紫(外)激光作用下Si(CH3)4的MPI与Si原子的共振电离

在紫（外）激光作用下,利用平行板电极装置及飞行时间（ＴＯＦ）质谱仪,研究了Ｓｉ（ＣＨ３）４分子的多光子电离（ＭＰＩ）、多光子解离（ＭＰＤ）及由Ｓｉ（ＣＨ３）４解离产生的Ｓｉ原子的共振电离。得到了４０４－３７８ｎｍ内Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＭＰＩ光谱及某些波长点处的ＴＯＦ质谱。根据实验结果,讨论了Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＰＩ机理,得到了一些有意义的结论。     

用平行板电极装置研究四甲基硅的多光子电离

用平行板电极装置研究四甲基硅的多光子电离施德恒（空军第一航空学院基础部，信阳４６４０００）本文检测了Ｓｉ（ＣＨ３）４在４１０－３７１ｎｍ内的ＭＰＩ光谱及若干波长点处的激光光强指数，检测并计算了硅原子４ｐ３ｐＪ３Ｐ２３ＰＪ，（Ｊ＇，Ｊ＇＇＝０，１，２）...     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。     

纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

四极SIMS对AlxGa1—xAs中Si的定量分析

本讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＾＋源对＾２９Ｓｉ的原子检测了限达到了４×１０＾１５ｃｍ＾－３。     

复合物p—C6H4F2...NH3（ND3）外部振动的共振双光子电离光谱

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ３）的共振双光子电离光谱。光谱分析表明,复合物分子间的伸 振动频率为８６．４ｃｍ＾－１;由复合物光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键有的关系。获得了复合物电子激发态Ｓ１和基态Ｓ０的键能信息。Ａｂｉｎｉｔｉｏ计算表明,ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ）复合物的几何结构是：ＮＨ３分子中的Ｎ原子位于垂直ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２     

纳米硅二极管的电输运特性

用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０＾３－１０＾－１Ω＾－１ｃｍ＾－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理现象进行了定性解释。     

1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用

本文主要介绍１ｕｍ双阱双层金属布线硅栅ＣＭＯＳ专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术，对多种材料如ＬＰＣＶＤ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＥＣＶＥＳｉ３Ｎ４、热ＳｉＯ２、ＰＥＶＥＤＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、多晶硅和Ａｌ－Ｓｉ（１．０％）－Ｃｕ（０．５％）合金等进行高选择比的，各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸（ＣＤ）总损失＜０．０８ｕｍ的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀     

Si(100)面上3C-SiC的生长

１０００℃下用Ｓｉ２Ｈ６和Ｃ２Ｈ４在Ｓｉ（１００）面上用气源分子束外延进行了ＳｉＣ的生长,Ｘ射线双晶衍射和ＨＲＥＥＤ表明外延层为３Ｃ－ＳｉＣ单晶;俄歇电子谱分析其中的Ｓｉ／Ｃ约为１．６．用Ｎｏ－ｍａｒｓｋｉ光学显微镜观察,其表面存在类似四边形的缺陷;与不同温度,不同Ｃ２Ｈ４流量下Ｓｉ衬底碳化形成的碳化层表面进行了比较,分析了缺陷形成的原因．     

355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI质谱研究

在 35 5nm的激光作用下 ,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3 ) 4分子多光子电离 (MPI)质谱分布。测量了Si(CH3 ) + 4,Si(CH3 ) + 3 ,Si(CH3 ) + 2 ,Si(CH3 ) + 及Si+ 离子的激光光强指数 ,检测了这 5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系。据此 ,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道 ,得到了Si+ 主要来自于母体分子的多光子解离—硅原子的电离 ,Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3)主要来自于中性碎片Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离 ,Si(CH3 ) + 4来自于母体分子的 (3+1)电离的结论     

