无机硅化合物产品开发现状及发展趋势

文章叙述了我国硅酸钠及其繁衍物、白炭黑、硅胶、硅溶胶、层硅的生产现状，指出了硅化工行业应扩大生产规模及发展深加工、高附加值的硅化工系列产品的发展趋势。     

硅化工繁衍物产品的开发现状及发展趋势

文章叙述了我国硅酸钠及其繁衍物、自炭黑、硅胶、硅溶胶、层硅的生产现状，指出了硅化工行业应扩大生产规模及发展深加工、高附加值的硅化工系列产品的发展趋势。     

炭化硅被覆炭素材料的制造方法

在制造炭化硅被覆炭素材料的方法中，采用了加热反应原料，使其生产氧化硅主体，使该主体同炭素材料相反应，在炭素材料的表面上形成炭化硅的被覆层。     

压铸铝合金件光亮导电膜化学氧化

介绍了经试验成功并用于生产的高硅压铸铝合金件光亮导电膜化学氧化工艺流程、操作注意事项和膜层性能等.     

层硅无磷助洗剂的产业化研究现状与发展

从工程学的角度评述了层硅助洗剂的各种生产工艺,并从工业化和商品化的角度分析了层硅助洗剂的研究与发展,介绍了最新的研究与实践成果,指出层硅助洗剂作为一种产品和商品已具备了大力发展的条件.     

HDPE硅芯管专用料的性能及应用

介绍了HDPE硅芯管专用料6200M的主要特性,并详细叙述了以6200M和硅芯层母料为主要原料制备硅芯管的生产过程和应用情况。     

铝-硅合金酸性浸锌

通过交流阻抗测试对铝-硅合金酸性浸锌配方进行了优选。对比了铝-硅合金基体、酸性浸锌层、浸锌后电镀镍层、浸锌后化学镀镍层的极化曲线及交流阻抗图谱,并分析了酸性浸锌层的微观形貌及组成。结果表明:酸性浸锌层可作为铝-硅合金电镀镍层及化学镀镍层的良好底层,从而提高铝-硅合金基体的耐蚀性。酸性浸锌层的晶粒呈球状,致密、均匀,主要成分为氟、锌、氧。     

硅层柱蒙脱土的制备

以钠基蒙脱土为原料,制备了硅层柱蒙脱土,并采用XRD、N₂吸附-脱附分析和吡啶吸附红外光谱进行表征,研究硅层柱蒙脱土的水热稳定性及表面酸性。结果表明,硅层柱蒙脱土以中强酸位和强酸位为主,弱酸位较少。硅层柱蒙脱土在800 ℃焙烧仍保留片层结构不坍塌,600 ℃经过100%水蒸汽水热处理2 h后片层结构坍塌。     

硅微压电超声换能器

本实用新型提供一种硅微压电超声换能器,包括具有硅杯结构的硅基片,位于该硅基片上的支撑层以及位于支撑层上的N个压电换能单元;其特征在于,所述硅基片的硅杯结构上部具有选择性掺杂层,该选择性掺杂层上具有N个与所述压电换能单元相对应的通孔。与现有技术相比,本实用新型能否达到以下技术效果：本实用新型可以用常规的体硅刻蚀工艺实现密排阵元的薄膜压电换能器阵列,     

纳米晶硅多层薄膜的低温调控及其发光特性

采用单-双靶交替溅射法低温沉积了纳米晶硅多层薄膜（nc-SiO_x/a-SiO_x）,通过改变a-SiO_x势垒层的厚度和化学成分比例,实现了纳米晶硅多层薄膜的低温过程控制。透射电子显微镜（TEM）结果显示,a-SiO_x层太薄,不能有效阻断纳米硅生长,导致多层周期结构在后期沉积过程中受到破坏;增加a-SiO_x层厚度,周期性结构生长得以实现,但仍有部分纳米硅穿透a-SiO_x势垒层;傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析表明,薄膜中的氧化反应以及活性氢对物相分离过程的促进作用均对纳米硅生长有影响。进而增加a-SiO_x层氧含量,纳米硅的纵向生长被成功阻断。在此基础上,通过调整nc-SiO_x层厚度实现了薄膜光学带隙调整和纳米硅粒度控制。光吸收谱分析显示,随nc-SiO_x层厚度的增加,薄膜光学带隙逐渐减小;光致发光谱表明,多层周期结构实现了纳米硅尺寸的调控,粒子尺寸为几个纳米的纳米硅表现出了较强的发光,发光机制为量子限制效应-缺陷态复合发光。     

低硅钢熔融盐电化学方法渗硅

采用对称-单纯形法对电沉积渗硅熔融盐配方进行了优化设计。设计结果表明,通过计算得到的渗层厚度与熔融盐成分之间的回归方程具有明显的显著性,选择出最佳配方为n(NaCl)∶n(KCl)∶n(NaF)∶n(SiO2)=1∶1∶3∶0.3,用此配方在低硅钢基体上获得了34.51μm渗硅层,实验值与预测值基本吻合。辉光放电光谱仪测定出渗硅层中Si元素呈梯度分布,渗硅层与基体结合良好,光学金相照片显示渗硅层厚度均匀。     

