铝基复合材料基底镀厚膜TiN的附着力研究

利用直流磁过滤多弧离子镀技术在铝基复合材料基片上镀制大于25μm的TiN厚膜.对厚膜TiN的附着力及其与各种工艺条件的关系.采用扫描电镜对厚膜TiN的微观结构及划痕形貌进行了分析.研究结果表明:基片的清洗、基片的温度、孤电流、脉冲偏压和镀层界面组织结构等都影响厚膜TiN的附着力;弧电流为70A、脉冲偏压为100V、占空比为70%、温度为200℃时,厚膜TiN的临界载荷达到4.5kg/mm~2,远大于指标要求4kg/mm~2;镀层界面的融合有利于提高厚膜TiN的附着力.     

211相掺杂YBa_2Cu_3O_(7-б)超导厚膜的制做

研制了一种在Al_2O_3多晶基片上制做YBa_2Cu_3O_（7-δ）超导厚膜的工艺方法。将摩尔分数为20%的211相掺杂样品,在外磁场为0,温度为82K的条件下测量,其临界电流密度达4.2×10~3A/cm~2。     

不锈钢基片厚膜电热元件及其应用

不锈钢基片厚膜电热元件（简称厚膜电热元件）可广泛应用在科研教学仪器、各类工业、商业与家用电器电加热等领域。本文介绍了不锈钢基片厚膜电热元件材料选择、设计方法、效能分析和产品应用。     

玻璃基底上NiTi薄膜制备及特性

研究了真空蒸镀制备的玻璃基底上的ＮｉＴｉ薄膜的特性，并进行了成分分析、Ｘ射线衍射分析、电阻经时变化及电阻－温度特性测定。结果表明：真空蒸镀所得的ＮｉＴｉ膜中Ｔｉ的物质的量分数比蒸发源镀材降低约０．０７；基底温度低于３５０℃时，ＮｉＴｉ膜的电阻－温度曲线呈线性变化；采用镀后热处理，可使ＮｉＴｉ膜晶化，且出现Ｒ相变。同时，ＮｉＴｉ膜相变温度、相变量，电阻经时变化特性与基底温度及热处理工艺有关。     

纳米粒子TiO2/Ti膜的制备及其光催化活性

以钛酸四丁酯为原料，利用溶胶－凝胶方法制备了纳米粒子TiO2/Ti膜。TG－DTA、XRD、TEM和SEM的测试表明：纳米粒子经历了无定型向锐钛矿和锐钛矿向金红石相转变两个过程，而焙烧温度为600℃时，TiO2纳米粒子具有与国际商品P－25型TiO2粒子相类似的组成、结构、形貌和粒子尺寸。考虑TiO2粒子性质及与基体Ti片的结合能力，焙烧温度对基体Ti片的影响和纳米粒子TiO2/Ti膜表面形貌等因素，确定600℃是制备纳米粒子TiO2/Ti膜光催化剂的最合适的焙烧温度。另外，以光催化降解苯酚为模型反应，考察了焙烧温度对纳米粒子TiO2/Ti膜催化活性的影响，并初步地探讨了光催化降解苯酚反应的动力学。结果表明，600℃焙烧的TiO2纳米粒子膜具有最高的光催化活性，而光催化降解反应为准一级动力学反应。     

磁控溅射头罩镀膜膜厚分布模拟

尽管有很多模模型对平面磁控溅射膜厚分布进行了模拟，但对大面积如半球形的头罩膜厚分布的模拟则没有涉及。本根据磁控溅射球冠形基片上膜厚分布规律出发，分析了几个可能实际头罩均匀镀膜的模型，并对不同的模型进行了计算机模拟，找出了实现头置均匀镀膜的最佳方式，并得到了实际验证。     

基片温度对金刚石厚膜生长的影响

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备了ф60 mm的金刚石厚膜,通过对沉积过程和结果的观察发现,由于所用沉积气压较高,基片不同区域温度不均匀,导致不同区域沉积的金刚石厚膜晶型差距较大.通过对不同区域的结果进行比较,发现850℃为较好的沉积温度,并在对沉积工艺进行优化后,采用该温度在ф60mm的基片上制备了厚度为0.6 mm取向性很好的金刚石厚膜.     

