BaxSr（1—x）TiO3多层膜椭偏光谱研究

用溶胶－凝胶技术在Bi(100）衬底上制备了单层和渐变型多层的BaxSr(1-X)TiO3薄膜，其膜层组分分别为：Ba0.7Sr0.3TiO3,Ba0.8Sr0.2TiO,Ba0.9Sr0.1TiO3,BaTiO3，对生长制备出的多层BaxSr(1-X)TiO3薄膜进行了变角度椭偏光谱测量，通过椭偏光谱解谱分析研究，首次得到了BaxSr(1-X)TiO3多层膜结构不同膜层的膜厚和光学常数，其结果显示：椭偏光谱分析得到的不同膜层的膜厚与卢瑟福背向散射测量得到的结果基本相符；渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的折射率比单层BaTiO3薄膜折射率大许多，与体BaTiO3的折射率相接近，这说明渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的光学性质与体材料的光学性质接近。     

钙钛矿氧化物薄膜和异质结的外延生长与物性研究

用激光分子束外延，原子尺度控制的外延生长出多种钙钛矿氧化物薄膜和异质结．原子力显微镜和高分辨透射电镜测量结果表明，薄膜与异质结的表面和界面均达到原子尺度的光滑．制备出在可见光波段透过率大于85％的导电氧化物薄膜；物性研究结果表明，随着含氧量的不同，BaTiO3薄膜具有绝缘体、半导体和导体的不同特性。BaTiO3／SrTiO3超晶格的光学非线性效应比BaTiO3体材增大23倍．首次在La0．9Sr0．1MnO3／SrNb0．01Ti0.99O3(LSMO／SNTO)异质结上，观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制与正磁电阻效应。在255K条件下，当外加磁场分别为5和1000Oe时，LSMO／SNTO p-n结的磁电阻变化率R／RO达到：46．7％和83．4％；在外加磁场为3T时，在100K条件下，在LSMO／SNTO多层p-n异质结上观测515％的正磁电阻变化率。     

波导的溶胶-凝胶工艺

对于光学波导与导波设备、电路的制造而言，溶胶-凝胶工艺的出现不失为一种有效途径。特别是集成光学有源器件及电路中掺活性掺杂物(如钕、铒、铈)。本文回顾了基于溶胶-凝胶工艺的有源器件、电路的最新研究。对于光学放大器中的激活溶胶-凝胶薄膜的模拟分析，我们提出激光器原子磁化理论及其速率方程，适当考虑了波导参数。采用波束传播法研究激活掺杂溶胶-凝胶薄膜设备(如直线波导、丫形支管、定向耦合器)的传播及增益特性。也在研究掺铈薄膜中布拉格光栅的形成，在微电机系统(MEMS)的未来应用也在研究中，可采用溶胶-凝胶工艺形成光层．并通过机械作用加以控制。     

N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性

利用直流反应磁控溅射技术制得N-Al共掺的p型ZnO薄膜，N2O为生长气氛．利用X射线衍射（XRD），Hall实验，X射线光电子能谱（XPS）和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究．结果表明，薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量，N以N-Al键的形式存在．N-Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时，共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值，载流子浓度为2.52e17cm－3，电阻率为57.3Ω·cm，Hall迁移率为0.43cm2/(V·s)．N-Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向，在可见光区域透射率高达90%．     

C60聚氨酯胺薄膜的非线性光学特性的研究

利用Z扫描技术，分别测量了五种C60聚氨酯胺薄膜（C60含量分别为0％、0．16％、0．30％、0．42％、0．52％，厚度均为0．3mm）的非线性光学吸收系数和折射系数，并研究了该薄膜的光限幅特性。实验表明：随着样品中C60的含量由0增加到0．52％，薄膜的透射率可由70％逐渐减小到10％，且透射光功率可限制在25mJ／cm^2以下。薄膜的透射率或透射功率可以随C60含量不同而改变，即薄膜的光限幅性能可以通过调节C60含量的方式加以控制。最后，基于C60分子的五能级模型，采用激发态吸收（反饱和吸收）物理机理解释了薄膜的非线性光学特性及光限幅性能。     

掺铈钛酸额晶体光折变特性随温度的变化

掺铈钛酸额晶体光折变特性随温度的变化窦硕星，丁苡，朱镛，叶佩弦（中国科学院物理研究所北京１０００８０）本文报道掺铈钛酸钡（ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ）自泵浦位相共轭器的反射效率和响应时间随晶体温度的变化。晶体的掺铈浓度为３０ｐｐｍ，晶体的尺寸为５．３０ｘ５．...     

