实用化28层陶瓷基板的设计与制作

针对 MCM技术发展的现状提出了采用新型技术设计制作超多层陶瓷基板的设计方法和工艺路线。介绍了多层布线软件的二次开发及制备过程中的互连孔冲制、复合孔化、高精度层压等技术 ,并对 2 5～ 45层的超多层陶瓷基板的研究结果进行了总结和应用前景展望。     

MCM多层共烧陶瓷基板技术的研究进展

本文介绍了MCM中的高温共烧陶瓷与低温共烧陶瓷基板技术,以及共烧陶瓷基板技术的研究进展情况。讨论了多层共烧陶瓷基板的关键工艺,比较了HTCC和LTCC的工艺。并对多层共烧陶瓷基板的发展进行了展望。     

基于高温共烧陶瓷基板的三维互连技术

基于高温共烧陶瓷技术的多层基板是实现组件小型化、轻量化、高可靠的有效手段。文中研究了基于HTCC技术的多层基板三维立体互连结构,包括基板内垂直转换及基板间立体互连。通过仿真优化设计,实测结果表明,文中所设计的多种结构能够有效地应用于组件三维互连中。     

共烧多层陶瓷基板制造技术

本文对共烧多层陶瓷基板制造技术作了较为全面的探讨，详细分析和研究了它的工艺物性和材料系统特性。在分析和研究过程中用大量的数据和实例说明共烧多层陶瓷基板技术在微组装领域具有强大的生命力。事实表明，共烧多层陶瓷基板制造技术在未来的微电子封装技术中将发挥重要作用。     

高速多功能信号处理MCM的设计与制作

以一款T/R组件中的实用控制电路为对象,研究了基于多层陶瓷电路基板的MCM结构设计.针对高速信号的MCM多层基板布线技术及多层陶瓷基板的制作技术,研制出具有高速电路性能的实用化MCM组件,其体积和重量大幅度减少,基板层数达到12层,最小线宽/线间距0.2mm,组装密度57%.     

多层陶瓷基板制造新技术

采用CuO浆料为布线导体材料是制造多层陶瓷基板的新技术。应用该技术不仅能彻底除去浆料中的有机粘结剂,而且容易控制各工序中的气氛。制成的Cu多层陶瓷基板性能非常良好,特别适合高速电路等的高密度化应用。制造成本低,有利于批量生产和推广应用。本文概述了CuO多层陶瓷基板材料及其制造技术,分析了各工艺对基板性能的影响,确定出了最佳技术条件。该技术的开发成功,极大地促进了各种电子装置的高密度、超小型化。     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

低温共烧多层陶瓷基板实用化技术研究

在第五代电子组装技术中,低温共烧陶瓷多层基板(LTCC)由于具有高密度布线、高信号传输速度、低损耗和高可靠性,在国内外受到极大重视。自八十年代以来,日、美很多公司做了大量研究工作,开发出这种高技术电路基板,并试制出多芯片组件(MCM),在先进的航天、航空电子设备和复杂的通信机、计算机中得到应用。目前,我国已基本形成一条低温共烧多层陶瓷基板研制线。本文根据电子部43所的研究成果和现有工艺装备,介绍低温共烧多层陶瓷基板的应用情况。     

沸合多层基板技术及其应用

混合多层基板是混合型多芯片组件的关键组成部分,而混合型多芯片组件是一种高级类型的多芯片组件,具有优良的性能／价格比。本文阐述了混合多层基板的类型和特点,并重点介绍共烧陶瓷－薄膜型混合多层基板的设计考虑和设计规范、关键工艺技术及其应用概况。     

TCLL多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制造多层微波互连基板,可以研制出高密度的T/R组件.讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点.     

