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报道在Y旋127.86°X传LiNbO_3基片上采用1/8λ_0,5/8λ_0结构的切指加权换能器的声表面波滤波器,成功地研制了中心频率为40MHz,3dB带宽为20MHz,矩形系数(Δf_40dB/Δf_3dB)为1.48,带内波动<1.2dB,带外抑制>40dB.插入损耗<38dB,相对带宽(Δf_-3dB/f_0)大于50%的滤波器。 相似文献
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本文研究了一种直接利用晶体管或场效应管来模拟高Q值电感,并利用此电感来制作L波段和S波段窄带有源滤波器的方法。利用此方法制作了两个高性能的窄带有源带通滤波器:一个中心频率为2.3GHz,其带宽为90MHz左右,带内插入损耗为0dB;一个中心频率在1.5GHz左右,并且中心频率可调,其带宽为80MHz左右,带内有10dB的增益 相似文献
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本文叙述了一种可用于微波接收机的14/12GHZ谐波混频器的原理、设计、仿真及结果。该混频器主要由Lange耦合器、输入、输出滤波器以及匹配网络等居14.00-14.25GHZ的频率范围内变频增益为-16.52dB,带内平坦度优于1dB,驻波比小于2。 相似文献
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3.3 400 Hz窄带带通滤波器的设计计算要求:通带:380~420 Hz,通带内波动≤0.25 dB; 阻带:0~350 Hz和450 Hz~∞,阻带最小衰减≥50 dB设计计算:1)将此带通滤波器指标转换为几何对称的带通滤波器指标f===399.5 Hz≈400 Hz带通的n值为n===102)求与上述几何对称带通滤波器相对应的归一化低通滤波器的设计指标陡峭因数为Ω ===2.53)确定归一化低通滤波器的转移函数根据Ω =2.5,Amax≤0.25 dB和Amin≥50 dB,从椭圆函数滤波器表格中查得… 相似文献
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介绍了100点声表面波直接频率合成器的关键器件声表面波滤波器及其研制结果,该组滤波器频率从110~627MHz,共14种,最小插入损耗仅为2.8dB,带外抑制50dB。 相似文献
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研制开发了12~18GHz宽带功率固态放大器。主要技术指标:工作频率为12~18GHz,增益GP≥25dB,输出功率PO≥400mW,输入输出驻波比VSWR≤2.5∶1,噪声系数Fn≤6dB。 相似文献
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研制开发了12-18GHz宽带功率固态放大器,主要技术指标:工作频率为12-18GHz,增益Gp≥25dB,输出功率PO≥400mW输入输出驻波比VSWR≤2.5:1,噪声系数Fa≤6dB。 相似文献
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Ka频段GaAs单片平衡混频器 总被引:1,自引:1,他引:0
报道Ka频段GaAs单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“TUMMIXER”软件进行电路设计,工艺以半绝缘GaAs为衬底,采用NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒二极管,以SiO2和聚酰亚胺双介质为保护膜,增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为:2mm×3mm×0.2mm,在f=31~36GHZ范围内NFSSB≤10dB,最佳点f=32.2GHzNF.SSB=8.7dB[fIF=1.2GHz]。 相似文献
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设计、研制了一种工作在L波段的GaAs单片低噪声放大器。该放大器在HP-8510B网络分析仪和HP-8970B自动噪声仪上的测试结果为:1.1~1.5GHZ频段,NF≤2.0dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤0.5dB;在1.5~2.0GHZ频段NF≤2.5dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤±0.5dB。 相似文献
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基于MOCCs的电流模式滤波器 总被引:3,自引:1,他引:2
本文提出了一种多输出电流传送器(MOCCS)的改进CMOS实现,并以此对无源RLC梯形网络进行模拟,获得一种新的电流模式滤波器结构,它们比用CCⅡS实现的同类型滤波器节省一半有源器件。此外,还分析了MOCCS的高频非理想特性及补偿方法,最后给出了截频为1MHz、0.5dB波纹的五阶全极点低通滤波器和截频为2.4MHz、0.173dB波纹的三阶椭圆滤波器实例,并经1.2μmCMOS工艺参数仿真证实 相似文献
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为满足温漂要求,同时避免驻波效应,利用剥离工艺在石英基片上制作了中心频率为1128MHz,3dB带宽为2.8MHz,插入损耗>-12dB,带外抑制>40dB的高频窄带声表面波滤波器。 相似文献
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本文报道了1.5μm波长高速Ti:LiNbO3M-Z型强度调制器的设计,制作,封装和检测,所得包装式器件原性能指标为;插入损耗6.7dB,开关电压7.3V,3dB调制带宽8GHz,消光比-21dB。 相似文献
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单相单向换能器的低损耗SAW滤波器 总被引:4,自引:3,他引:1
概述了采用分布式反射的单相单向换能器及其设计,特别推荐了电极宽度控制的单相单向换能器,并报道了我们制作的几种低损耗滤波器结果。单级低损耗滤波器插入损耗为4.7~6.5dB,带外抑制达50dB。两级低损耗滤波器获得带外抑制近90dB,而插损仅为10dB。 相似文献