某型微波组件过电应力分析及对策

电子元器件的失效往往与其承受的电应力是紧密相关的,降低其承受的电应力可以提高其使用可靠性.通过某型微波组件过电应力来源排查,提出了在电路中增加过流保护电阻,增加产品防静电保护包装,整机测试工位加净化电源等措施,由此可以满足微波组件的使用需求,防止过电应力失效故障.     

接口电路LN4993失效机理分析

通过对接口电路ＬＮ４９９３几次现场失效及厂家筛选中失效电路的分析，并做了ＥＳＤ试验模拟试验，总结出ＬＮ４９９３几种失效模式，探讨其失效机理，发现这种ＭＮＯＳ电路ＥＳＤ损伤阈值为１５００Ｖ，电路失效多数是过电应力或静电损伤造成。     

用扫描声学显微镜进行塑封器件的封装分层分析

在塑封IC器件中，封装分层往往会产生电和封装的可靠性问题。由过电应力(EOS)和再流焊中的水汽膨胀引起的分层会显示出不同的失效模式。扫描声学显微镜可以用来检测封装分层，能在失效分析的早期阶段快速地鉴别失效原因。     

电池保护电路中MOSFET器件常见失效机理研究

受限于电子设备的内部空间,电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）。由于WLCSP的特点,电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用的分析方法与设备,结合相关的失效案例,论述了芯片开裂、芯片工艺缺陷、芯片腐蚀和过电应力这4种常见的失效机理,为MOSFET器件及其他电子元器件的失效分析和问题解决提供一定的参考。     

电源管理IC失效模式验证及定位方法

电源管理集成电路(IC)的自动测试机(ATE)测试故障主要包括连续性失效、直流参数测试失效、交流参数测试失效和功能测试失效.ATE测试适用于大规模量产的不良产品的筛选,但是将ATE测试结果直接应用于失效分析依然存在覆盖局限性问题.针对不同功能测试结果,采用了不同的失效模式验证和分析方法.综合运用I-V曲线测试仪、示波器、函数发生器等仪器进行失效模式验证;使用微光显微镜、光诱导电阻变化仪器进行缺陷的失效定位;并借助电路原理图、版图进行故障假设;分析由过电应力、静电放电损伤、封装缺陷等导致的物理损伤;最终揭示了电源管理IC功能失效的主要原因.     

存在不稳定失效现象光耦的失效分析研究

光电耦合器4N55/883B发生一例两管腿间阻值小稳定的失效,并且在进行失效分析的过程中,该失效现象消失.经过运用一系列的失效分析技术方法进行试验,并结合理论分析,最终确认了该失效案例的失效机理,明确了失效原因,得到该失效为过电应力导致器件烧毁失效的结论.采用了包括图示仪检测、X光检查、扫描电子显微镜(SEM)检查、能...     

50例微波器件失效分析结果汇总与分析

对约50例微波器件失效分析结果进行了汇总和分析,阐述了微波器件在使用中失效的主要原因、分类及其分布。汇总情况表明,由于器件本身质量和可靠性导致的失效约占80%,其余20%是使用不当造成的。在器件本身的质量和可靠性问题方面,具体失效机理有引线键合不良、芯片缺陷(包括沾污、裂片、工艺结构缺陷等)、芯片粘结、管壳缺陷、胶使用不当等;在使用不当方面,主要是静电放电(ESD)损伤和过电损伤(EOS),EOS损伤中包括输出端失配、加电顺序等操作不当引入的过电应力等。     

TVS短路失效机理分析

常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外.TVS一旦发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏,这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况.通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征.结合器件结构、材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等,采用理论分析和试验证明等方法分析导致TVS器件短路失效的原因.分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷、表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等,使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等.     

FCBGA封装集成电路在实际应用中的失效研究

FCBGA封装集成电路在实际应用中会出现多种多样的失效模式和失效机理。介绍了在FCBGA封装集成电路失效分析中常用的检测设备与技术,包括X射线检测系统、声学扫描显微镜、 OBIRCH背面定位技术和扫描电子显微镜等,并结合实际应用中的失效案例,对芯片开裂、凸点重熔、凸点开裂和过电应力4种失效机理展开了分析,为后续FCBGA封装集成电路的失效分析提供了参考方向。     

ESD与短脉冲EOS失效的微观形态分析及验证

静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等成像仪器以及芯片去层处理技术分析这两种失效机理的差别非常重要。通过实例分析这两种失效的机理及微观差别,从理论角度解释ESD和EOS的失效机理,分析这两种失效在发生背景、失效位置、损坏深度和失效路径方面的差异,同时对这两种失效进行模拟验证。这种通过失效微观形态进行研究的方法,可以实现失效机理的甄别,对于提高ESD防护等级和EOS防护能力有着重要的参考作用。