基片温度对金刚石厚膜生长的影响

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法制备了Ф60mm的金刚石厚膜,通过对沉积过程和结果的观察发现,由于所用沉积气压较高,基片不同区域温度不均匀,导致不同区域沉积的金刚石厚膜晶型差距较大．通过对不同区域的结果进行比较,发现850℃为较好的沉积温度,并在对沉积工艺进行优化后,采用该温度在Ф60mm的基片上制备了厚度为0．6mm取向性很好的金刚石厚膜．     

YAG:Ce~(3+)玻璃陶瓷白光LED的发光特性

用化学共沉淀法制备掺铈钇铝石榴石(YAG:Ce3+)前驱体,以B2O3-Al2O3-SiO2-Na2O为玻璃基质制作Ce3+掺杂YAG玻璃陶瓷,并封装成玻璃陶瓷白光发光二极管(LED)。改变玻璃陶瓷基片厚度和外形,测量玻璃陶瓷白光LED的光电色参数,并与常规涂敷YAG荧光粉方法制作的白光LED进行对照比较。结果表明,玻璃陶瓷白光LED发射光谱波形与普通白光LED光谱基本一致。玻璃陶瓷基片从0.50mm变化到0.90mm厚时,相关色温(CCT)从4 182 K增加到8862K。0.60mm厚平板玻璃陶瓷基片封装成的白光LED荧光能量转换效率约为20%,中心CCT为6396K,-85°和+85°视角CCT分别为5921K和5898K;而平凸玻璃陶瓷基片封装成的白光LED,-85°和+85°视角CCT变化范围可控制在150K范围内。     

电子回旋共振反应溅射制备ZnO膜的特性

ZnO薄膜可以具有压电性和透光导电性两种不同性质,取决制备中的不同沉积条件。本文介绍采用微波电子回旋共振（ECR）等离子体反应溅射制备ZnO薄膜的实验装置和方法。在氢气流量是4cm3／s,氧气流量是15cm3／s,基片温度250℃时沉积出高度C轴择优取向的ZnO膜,其取向分散度为2．5°,偏离度为0．5°。在氢气流量是6cm3／s,氧气流量是0．5cm3／s,基片温度150°时沉积的ZnO膜其可见光透率85％,电阻车3．27×10－3Ω·cm。     

粉末特性对钙锶铋钛陶瓷厚膜性能的影响

采用粉末溶胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度约为1.50μm,铁电性能优良的CSBT铁电厚膜。研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响。结果表明:适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜,从而有利于厚膜的铁电性能。750℃烧结的粉末制备的厚膜具有最佳的铁电性能,其Pr和Ec分别为13.3μC/cm2,46.2 kV/cm,具有较高的应用价值。     

X射线分析温度对ITO膜结构与电性能的影响

在不同温度基片上采用阴极磁控溅射法在玻璃上镀ITO透明导电膜,采用X射线衍射技术分析样品的结构随温度的变化情况,测量了样品的方块电阻、电阻率、霍尔迁移率、截流子浓度等电学性能和膜层的可见透过率。基片温度为180℃时,ITO膜（222）衍射峰很强,具有[111]方向择优取向,随基片温度升高,（400）、（440）衍射峰增强,晶面随机取向增加,同时晶粒变大、电阻率降低。     

界面氧化法聚合吡咯的研究

研究吡咯的界面氧化法聚合，主要讨论在各种反应条件对聚吡咯（ＰＰｙ）膜电导率及膜厚的影响，并考察了ＰＰｙ膜电导率的环境稳定性，结果表明：选择适宜的温度（１０℃）且聚合足够长时间（１５ｈ）可以获得具有较好机械性能和较高电导率的ＰＰｙ自支撑膜；该膜电导率及膜厚与膜的形成过程密切相关，并用发现膜两侧电导率有所不同，油相一侧膜的电导率总是略高于相一侧，这种差异与膜两侧的表面形态有关，给出了膜两侧的扫描电镜图     

粉末特性对钙锶铋钛陶瓷厚膜性能的影响

采用粉末溶胶法在Pt/Ti/SiO2>/Si基片上制备了厚度约为1.50μm,铁电性能优良的CSBT铁电厚膜.研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响.结果表明:适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜,从而有利于厚膜的铁电性能.750℃烧结的粉末制备的厚膜具有最佳的铁电性能.其Pr和Ec分别为13.3μC/cm2,46.2 kV/cm,具有较高的应用价值.     