紫(外)激光作用下Si(CH_3)_4的MPI与Si原子的共振电离

在紫 (外 )激光作用下 ,利用平行板电极装置及飞行时间 (TOF)质谱仪 ,研究了Si(CH3 ) 4分子的多光子电离 (MPI)、多光子解离 (MPD)及由Si(CH3 ) 4解离产生的Si原子的共振电离。得到了 40 4～ 378nm内Si(CH3 ) 4的MPI光谱及某些波长点处的TOF质谱。根据实验结果 ,讨论了Si(CH3 ) 4的MPI机理 ,得到了一些有意义的结论。     

热光场与二能级原子多光子相互作用的量子统计模型

本文详细讨论了单模热光场与单个二能级原子多光子相互作用过程中原于和场的动力学行为,指出该模型中场不可能存在反聚束效应、亚泊松分布以及压缩效应;又利用非经典光场的判据进一步断定了该模型中的场不可能存在任何一种非经典效应。     

氢原子的共振多光子电离

本文讨论了氢原子的共振多光子电离,具体计算了(2+1)多光子电离过程中光电子的角分布以及氢离子产额对入射激光强度的依赖关系。对所得结果作了讨论。     

在300um波段OCS分子的多光子电离谱

本文首次测定了ＯＣＳ分子在２９９～３０２ｕｍ波段的多光子电离谱。这一段的谱线被归属为Ｄ１Σ＋←Ｘ１Σ＋的跃迁。通过激光功率和离子信号强度的关系，认为ＯＣＳ分子多光子电高经历了（２＋１）三光子电离的过程。此外，还考察了ＯＣＳ的压力对离子信号强度的影响，并对此进行了讨论。     

用可见激光研究丙胺分子的多光子电离

本文在４４３ｎｍ，４７８ｎｍ和５３２ｎｍ处，获得了不同激光强度下丙胺分子多光子电离飞行时间－质谱。     

CH3I在532nm及455.5nm激光作用下多光子电离研究

本文利用飞行时间质谱仪研究了532nm和455.5nm激光作用下CH3I分子的多光子电离解离（MPID）。在532nm激光作用下，CH3I分子由双光子激发到A带的A2态，它的MPID属母体离子阶梯模式;在455.5nm激光作用下，CH3I分子由双光子激发到A带的3E态，它的MPID属中性碎片光电离模式。     

在532nm激光作用下n—C4H9I的多光子离解过程质谱研究

报道了碘代正丁烷分子在５３２ｎｍ激光作用下的多光子电离（ＭＰＩ）质谱（ＭＳ）研究结果。（１）碎片离子主要由离子离解阶梯模式产生；波长不仅影响碘代正丁烷分子碎片离子产生模式，同时还影响其碎片离子的碎裂程度。（２）激光强度一般只影响分子离子及碎片离子的碎裂程度。     

基于多光子电离的氨/醇混合团簇的飞行时间质谱研究

用多光子电离技术结合飞行时间质谱仪对氨/醇混合团簇进行了研究。在脉冲激光波长为355nm条件下观测到团簇离子。主要的电离产物为质子化的（ROH）n（NH3）mH＋（n=1~6,m=0~4）混合团簇离子,且各个序列的离子强度随m的增大而减小。经分析,氨与醇混合团簇电离后团簇离子发生内部质子化转移反应是形成质子化团簇离子的主要原因。比较分析质谱图可知,当团簇离子比较小的时候二元团簇解离以失去醇类分子为主,随着团簇离子的增大,解离由失去醇分子为主逐渐变为失去氨分子为主。     

钾原子的能量积聚诱导电离和双光子共振三光子电离

用染料激光激发钾蒸气 ,发现了钾原子的两种电离机制和三个电离通道 :能量积聚诱导的电离 ,4S 6S和4S 4D双光子共振三光子电离。对前两个电离通道 ,分别研究了电离谱与钾蒸气温度和激光强度的关系 ,发现了钾原子的辐射囚禁效应和钾原子电离的非线性现象 ,并给出了定性解释