长出透明完整的Pb2MoO5单晶;应用X射线衍射、差热分析、透射光谱等方法进行了单晶基本性质的表征.X射线衍射分析证实该晶体为单斜晶系,DTA/TG曲线表明该晶体在958℃一致熔融,高于此温度熔体组分出现严重挥发,该晶体在可见光波长范围具有良好的光学透过性,其吸收边位于370 nm波长附近.     

山东大学大直径SiC单晶研究获突破

山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶，2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用（epi-ready）”的水平，与合作单位在SiC衬底上制备的微波GaN／AlGaNHEMT器件的输出功率密度达到5．5W／mm的水平，这是国产SiC半绝缘衬底第一次得到具有微波特性的器件，     

直拉单晶炉真空系统和充气系统的改进

直拉单晶炉生长过程中炉膛内真空度的高稳定性对硅单晶正常生长起到很重要的作用。本文分析了引起直拉单晶炉生长过程中炉膛内真空度不稳定的因素，通过改进单晶炉真空系统和充气系统．确保硅单晶在生长过程中单晶炉炉膛内的真空度保持高度稳定，有助于提高硅单晶生长的质量。     

三温区坩埚下降法生长Cd_(1-x)Zn_xTe单晶体

CdZnTe晶体是一种性能优畀的室温核辐射探测器材料.在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中,生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响.根据CdZnTe晶体的生长习性,设计了三温区单晶炉,用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体.通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究,得到了红外透过率约为61%,腐蚀蚀坑密度(EPD)为104 cm-2,电阻率为109～1010 Ω·cm的Cd0.9 Zn0.1 Te单晶体.表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.     

GaSe晶体的掺S生长及性能研究（英文）

当生长掺S的GaSe单晶时,熔体的强烈对流和溶质扩散使得生长出大尺寸的晶体较为困难。本实验采用改进的Bridgman炉,并结合坩埚旋转技术,成功生长出了较大尺寸的GaS e0.89S0.11单晶体(f20×60 mm3)。采用X射线粉末衍射仪、能谱仪、纳米压痕仪和傅里叶红外光谱仪测量其结构、成分、机械和光学性质。测试结果表明,质量分数为2.38%的S掺杂的GaSe晶体(GaSe0.89S0.11)没有发生结构相变;它的机械性能得到了明显的改善,同时光学性能也得到了一定的提高。     

掺尿素的TGS晶体的生长及性质研究

利用降温法生长掺尿素的ＵＴＧＳ单晶,测试晶体的热释电和介电特性。结果表明,尿素的掺杂提高了晶体的热释电性能。     

ZrO_2纳米晶体形貌模拟及其最佳纳米尺度计算

采用量子化学计算软件Material Studio的Morphology模块BFDH法则模拟了四方氧化锆晶体生长稳定外形,并采用Castep模块的平面波基赝势法计算了ZrO2稳定外显的(101)、(110)、(002)面电子密度分布,以晶体模拟形貌像为基础,运用纳米计算方法通过对氧化锆不同纳米微粒总晶胞数、总原子数、表层活性原子及表层活性原子比例的计算,从晶体学理论角度确定了氧化锆纳米微粒的最佳纳米尺度为120nm。     

籽晶边长对SAPMAC法蓝宝石晶体放肩阶段生长质量的影响

温度场的控制是蓝宝石生长过程关键技术问题。采用有限元方法研究了冷心放肩微量提拉法蓝宝石单晶生长过程中籽晶的边长对晶体生长放肩阶段温度场内温度分布、流场分布和晶体的等效应力分布的影响。结果表明:当籽晶边长为24mm时,放肩阶段熔体的轴径向温度变化平缓,温度场内温度分布均匀,熔体的流动和晶体的热应力均适合晶体的生长。     

YAP和YAG单晶晶纤中Nd~(3+)离子分布

用 X 射线电子能量色散谱(EDS)对 YAP 和 YAG 单晶晶纤中 Nd 离子分布作了测量。Nd离子沿晶纤的纵向分布基本均匀,但沿晶纤的径向分布是不均匀的、中心高而边缘低。用区熔生长理论对实验结果进行了讨论。     

Synthesis,crystal structure and thermal analysis of a new stilbazolium salt crystal

A new organic crystal of 4-N, N-dimethylamino-4′-N′-methyl-stilbazolium benzene sulfonate (DASBS) was synthesized and characterized for the first time. It is a derivative of 4-N, N-dimethylamino-4′-N′-methyl-stilbazolium tosylate (DAST) with the benzene sulfonate replacing p-toluenesulfonate. Single crystal XRD demonstrated that the crystal structure of DASBS·H₂O was triclinic. The thermal analysis of this new crystal was also conducted, and the melting point was obtained to be 232°C.     

Organic semiconductor-based photonic crystals for solar cell arrays: band gap and optical properties

Photonic crystals (PCs) hold great potential for designing new optical devices because of the possibility of the manipulation of light with PCs. There has been an increase in research on tuning the optical properties of PCs to design devices. We design organic semiconductor-based PC structures and calculate optical properties using the plane wave expansion method and finite-difference time-domain method in an air background for a hexagonal lattice. We showed the possibility of the solar cell arrays for a 2D PC cavity on an organic semiconductor base infiltrated with a nematic liquid crystal. E7 type has been used as a nematic liquid crystal and 4,4′-Bis[4-(diphenylamino) styryl]biphenyl as an organic semiconductor material.     

导模法生长白宝石单晶中的缺陷观察

本文采用导模法生长出了白宝石（1102）片晶和（0001）棒晶．在此基础上实验观察了白宝石单晶中的位错、亚晶界和小品面等缺陷的形态、数量及分布,讨论了生长条件对它们的影响．结果表明,晶体生长速率和籽晶质量是影响晶体缺陷的两个主要因素．     

Enhanced Raman scattering in a colloidal crystal observed by a tunable laser light source

The Raman scattering intensity was measured for a colloidal crystal composed of polystyrene micro spheres and a polymer gel with a tunable continuous-wave dye laser as an excitation light source. Enhancement of the Raman scattering caused by both the electric field enhancement at the excitation frequency and the increase in the local photon density of states at the scattering frequency was expected. The observed Raman scattering intensity as a function of the excitation frequency showed a reasonable agreement with the theoretical prediction.     

AgBr T颗粒的成核与成长

晶核的絮凝和聚结导致了ＡｇＢｒ孪晶的产生，从而进一步形成Ｔ颗粒，本文综述了最近在这方面的研究结果，并讨论了Ｔ颗粒形成的机理；同时还就物理成熟条件对Ｔ颗粒尺寸和形状的影响进行了讨论。     

Ca_4RO(BO_3)_3(R=Gd,Y)晶体空间方向的确定

介绍了高质量Ｃａ4ＧｄＯ（ＢＯ3）3（ＧｄＣＯＢ）、Ｃａ4ＹＯ（ＢＯ3）3（ＹＣＯＢ）晶体的生长，报道了两种晶体空间方向的确定方法；对于该类低对称性非线性光学晶体的实用化具有推动意义．