电流模式与电压模式电路探析

电流模式电路在现代电子电路中应用十分广泛.电流模式与电压模式电路的识别和分析是教学难点之所在.本文从阻抗的观点出发,应用比较法分析两种模式电路的本质和工作原理、并给出了两者的区别和联系.这种分析方法可以帮助学生深刻掌握两种电路的特点,对学会应用电路和独立设计电路均有一定的指导作用.     

电流／电压转换电路在电力系统测量中的应用

详细介绍电流转换为电压（1-V）的电路测量原理及减小误差的方法，并给出流压转换电路在电力系统测量中的具体应用电路图。     

晶体管厄利电压对功放电路静态电流影响实例分析

通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件(即增加基区结深),使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。     

基于电压阀和电流阀模型的晶体管放大电路分析

依据已经提出的电压阀和电流阀两种非线性电路模型以及由电压阀和电流阀构造出的晶体管模型,进一步对各种晶体管放大电路进行了非线性模型等效,并在等效的模型电路基础上,研究晶体管放大电路的静态工作点计算方法、动态参数计算方法.该方法具有电路直观、概念清晰、分析计算准确等特点,而且能够判断出晶体管是否截止或饱和、动态工作范围大小等.     

一种高线性度电压电流转换电路的设计与实现

介绍了利用CSMC 0.6μm CMOS工艺实现的、应用于电流模逻辑电路中的高线性度电压电流转换(VTC)电路。该电路采用了高增益两级运算放大器,以及工作在弱反型区的MOS管电压电流呈指数律关系实现的PTAT基准电流源。详细分析了电阻与运算放大器的非线性影响因素。测试结果表明,输出的总谐波失真为0.0002%,输入动态范围为0～2.6V,输出电流为50～426μA,PTAT基准电流源对电源变化的灵敏度为0.0217。芯片采用5V供电,功耗约为1.3mW,芯片面积为0.112mm2。     

“电路理论”课堂教学探讨

本文结合具体实例对电路理论课堂教学过程中的几个重点问题,即电压和电流关联与非关联参考方向、等效的概念及等效变换、受控电源的处理及正弦稳态电路的相量分析等问题做了详细的分析,并总结了便于学生学习和理解的教学思路,为电路理论的教学提供了有益的建议。     

A CMOS Voltage to Current Converter for Low Voltage Applications

This correspondence introduces two circuit ideas which are applied to the design of a voltage to current converter circuit for application in analog CMOS circuits. The ideas are aimed at achieving an output current which is set by a precision reference voltage and achieving a high output impedance without the use of a cascode connection. The resulting circuit achieves a fast settling time and requires a minimum bias headroom voltage, making it suitable for use in low voltage battery-powered designs.     

一种新型无运放CMOS带隙基准电路

介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.18μm标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真。采用2.5V电源电压,在-40℃～125℃温度范围的温度系数为6.73×10-6/℃,电源抑制比为54.8dB,功耗仅有0.25mW。     

工作于亚阈值区的偏置基准电路-峰值电流镜

介绍了一种芯片内部的自偏置电流基准电路。此电路采用工作于亚阈值区的峰值电流镜，构成自偏置电路，具有非常高的电源抑制比和温度稳定性，非常适合现代低电压低功耗的应用，而且非常适合当今的IC工艺。     

浅谈“电路理论”课程教学中的体会

＂电路理论＂课程是电气信息类专业的一门主干技术基础课。笔者根据多年的教学实践,对目前教学过程中学生反映出来的一些问题做了一些研究。教学过程中,加强基础教学,强化工程概念,并引入案例教学和问题教学法,有效地提高了教学质量,不仅为后续专业课程的学习奠定良好的理论基础,而且有助于提高学生分析问题和解决问题的综合能力。教学结果显示,采用该授课方法,强化了学生的工程概念并提高了学生的学习兴趣。     

ESD发生器开路电压和电流波形校准方法探讨

许多标准对系统级静电放电发生器的静电放电电流波形的校准设备和方法都有详细的要求,使得静电放电电流波形的校准有据可依,但国内外新老标准的要求不同,也会产生较大的误差。对于静电放电发生器的＂开路电压＂,所有标准中都有准确度的要求,但没有对设备和方法进行规定。而不同的校准方法,其测试结果的偏差很大。系统地分析了静电放电发生器＂开路电压＂和放电电流波形的校准方法。     

电路课程中含受控源电路教学的探讨

含受控源的电路在“电路”课程教学中既是难点又是重点。本文根据该课程的实际教学经验总结了含受控源电路的分析方法——基本分析方法（支路法、回路法、节点法和戴维南定理）和受控源等效变换法（受控源等效为电阻或电压源与电阻的串联组合）,结合一些具体实例对每一种方法做了详细的分析,总结了含受控源电路的教学特点,并对这两种分析法进行了比较,为含受控源电路的教学提供了有益的建议。     

一种新型偏置电路的CMOS亚阈型电压基准源

文章设计了一种工作在亚闽值状态下的CMOS电压基准源,分析了MOSFET工作在亚闽区的电压和电流限定条件。电压基准源可提供与工艺基本无关近似零温度系数的基准电压。为了提高电路的电源抑制比,该电路采用了共源共栅电流镜结构。该结构采用了一种新型的偏置电路．使得电流镜各级联管均工作在饱和区边缘而不脱离饱和区,提高输出电压摆幅,得到有较高恒流特性的基准电流。该电路采用0,6μmCMOS工艺,通过Spectra仿真,可工作在2V电压下,输出基准电压1.4V,温度系数为17×10^-6（V／℃）。     

一种新型基准电流源电路设计

模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2 V CMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2 V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。     

电流叠加型CMOS基准电压源

介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。