用高分辨电子能量损失谱方法（HR—EELS）研究铁电薄膜

本文主要利用扫描透射电镜下的高分辨电子能量损失谱方法研究BaTiO3（10nm）／SrTiO3（50nm）铁电多层薄膜和高介电Y2O3／Si（001）结构心的界面化学反应及缺陷形成。在BaTiO3／SrTiO3多膜中，选区电子衍射图像表明BaTiO3薄层的极化方向垂直于基底表面。与体材料相比，BaTiO3薄层的晶格常数在ab方向变短而沿c轴伸长，这表明了错配张力的存在。BaTiO3层的上下两界面由于错配张力的松弛而具有不同的微结构。电子能量损失谱表明，TiL23吸收边的晶体场分裂对错配张力的松弛非常敏感，     

电子束反应蒸发制备高迁移率IMO薄膜及其性能研究

研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟（In2O3：Mo,IMO）薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3：MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,光学性能呈现薄膜透过率下降的趋势。在1.0 wt.%MoO3掺杂剂含量时,获得最佳薄膜...     

Na/Mg共掺ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性研究北大核心CSCD

利用溶胶-凝胶旋转涂膜法在耐热玻璃衬底上制备了不同膜厚的Na/Mg共掺ZnO薄膜。重点研究了膜厚对Na/Mg共掺ZnO薄膜结构和光学特性的影响。扫描电子显微镜（SEM）图像和X射线衍射（XRD）图谱分析结果表明,膜厚为200~500 nm时,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性、致密性及c轴择优取向生长特性都呈现出先增强后降低的趋势。透射光谱分析结果表明,薄膜在可见光范围内的平均透光率随着膜厚的增加而显著下降。实验条件下,膜厚约为300 nm的Na/Mg共掺ZnO薄膜具有优良的结构特性和透光特性。荧光光致发光（PL）谱表明该薄膜中缺陷很少,是优良的紫外发光材料。     

Ce:Mn:LiNbO_3晶体光折变效应及应用

铌酸锂晶体非线性光学系数大,易于掺杂并能保证较高的光学质量,所以仍然是目前应用较广的光折变材料之一。本文报道铈锰双掺铌酸锂(Ce:Mn:LiNbo_3)的晶体的光折变效应及其在二波耦合和实时全息关联存储中的应用,并对实验结果进行了讨论和     

氧源的射频离化对ZnO MOCVD材料生长与性质的影响

在不同温度条件下，利用低压金属有机源化学气相沉积（LP-MOCVD）系统制备ZnO薄膜，对在氧源离化和非离化两种状态下生长的ZnO薄膜材料进行了相关的研究比较．通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、低温光致发光谱等方法研究了离化参数与生长速率、晶体质量、表面结构以及光学特性之间的相互关系，研究发现射频等离子体离化对薄膜生长速率等参数有明显的影响，通过优化相关离化实验参数可以极大的改进和提高材料的结构和光学性质．     

LD泵浦Nd:Gd:YVO_4激光器研究

掺钕离子的钒酸钇晶体（Nd：YVO4）是适合于激光二极管（LD）泵浦较为理想的固体增益介质之一．但Nd3 离子半径大（0．1109nm），Y3 离子半径小（0．1019nm），在生长过程中用Nd3 取代Y3 离子时，将引起YVO4正方晶格畸变趋向，导致晶体中出现结构应力，出现小角晶界缺陷，从而降低晶体生长的成品率．若在生长过程中同时掺入离子半径较小的Gd3 离子得到掺钕离子的钒酸轧钇晶体（Nd：Gd：YVO4），则可以缓和晶格畸变的趋向，克服小角晶界问题，而大大提高晶体的光学质量和成品率，并且由测得的吸收谱和荧光发射谱可以看出Gd离子的掺入…     

