相变存储器驱动电路的设计与实现

介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成.该结构用于16Kb以及1 Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的0.18μm标准CMOS工艺实现.该驱动电路通过Hspice仿真,表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度,取得了良好的仿真结果,在16 Kb相变存储器芯片测试中,进一步验证了以上仿真结果.     

基于点对点架构TCON的研究与设计

随着NS以及三星公司发布新一代液晶显示器驱动接口标准,第三代接口将开始取代RSDS接口。对新一代基于点对点架构的PPDS以及WiseBus技术进行了研究,并利用FPGA设计了一种基于点对点架构的TCON芯片。仿真测试和硬件测试结果表明,该TCON系统实现点对点的驱动方式。     

基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流扣电压脉冲编程的写驱动电路.针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波.设计采用SMIC 130 nm CMOS标准工艺库.对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率.     

GaN HEMT栅驱动技术研究进展

GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片架构各自的关键实现技术研究现状进行了综述。同时介绍了GaN基单片集成功率IC的发展状况,对栅驱动芯片的实现技术进行了总结。     

一种1kb相变存储芯片的设计

以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1 kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片.该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能.测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达...     

基于氧化钨的8 Mb高密度阻变存储器设计

设计了一款基于氧化钨的8Mb高密度阻变存储器,采用单晶体管开关、单电阻(1T1R)的存储器单元结构,设计了完整的存储单元、行列译码器、写驱动和灵敏放大器等关键模块。存储器芯片采用HHNEC 0.13μm 1P8M CMOS工艺流片。仿真结果表明,在8F2的高密度存储单元面积下,该存储器可实现准确的数据写入和读出功能。     

一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130 nm标准CMOS工艺将其与128 kb的相变存储器实验芯片集成.相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15 kΩ左右降至7 kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升...     

用于LED驱动芯片的高低边电流检测电路

本文介绍了一种适用于大功率LED驱动芯片的高低边电流检测电路.该检测电路可以根据实际应用系统不同实现高低边检测电路的自动切换,不需要额外设置,并且采用该电流检测电路的LED驱动芯片能支持升压、降压以及升-降压等多种拓扑结构的应用,为LED驱动芯片提供更广阔的应用市场.芯片采用CSMC 0.6μm 60VBCD工艺实现,测试结果显示当基准电压VREF为1.217V时,LED电流为371.3mA,采样比例与设计的基本一致,从而验证了该高低边电流检测电路的可行性.     

无刷直流电动机功率驱动电路设计

介绍IR2130功率MOSFET驱动器的特点,设计基于功率MOSFET和栅极驱动芯片IR2130的无刷直流电动机功率驱动电路,通过对驱动电路自举元件的合理选择以及寄生效应的正确分析和处理,实现无刷直流电机的电子换向和高效驱动,具有结构简单,工作稳定,保护可靠等优点.另外IR2130驱动芯片内置死区电路,以及过流保护和欠压保护等功能,大大降低了电路设计的复杂度,提高了系统的可靠性.     

一种96×64彩色OLED显示驱动电路的设计

OLED是一种新型平板显示器件,文章设计了一种应用于96×64彩色PM-OLED的显示驱动芯片。该芯片能实现256级对比度调节和65k色彩显示。芯片为高压、大电流的数模混合电路,内部包括数字控制电路,片内SRAM,片内振荡器,DC-DC升压电路,行驱动电路,高压基准电流源电路,以及电流精确可调的列驱动电路。该芯片是一种电流驱动型电路,列驱动电路采用PAM方式实现灰度调制,以及大电流预充的方式对PM-OLED屏幕像素进行预充。全芯片已通过Nanosim仿真,并进行了部分测试。仿真和测试结果验证了设计的正确性。     

存内计算芯片研究进展及应用

随着数据快速增长,冯诺依曼架构内存墙成为计算性能进一步提升的关键瓶颈。新型存算一体架构(包括存内计算(IMC)架构与近存计算(NMC)架构),有望打破冯诺依曼架构瓶颈,大幅提高算力和能效。该文介绍了存算一体芯片的发展历程、研究现状以及基于各类存储器介质(如传统存储器DRAM, SRAM和Flash和新型非易失性存储器ReRAM, PCM, MRAM, FeFET等)的存内计算基本原理、优势与面临的问题。然后,以知存科技WTM2101量产芯片为例,重点介绍了存算一体芯片的电路结构与应用现状。最后,分析了存算一体芯片未来的发展前景与面临的挑战。     

谈英飞凌1ED020I12在IGBT驱动电路中的应用

介绍英飞凌磁隔离驱动芯片1ED020I12的基本组成及主要特性;详细描述了1ED020I12在IGBT驱动电路中的工作过程及其设计要点,并指出IGBT驱动电路设计过程中需要注意的问题及解决方法。     

单片集成TFT-LCD驱动芯片的设计验证策略

混合信号VLSI芯片的单片特性验证是此类芯片的设计难题之一.针对典型的混合信号VLSI芯片--单片集成薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片,设计了一种能够直观模拟液晶显示的系统级验证平台,并利用此验证平台验证了系统架构的正确性.还针对此芯片的设计特点,结合系统验证平台为整个设计流程的各个阶段提出了不同的验证策略.通过对这些策略的配合使用,对芯片特性进行了全面验证,包括模块级验证、芯片级验证以及物理验证.该验证策略具有高效、直观、可靠等特点.     

