重庆云阳李家坝遗址出土汉代鎏金青铜器的扫描电镜分析

李家坝遗址是中国西南地区一处重要的巴人遗址,出土了大批精美的文物,其中一批西汉时期鎏金青铜器的发现,为人们了解巴蜀地区青铜鎏金技术提供了宝贵实物资料。鎏金工艺是中国古代传统工艺中的一只奇葩,最早出现春秋时期,流行于战国和两汉时期。李家坝墓地出土的汉代鎏金青铜器,通过扫描电镜分析脱落碎片,结果显示：鎏金层中存在大量条状突起物为没有完全溶于Hg的金丝,表明人们采用＂细剪金箔＂的方法制备原料;同时,均匀分布的Ag说明当时人们在制作金汞齐时添加了Ag。     

镀金接触表面形成的圈状腐蚀物的SEM/EDS分析

本文主要论述镀金接触表面经长期室内自然腐蚀后形成的腐蚀物的结构、成分的ＳＥＭ ＥＤＳ分析结果及微动接触电阻的实验结果。1　暴露实验进行长期室内自然暴露的镀金样品的基底为锡磷青铜合金 (ＣＡ 5 11) ;中间层为镀镍层 ,其厚度为1 5 5 μｍ ;表面为镀金层 ,厚度分别为 0 4 8μｍ和1 5 7μｍ ;镀金接触表面的的粗糙度值在 0 1～ 0 2 μｍ之间。所有样品在丙酮溶剂中超声波清洗 30ｍｉｎ ,待其干燥后用漆包线悬挂起来在上海某公司的室内进行长期自然暴露。自然暴露时间为 2 2个月。对镀金接触表面的观察和分析分别在自然暴露 3个月 ,…     

一件赝品青铜器鉴定过程中的仪器分析佐证

对一件怀疑为赝品的青铜器进行了科学分析以佐证人为的判断。通过扫描电镜发现该器物是由颗粒状物质混合而成,不具备青铜的组织结构。X-射线衍射显示颗粒状物质主要是氧化亚铜。这些仪器分析的数据证明该件器物为赝品,说明仪器分析在文物鉴定上具有一定作用。     

加热时间对制备钠钨青铜材料的影响

利用加热法,通过改变加热时间合成了不同种类的钠钨青铜（ Nax WO3＋ x／2）材料。利用X射线衍射学和电子显微学研究确定了加热时间为4 h、10 h、30 h三种条件下的产物分别是Na2 W2 O7和Na2 W4 O13、Na2 W4 O13和WO3、WO3,发现产物中Na的相对含量随加热时间的增加而逐渐减小。研究结果为Nax WO3＋ x／2材料的制备及结构调控提供了参考。     

溶胶-凝胶生物玻璃多孔材料显微结构和生物活性的扫描电镜及红外光谱分析

本文利用溶胶．凝胶法制备了CaO-P2O5-SiO，系统生物活性玻璃，并以其为原料制备了用于骨修复及骨组织工程支架的块状生物活性材料。利用体外实验方法(invitro)结合x射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外光谱分析(FTIR)技术对不同烧结工艺制备的材料结构、晶相和生物活性的影响进行了分析研究。研究表明，经800℃和1100℃烧结5min的两种材料均有硅磷酸钙Ca5(PO4)2SjO4微晶相析出。烧结温度越高，析出微晶相的体积比例越大，材料的生物活性则越低。在模拟生理溶液中碳酸羟基磷灰石(HCA)只在烧结体中的玻璃颗粒表面形成，而在其硅磷酸钙Ca5(PO4)2SiO4微晶相表面未发现HCA形成。     

靖安油田延长组低孔低渗储层的扫描电镜研究

本文以靖安油田延长组储层为研究对象，通过扫描电镜、X射线能谱及光学显微镜、X射线衍射等，对碎屑岩储层的岩性、孔隙及成岩作用进行了分析。储层岩石类型主要为岩屑质长石砂岩和长石砂岩组成。储层孔隙类型以原生粒间孔隙和次生溶蚀孔隙为主。成岩作用有压实作用、胶结作用和溶蚀作用。压实作用和胶结作用是导致储层低孔低渗的主要原因。溶解作用所形成的次生孔隙改善了储层的性能。     

对向列相液晶反转壁中+1缺陷处挠曲电效应的理论分析

基于Pramoda Kumar等人文章中关于向列相液晶反转壁中+1缺陷处挠曲电效应的实验现象,我们利用Landau-de Gennes理论给出相应的理论分析。当对弱锚定的平行排列向列相液晶盒施加垂直基板的直流电压,在反转壁中的±1缺陷会发生旋转。对于其中的+1缺陷,我们给出了外加电场作用下液晶分子的自由能表达式并通过模拟描述指向矢的方位角和极角的变化情况给出相应的缺陷处电场驱动的结构变化。模拟结果给出的挠曲电效应引起的方位角的变化角度与Pramoda Kumar等人的实验得到的在+1缺陷处消光刷的变化情况是一致的。     

陕西省平利县朱家院碱性岩中易解石矿物学研究

利用电子探针分析,背散射形貌分析和元素面分布及定量分析等手段,对陕西省平利县朱家院碱性岩中的易解石进行了研究。结果表明:朱家院碱性岩中易解石主要有不规则粒状和细脉状两种产状,粒状易解石粒径在10~100μm,常与金红石、钠铁闪石等矿物伴生;脉状易解石切割脉状褐帘石,显示脉状易解石为后期形成。两种易解石中Nb,Ta,Ti,Ce,Nd等元素分布均均匀;稀土含量相对较高,有富轻稀土,贫重稀土的特征,其中Ce和Nd的含量高。脉状易解石中Nb,Ta含量高于粒状易解石,Ti含量低于后者;根据成分确定,脉状易解石为铌易解石,粒状易解石为易解石-铌易解石过渡型。     

A comparative analysis of the dissociation kinetics models for silane molecules on the surface at epitaxial growth, of silicon films, in vacuum

On the basis of different physicochemical models, surface concentrations of monosilane dissociation products on the surface of a silicon film are analyzed. The calculations have made it possible to estimate the crystallization factor and its dependence on temperature and gas pressure in the reactor. It is shown that the qualitative character of the temperature variations of the surface concentrations and crystallization factor depends slighty on the specific choice of the radical SiH_n that controls the time of the pyrolysis process. The general form of the investigated dependences is also slightly sensitive to the stage at which hydrogen is removed from the surface. At the same time, the quantitative characteristics of the surface concentrations substantially depend on the choice of the specific features of silane dissociation on the surface. For silicon atoms on the growth surface, the dependences of the crystallization factor on the temperature of the epitaxial process, gas pressure in the reactor, and dissociation rates for silane molecules on the surface are analyzed. It is shown that, at elevated growth temperatures, the rate of film growth is sensitive to molecule pyrolysis rate, whereas, at low growth temperatures, the filling of the surface by hydrogen is a unique factor that controls the rate of the epitaxial process.     

一种高温合金1 100 K下表面偏聚行为的AES动态原位分析

本文在改造的俄歇电子能谱仪(AES)上对一种Ni基高温合金的界面偏聚行为进行了高温下的动态原位分析实验研究.在1 100 K保温条件下,获得了S和La向材料表面偏聚的动力学数据,结果表明保温过程中S和La均向表面扩散,偏聚动力学曲线具有平衡偏聚特征.运用Ar 离子剥离技术获得成分偏聚的深度分布结果显示,S和La都只在表面的几个原子层富集.