单层膜厚对钙锶铋钛钕薄膜结构及性能的影响

采用Sol-Gel法和层层快速退火工艺,通过控制甩膜转速在Pt/Ti/SiO2/Si 基片上制备了单层膜厚不同的钙锶铋钛钕(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.研究了单层膜厚对于C0.4S0.6NT铁电薄膜的结构及性能的影响.研究结果表明:适当的单层膜厚有利于薄膜在(200)方向的择优取向,有利于薄膜的铁电性能.单层膜厚为60nm时,C0.4S0.6NT薄膜具有优良的铁电性能,2Pr和2Ec分别为24.155μC/cm2、148.412kV/cm,具有较高的应用价值..     

单层膜厚对钙锶铋钛钕薄膜结构及性能的影响

采用Sol—Gel法和层层快速退火工艺,通过控制甩膜转速在Pt／Ti/SiO2／Si基片上制备了单层膜厚不同的钙锶铋钛钕（C0.4S0.6NT）铁电薄膜。研究了单层膜厚对于C0.4S0.6NT铁电薄膜的结构及性能的影响。研究结果表明：适当的单层膜厚有利于薄膜在（200）方向的择优取向,有利于薄膜的铁电性能。单层膜厚为60nm时,C0.4S0.6NT薄膜具有优良的铁电性能,2Pr和2Ec分别为24．155μC／cm^2、148．412kV／cm,具有较高的应用价值。     

NiCr薄膜的沉积及其湿法刻蚀

片式薄膜电阻一般采用平面磁控溅射NiCr薄膜沉积在三氧化二铝陶瓷基片上,然后通过光刻工艺来实现电阻图形,通过使用扫描电子显微镜观察不同溅射功率、溅射时间下的NiCr膜层形貌,分析了溅射功率、溅射时间对溅射的影响,同时使用湿法刻蚀做出所需要的电阻图形。     

固—固反应合成纯相一氧化钛

研究了一氧化钛新材料的合成，分析了合成的许多途径，概述了固－固反应法合成的工艺及结果。研究结果表明：在一定工艺条件下，通过固－固反应，可以得到单一相金黄色的一氧经钛；但由于在反应过程中，固－固反应物间接触面积小，致使氧的扩散沿骨架长距离进行，反应速度慢；提高反应温度可以明显提高反应速度，当反应温度从1673K提高到1873K时，反应完全时间从12h降至3h，但过高的反应温度会引起钛在真空中挥发，影响体系钛、氧的量比；添加适量的活性助剂，可使反应活化，促进反应物料结构致密，增加反应区域，加速固相反应的进行，在1723K时反应完全时间从10h缩短至2h。     

吸收透明导电薄膜生长与复光学常数测定

用带特殊热（冷）阱的可控制基片温度的电阻加热式真空蒸镀薄膜装置，把吸收透明导电薄膜Au和In2O3分别通过热蒸镀和活化反应淀积在玻璃基片上,In2O3的电阻为80Ω/□，光学透射率不小于80%，透明导电 薄膜的复光学常数可通过测量其反射和透射系数得到，但考虑到基片背表面的存在，必须对反射和透射系数进行修正，引入修正后所得到的复光学常数与椭偏测量的结果一致。     

氧化锆流延基片的烧结温度及其性能研究

比较了3种不同的烧结温度对氧化锆流延基片性能的影响。结果表明,随着烧结温度的升高,基片的收缩率和相对密度增加、硬度增加、气孔率减小、晶粒和气孔的平均尺寸均有所增加。在1500℃保温3h可以获得较高的致密度（相对密度97．8％）和合适的晶粒尺寸,试样在1073K时离子电导率为1．187×10^-2S·cm^-1,烧结体物相主要为四方相。