基于FPGA的FLASH存储器三温功能测试系统设计

由于大容量FLASH存储器全地址功能测试时间较长,在自动化测试设备（ATE）上进行高低温测试时,长时间使用热流罩会导致测试设备运行异常。为把存储器测试过程中耗时最长的全地址功能测试部分从ATE机台上分离出来,设计一个基于FPGA的驱动板卡,结合MSCAN和Checkerboard算法实现了对被测芯片激励信号的施加;然后,设计一个12工位的驱动板卡,实现了在三温条件下的多芯片同步测试;接着,设计一个基于Qt的上位机软件,实现了对测试结果的实时显示与存储;最后,对2 GB大容量FLASH存储器进行测试验证。测试结果表明,与传统的ATE测试相比,基于驱动板和工位板的测试系统可实现对大容量FLASH的全地址功能的高低温测试,且工位板具有的高可扩展性可实现多芯片的同步测试,大幅提高了测试效率。     

高压、高效率白光LED驱动电路的研究与设计

设计了一种高效率的高输入电压,恒定电流输出的白光LED驱动芯片.采用高压工艺,以脉宽调制(PWM)峰值电流的控制方式,实现了宽范围电压输入、恒定电流输出的LED驱动芯片的设计.内部集成了带隙电压基准源,产生0.25V的参考电压.芯片设计采用了高压横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDDMOS),设计了电压预调整电路,实现了输入电压范围在85V-400V间变化,输出电流在1毫安到1安培间设定.芯片仿真结果显示电能转换效率最高可达90%以上.     

压接型IGBT内部栅极电压一致性影响因素及调控方法

压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流.结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB的一体化电路模型,分析了栅极内电阻、栅射极电容以及驱动电阻对驱动电压一致性的影响.在此基础上提出了驱动PCB电感匹配、并联芯片数匹配以及集中电阻补偿的驱动PCB的调控方法,以实现对栅极电压一致性的有效调控.研究表明驱动电阻是造成芯片栅极电压不一致的主要因素.利用上述调控方法可将芯片开通时间的不均衡度由79.2％分别降低至2.86％、7.1％和7.5％,实验验证了所提出的驱动PCB调控方法的有效性.     

A 64-Step Gray Scale Driver Chip for a 132×64-Pixel Passive Matrix OLED

设计出了一种实现64级灰度显示的单片混合信号驱动芯片，它采用脉冲宽度调制方法和两级电压预充方式，适用于驱动132×64像素的无源OLED显示屏. 芯片内部主要包括数字控制器，显示数据存取器，DC-DC电压转换器，参考电流产生器，电压预充电路产生器，64个行驱动电路和132个列驱动电路. 它已经用Chartered 0.35μm 18V高压CMOS工艺制作完成，芯片面积约为10mm×2mm. 测试结果表明芯片性能良好，在电源低压为3V，高压为12V，显示电流为100mA并处于最高级灰度显示的条件下，芯片与面板的总功耗为294mW.     

基于PT6311+MCU的键扫描与VFD显示的编程实现

作为VFD显示控制及驱动器芯片,PT6311的核心功能仍然是实现VFD显示控制与驱动.芯片的硬件结构主要由扫描信号发生器、串行通信接口、控制模块、显示存储器、按键扫描值寄存器、通用输入寄存器、LED驱动器、VFD段/位驱动器等构成.PT6311内部电路原理框图如图1所示.     

数字调光PWM升压LED驱动芯片设计

设计了一款同步整流脉冲宽度调制(PWM)型升压DC-DC转换芯片,用于手机背光灯的白光发光二极管(LED)恒流驱动.芯片采用1MHz高频开关频率,以便可以使用小型外部元件.芯片集成了输入串行数字接口和5位数模转换器电路,通过数字步长调整反馈电压实现数字调光功能.基于UMC 0.6μm BCD工艺,Hspice仿真结果表明,芯片在输入工作电压2.7~6V范围内能被升压到驱动5个串联LED,在10~40mA驱动电流范围内电源转换效率可达80%以上,能实现32级数字亮度调节.     

基于XCR3032的大容量FLASH存储器接口设计

提出一种使用Xilinx公司生产的低功耗CPLD芯片XCR3032来实现微控制器与大容量FLASH存储器相接口的方法。文中在介XCR3032 CPLD和FLASH存储器K9K1G08UOM的基础上，给出了接口电路、工作原理和Verilog HDL实现方法。