太阳能电池背板

本发明公开了太阳能电池背板,包括基层,基层为塑料层,基层两侧的表面分别通过黏合层连接有树脂层,树脂层表面设有保护膜,保护膜包括设置在所述树脂层表面的硅氧化物涂层,硅氧化物涂层表面通过另一层粘合层连接有涂膜层。     

电沉积方式对铌表面熔盐渗硅的影响

采用由氯化钠、氯化钾、氟化钠和二氧化硅(摩尔比为1∶1∶3∶0.3)组成的熔盐,分别以直流、单脉冲、换向脉冲的电沉积方式在纯铌表面渗硅。对比研究了不同电沉积方式下所得渗硅层的厚度、成分、组织、相结构和抗氧化性。结果表明,渗硅层厚度按照单脉冲、换向脉冲、直流电沉积的方式依次降低。与直流和单脉冲电沉积相比,换向脉冲方式所得渗硅层的组织更加致密、平整。电沉积方式对渗硅层的相结构无影响,所得渗硅层均由单相Nb Si2组成,并在(110)和(200)晶面上择优生长。换向脉冲方式制备的渗硅层抗高温氧化性能最好。     

抗氧化涂层

飞机用石墨制动盘暴露在外部的抗氧化涂层包括：石墨表面上一层硅层，硅层表面上覆盖一层镍层、镍层表面覆盖一层铬层。电弧熔化后的火焰喷涂适合于形成硅层，镍和铬层用电镀方法形式。     

超富含硅氧化硅非易失性存储单元及其制造方法

一种超富含硅氧化硅非易失性存储单元及其制造方法,包括位于衬底上的栅极导电层、位于栅极导电层两侧之衬底中的源极／漏极区、位于栅极导电层与衬底之间的遂穿氧化层、位于栅极导电层与遂穿氧化层之间做为电荷捕捉层的超富含硅氧化硅层以及位于栅极导电层与超富含硅氧化硅层之间的上介电层。     

热集成的贵金属催化多孔硅微反应器元件的制备

用直流腐蚀的方法,在HF溶液中用p型单晶硅［p-Si（100）］制备了单孔φ3 μm×2 μm、总孔容积0.0224 mm³的多孔硅母模。用浸入置换的方法在多孔硅上沉积了Ag、Au、Pd、Pt的催化晶粒层。用化学镀的方法在多孔硅母模上沉积了一层厚约15 μm的Ni镀层,然后用电镀的方法增厚至200 μm,并从多孔硅上超声剥离,得到镍阳模。形貌显示,催化晶粒层只在多孔硅的棱边上沉积,不在孔洞中生长,多孔硅在保持多孔形状的同时,负载了一层贵金属催化剂,可以用来制备集成催化功能的微反应器。镍阳模与多孔硅的结合面是一层带环隙的岛状颗粒,可以用作微换热器。用此方法可以用简单、价廉的工艺制备适用性较广的热集成的贵金属催化微反应器元件。     

低硬度循环冷却水系统硅系水质稳定剂的研究

提出了以硅系水质稳定配方处理低硬度循环冷却水，采用正交实验失重法确定了硅系配方中各组分的配比，并对该配方进行了性能评价。结果表明：该硅系配方能在金属表面形成一层保护膜，能将碳钢腐蚀速率降到0．0348mm／a，铜管腐蚀速率降到0．0005mm／a，满足实际生产的要求。     

硅化工中废渣回收硅微粉与微硅粉工艺的研究

结合我国目前的硅微粉和微硅粉的生产现状,主要简述了硅微粉和微硅粉在生产过程中与硅化工生产的联系,简要介绍了硅微粉,微硅粉和硅的生产工艺,并把硅化工中的工艺与硅微粉和微硅粉的生产工艺相互联系,得到一整套的生产工艺路线,使硅化工中的废渣得以利用生产出微硅粉和硅微粉。经过研究表明,硅微粉和微硅粉的生产工艺中与硅化工中的工艺紧密联系,并且硅化工中的生产中的废渣可以有效地生产出微硅粉和硅微粉,可以更有效的使资源得到合理的利用。     

氯氧化锆生产排放碱液及硅渣制层状结晶二硅酸钠研究

利用氯氧化锆生产过程中排放的稀碱液、酸性硅渣辅加少量石英砂制备δ-层状结晶二硅酸钠,产品达到国家GB/T19421-2003标准;同时可从硅渣中回收附加值高的锆英砂和偏锆酸钠等锆组分返回氯氧化锆生产系统二次使用.该工艺具有资源利用合理、产品效益显著的特点.     

层状硅酸盐

综述了助洗剂三聚磷酸钠对环境的污染及禁磷的重要性，分析了4A沸石、偏硅，δ－层硅用作助洗剂的各种性能及效果。提出了δ－层硅是替代三聚磷酸钠的较好选择。