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萜类化合物具有可观的经济价值,但是目前的生产过程复杂、产量低。酿酒酵母甲羟戊酸途径为萜类化合物的合成提供直接前体,因此酿酒酵母细胞具有合成异源萜类化合物的天然优势。对酿酒酵母甲羟戊酸途径的清晰认识是对其进行有效利用的基础,本文从代谢途径、关键酶的特点和全局调控机制3个方面对该途径进行了介绍。从代谢途径的构建和优化、模块与底盘细胞的适配、模块构建及组装方式的角度概述了酿酒酵母细胞异源合成单萜、倍半烯萜、二萜、三萜类化合物的研究进展。指出实现酿酒酵母高效合成萜类化合物所需要解决的基础问题是对酿酒酵母甲羟戊酸途径进行更为全面了解和对萜类化合物的天然代谢途径进行明确解析;另外,合成生物学的进一步发展也将为此提供应用基础。 相似文献
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明代德化瓷塑大师、瓷圣何朝宗的瓷塑艺术具有独特和永恒的艺术魅力,它达到了中国古代瓷塑艺术成就的高峰。何朝宗鬼斧神工的瓷塑艺术将宗教精神、人生哲学、审美情趣融入德化的白瓷,创造出了一件件不朽的瓷塑艺术品,他的艺术风格一直影响到数百年后的今天。现存福建泉州海交馆的何朝宗瓷塑艺术代表作品《渡海观音》,就是一尊何氏精湛的雕塑艺术语言和艺术家心目中的“世上独一无二的艺术珍品”。何朝宗的瓷塑艺术凝铸着一个时代的智慧,它将永恒的闪耀着灿烂的光辉。 相似文献
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1胶原纤维巴西Novaprom胶原纤维是以精选的牛皮内剖层(真皮)组织提取的,它不同于明胶或明胶的衍生物。它的生产是在严格控制的时间和温度范围内进行的,从而确保其主要成分──胶原蛋白的活性不变,并以天然纤维的形式存在。它在肉制品中的结构呈纤维状而不是一般的胶冻,因而这种结构是非常稳定的,是不可逆的。它是很好的功能性动物纤维蛋白,在肉制品及鱼糜制品等相关的食品中得到广泛的应用。2胶原纤维的性能及相关指标(1)蛋白质含量:胶原纤维中的动物蛋白质(M×6.25)高达98%,含有人体必需的氨基酸。(2)吸水、持水性:胶原纤维结构良好,呈矩… 相似文献
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玻璃纤维池窑拉丝生产线配合料的制备中,原料是形成优质玻璃液的基础,因此可以说配合料的稳定性、均匀性和准确性对玻璃纤维的质量起着决定的作用.生产实践证明:组分和粒度均匀的配合料,不但能强化玻璃液的熔化和澄清过程,而且还能减少或消除影响玻璃质量的各种弊病.所以认真拟定玻璃纤维原料的成分和选择玻璃纤维的种类和化学性质:严格控制进厂原料化学成分、粒度和水份;做好原料的分堆、存放、加工、称量、混合、输送是优质配合料制备不可缺少的手段,这也是做好玻璃纤维池窑配合料的基本任务. 相似文献
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1前言 随着池窑生产的发展,原有的浸润剂在快速浸润性和快速浸透性方面无法得到满足.意大利DSM公司聚酯乳液是公认的喷射纱浸润剂最好的成膜剂.本项目的目的是研制出能工业化生产的与DSM公司产品质量相当的聚酯乳液,替代进口,节约外汇,满足我国池窑发展需要,争创良好的经济社会效益. 相似文献
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击穿电压是高压陶瓷电容器最主要的技术参数,也是最难解决的技术难题。通过不同工艺的对比实验,具体研究了环氧树脂包封工艺对高压陶瓷电容器击穿电压的影响,优化了生产工艺,使得高压陶瓷电容器耐压达到了较高的水平。 相似文献
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设计了一种基于UC3843的高压放电电路,将以UC3843为核心控制元件的DC—DC升压变换器升压后的输出电压作为输入电压提供给马克思发生器,使其产生电弧放电。提出了一种基于UC3843芯片在连续工作状态下升压的解决方案,最终使马克思发生器产生几千佚的高压,达到高压放电的目的。 相似文献
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目前国内多晶硅生产中,还原炉多采用高电压击穿的方式启动,但国外多晶硅生产中多采用低电压击穿,一些进口还原炉采用了低电压启动的结构设计。现本文将以MSA还原炉为例,分析阐述满足低压启动还原炉改成高压启动条件,对炉体结构的改造方案。 相似文献
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介绍了复极式离子膜电解装置整流设备的电压值偏高的现状。分析了电压值过高带来的不良后果,指出了选择整流设备电压应注意的问题 . 相似文献
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介绍用ZN28A型高压真空断路器替代老式GG—1A型高压开关柜内的SNl0型少油断路器的改造,探讨了有关断路器和过电压保护装置的选型、操作机构的严配、主要技术参数的调试等改造过程中遇到的一些具体问题,为相关技术改造提供一些实践经验。 相似文献
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论述了一种用10kV超高压,不经过变电所降压直接为电助熔的隔离变压器供电,进行电助熔,从而降低了电助熔整套系统的造价. 相似文献
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In power devices such as Schottky Barrier Diodes or Field Effect Transistors, the breakdown voltage is linked to the design of the drift layer but also to the physical properties of the material used. Diamond, with its high critical electric field due to its large band gap, opens the way to power components able to withstand very high voltage with outstanding figures of merit. Nevertheless, a particular attention has to be paid to the design of the drift layer to take benefit of these outstanding properties. Indeed, the drift region thickness, doping level and consequently the punch through or non-punch through designs must be well designed to reach the desired breakdown value and to minimize the ON state resistance at the same time. Here, a focus on the optimization of the specific ON state resistance as function of the breakdown voltage figure of merit has been carried out, while optimizing the drift layer and calculating the specific ON state resistance of unipolar high voltage diamond power devices. Based on the ionization integral calculation with impact ionization coefficients adapted to diamond, we performed an accurate analysis to find the best punch through design of the drift layer offering the lowest ON state resistance at a given breakdown voltage value. This theoretical study has been first applied in a one dimensional approach of the breakdown voltage. An additional 2D cylindrical coordinate analysis was performed to quantify the radius effect on the breakdown voltage value, and to compare the 2D breakdown voltage with the 1D breakdown voltage, for different drift region designs. These results offer preliminary design rules to fabricate more efficient unipolar diamond power devices. At the material level, this analysis also points out that thicknesses and doping levels required to achieve such structures are quite challenging for crystal growth in the context of high voltage power devices. 相似文献