掺Al对ZnO薄膜发光性能的调控作用

采用溶胶-凝胶法，在玻璃上制备了不同掺Al浓度的ZnO薄膜。x射线衍射（XRD）结果表明，所制备的薄膜具有c轴择优取向，随着掺Al浓度的增加，（002）峰向低角移动，峰强逐渐减弱。探讨了掺Al对ZnO薄膜发光性能的调控作用，薄膜的透射谱表明：通过改变掺Al浓度，可以提高ZnO薄膜的紫外光透过率，使其吸收边向短波长方向的移动被控制在一定的范围内，从而使薄膜禁带宽度连续可凋；薄膜的光致发光（PL）谱显示：纯ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光和深能级缺陷发光组成，通过掺Al有助于减少薄膜的缺陷，减弱深能级的缺陷发光，同时紫外带边发射的峰位向高能侧蓝移，与吸收边缘移动的结果相吻合，由紫外发光峰位获得的光禁带与通过透射谱拟合得到的光禁带基本一致。     

Co/BaTiO3纳米复合薄膜的PLD法制备及其Raman光谱

采用脉冲激光气相沉积（PLD）技术在MgO（100）衬底上生长了Co/BaTiO₃纳米复合薄膜,利用原子力显微镜、透射电镜、X射线衍射（XRD）及Raman光谱等测试分析手段对Co/BaTiO₃纳米复合薄膜进行测试分析。结果表明：薄膜表面均匀、致密,具有原子尺度的光滑性;Co纳米晶粒呈单分散、均匀分散在沿C轴呈单取向生长的BaTiO3单晶基体中;随着掺杂Co含量的增高,BaTiO3的Raman峰的峰强随之增大。     

化学气相沉积光学级金刚石薄膜的研究进展

化学气相沉积（CVD））金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视，关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能，着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论，并对今后的研究作了展望。     

溶胶-凝胶法制备掺镉ZnO薄膜及光学禁带研究

主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋转涂覆法,在Si(100)上生长掺镉ZnO薄膜,对薄膜的XRD分析表明,掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,并沿c轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数:退火温度为800℃,x(Cd)=6%~8%;以普通玻璃为基片的透射光谱表明掺镉ZnO薄膜的禁带宽度约为3.22 eV,比纯ZnO晶体禁带宽度3.30 eV明显减小,适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。     

新型掺Bi的YIG磁光薄膜

对用于磁光法拉第旋转器件的掺Ｂｉ的ＹＩＧ薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（ＹｂＴｂＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２是采用液相外延技术在ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ晶片的（１１１）方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝１．３１μｍ和λ＝１．５５μｍ时，插损分别为０．３ｄＢ和０．２ｄＢ，法拉第旋转角分别为２４００°／ｃｍ和１６００°／ｃｍ的薄膜，经抛光至２９０μｍ的厚度，法拉     

掺磷a—Si：H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究

用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料，对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明，掺磷a-Si：H薄膜的电阻率随磷掺杂比（PH3/SiH4）的增大和气体温度的升高而降低，但随退火温度的升高而增大，掺磷a-Si：H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大，但随环境温度的升高而降低。     

BaTiO_3∶Ce桥式互泵浦相位共轭镜的研究

本文首次用两台He-Ne激光器在光折变晶体BaTiO3：Ce中实现了桥式工系浦位共轭，并实验确定了工系渝光的最佳人射角度。对BaTiO3:Ce桥式互泵辅相位共轭镜的形成机理作了分析，并对实验的结果和现象进行了讨论．     

掺氟石英光纤的耐辐照特性

为了制作在宽波长范围内具有优良耐辐照特性的光纤，我们对掺氟石英光纤（而不是纯石英光纤）进行了研究，同时还研究了掺Ｈ２对掺氟光纤的作用，研究结果表明，掺氟能使光纤有用的波长区明显扩大；给掺氟光纤掺Ｈ２可以大大提高这些光纤的耐辐照特性。