SSD的现状及发展前景

半导体硬盘SSD(固态硬盘)由NAND闪存、NAND控制器以及用作缓冲存储器的DRAM所构成(见图1)。在SSD中,坏块管理、纠错编码(ECC)及单元调整等处理都由NAND控制器的闪存转换层(FTL)来执行。SSD的性能不仅取决于NAND闪存的性能,而且在很大程度上还会受到NAND控制器算法的影响。因此,在优化NAND控制器的设计时,需要考虑到NAND闪存的特性。本文将基于NAND闪存的器件技术及电路技术,以NAND控制器技术为中心,论述SSD技术的现状和今后的挑战等。     

英特尔发布采用25nm制程第三代固态硬盘

英特尔公司宣布推出用户期盼已久的第三代固态硬盘（SSD）产品——英特尔固态硬盘320系列（Intel SSD 320 Series）。基于行业领先的25nm制程NAND闪存,英特尔固态硬盘320系列构建于高性能的英特尔X25-MSATA固态硬盘的基础之上,并成为了它的继任者。由于该系列产品充分利用了25nm制程技术的成本优势．     

美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit,可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。     

英特尔发布面向数据中心的全新SATA固态硬盘

英特尔宣布推出最新固态硬盘（SSD）产品—固态硬盘710系列。这是一款面向数据中心的专用多层单元（Multi-Level Cell,MLC）固态硬盘,它将取代英特尔X25-E Extreme固态硬盘。英特尔X25-E固态硬盘基于更昂贵但高度可靠的单层单元（SLC）NAND闪存技术.     

20nm制程技术：新纳米制程技术

英特尔公司和美光科技公司针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其他数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

英特尔携手美光推出业内最小、最先进的20nmNAND闪存工艺技术

英特尔公司和美光科技针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm工艺技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘{SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其它数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

Single Chip固态硬盘

Single Chip固态硬盘eSSD系列是通过多芯片封装技术（MCP）,把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型闪存一芯化的Serial ATA（SATA）3Gbps SSD。     

英特尔发布第三代固态硬盘320系列

英特尔公司宣布推出用户期盼已久的第三代固态硬盘(SSD)产品——英特尔固态硬盘320系列)。基于行业领先的25纳米制程NAND闪存,英特尔固态硬盘320系列构建于高性能的英特尔X25-M SATA固态硬盘的基础之上,并成为了它的继任者。这款全新产品不但具备更强大的性能和独一无二的可靠性优势,还提供了多种更高存储容量的选择。此外,由     

英特尔宣布推出业界首款34nmNAND高速缓存固态硬盘机

英特尔公司固态硬盘机（Solid State Drive,SSD）产品已迈入采用更先进之34nm制程技术的阶段,这些以NAND为基础的SSD可取代传统计算机硬盘机。对于个人计算机和笔记本电脑的制造厂商和消费者而言,采用34nm制程技术可缩小芯片尺寸并提升工程设计技术,使固态硬盘机的价格可调降至高达60%。     

三星将推512GB高速固态硬盘

据悉,三星即将发售一款新型高速固态硬盘（SSD）,容量为512GB。三星表示,新型固态硬盘能够在不增加能耗的前提下。三星称新开发的技术为“触发模式DDRNAND”。NAND技术是闪存的代名词,广泛用于苹果iPhone等高端智能手机。