LTCC多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷 (LTCC)技术制造多层微波互连基板 ,可以研制出高密度的T/R组件。讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术 ,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点。     

低温烧成多层陶瓷基板

低温烧成多层陶瓷基板被作为第五代电子元件组装用基板而受到极大重视。本文概述了该基板的开发情况,介绍了它的制造技术,扼要分析了这种基板的主要性能,简述了基板的应用情况。实践表明,要制成性能优异的基板,除了选择合适的材料,采用先进的工艺技术和进行严格操作外,还要解决多层基板高密度、高强度、高绝缘、降低膨胀系数以及控制收缩等许多技术问题。     

陶瓷多层布线基板的高密度封装

系统的高密度封装或在功能块化方面的进展,都使高性能的小型多层电路基板成为迫切需要的了。作为半导体器件直接装配的多层电路基板,由其性能特点陶瓷多层布线基板引起重视。关于陶瓷多层布线基板的制造方法,特长以及应用方法阐述如下:     

毫米波系统级封装中的基板功能化实现

阐述了毫米波系统级封装（SOP）架构中基板功能化的概念、作用及实现方法。提出了利用低温共烧陶瓷（LTCC）技术,在SOP多层陶瓷基板中一体化集成多种无源电路单元,使封装基板在作为表面贴装有源芯片载体的同时,自身具备相应的无源射频功能。最终通过设计实例的仿真、加工及测试对比,验证了在SOP架构下实现封装基板功能化的可行性,及其所具有的良好的射频滤波、层间信号互联、射频接口过渡等电气性能。     

毫米波系统级封装中的基板功能化实现

阐述了毫米波系统级封装( SOP)架构中基板功能化的概念、作用及实现方法。提出了利用低温共烧陶瓷( LTCC)技术,在SOP多层陶瓷基板中一体化集成多种无源电路单元,使封装基板在作为表面贴装有源芯片载体的同时,自身具备相应的无源射频功能。最终通过设计实例的仿真、加工及测试对比,验证了在SOP架构下实现封装基板功能化的可行性,及其所具有的良好的射频滤波、层间信号互联、射频接口过渡等电气性能。     

超大规模集成电路和微组装技术

本文研究了在多层陶瓷基板上利用硅作为衬底的硅-硅包装技术。这种硅-硅和多层陶瓷基板的微组装技术,可以消除IC芯片与衬底之间的热失配。同时可充分利用硅IC技术进一步细线化。随着ASIC、BiCMOS、VLSIC的迅速发展,将使今后的封装及微组装向多腿及小问距方向发展。     

陶瓷基板研究现状及新进展

近年来,电力机车、电动汽车和微波通信等行业发展迅速,系统所用的电子器件具有大功率、小尺寸、高集成和高频率等特点.为满足电子器件散热、密封和信号传输优良的需求,陶瓷基板以较高的热导率、与半导体材料相匹配的热膨胀系数、致密的结构和较高的机械强度等特性得到广泛的应用.首先综述了不同陶瓷基板材料的性能、发展历史和新进展,分析了各自的优缺点;然后综述了陶瓷基板的制备工艺,对多层共烧陶瓷技术进行了详细介绍,并简述了陶瓷基板的应用;最后指出了陶瓷基板的研究方向和面临的挑战.     

低烧基板的流延料浆配制及流延工艺研究

陶瓷材料的成膜技术是制造低温共烧多层陶瓷基板的关键技术之一，本文介绍了低温共烧（８００－９００℃），低介电常数（ε〈５）多层陶瓷基板中，流延料浆的配制及最佳流延工艺参数的研究。     

基于LTCC基板的多联收发模块

本文介绍了一种基于低温共烧陶瓷（LTCC）多层基板技术的多联收发模块的原理及其设计方法，指出这种多联收发模块与单通道T／R组件相比，更有利于雷达系统集成，有助于减小雷达的体积和重量，提高系统可靠性。给出了双联收发模块设计实例，证明了基于LTCC基板多联收发模块的可实现性。     

LTCC圆极化双层微带阵列天线的设计

利用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制作以陶瓷作为基板的双层圆极化微带阵列天线。传统设计中,使用柔性基板制作多层寄生微带阵列天线,由于加工精度及基板之间空气层的原因,阵列天线的圆极化特性以及阻抗匹配与仿真结果相差较大。该文采用低损耗高频陶瓷材料设计了应用于X波段的16单元双层圆极化微带阵列天线。通过实际测试,16单元阵列天线具有较好的带宽和圆极化特性,从而验证了LTCC技术可以很好地应用于微带阵列天线的研制。