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相似文献
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1.
比较了运算放大器在X和γ辐射环境下性能的变化,并对X射线对运算放大器产生的剂量效应作了研究。实验测量X射线对几种典型运放的相对剂量增强系数的范围为3.4=12.3。SiO2/Si界面产生的俘获空穴电荷和界面态是运算放大器在X和γ辐射环境下的主要失效模式。  相似文献   

2.
何承发  巴维真 《核技术》1997,20(3):143-147
设计了一种多层平行板金电离室,应用测量法测量了^60Coγ射线在金与低原子序数材料交界时界面及金中的剂量分布。  相似文献   

3.
彗星分析法检测γ射线诱导的人肝癌细胞DNA链断裂   总被引:3,自引:0,他引:3  
以人肝癌SMMC-7721细胞为材料,用慧星分析法研究了γ射线诱导的DNA链断裂,结果表明,随着剂量的增加,慧星逐渐变长,慧尾的细胞数也越来越多;慧尾与慧头的长度比和面积比与剂量成线性正相关,尤以长度比随剂量的增加变化为明显,可反映γ射线诱导的DNA链断裂程度。  相似文献   

4.
用流式细胞计数仪检测不同辐射剂量诱导的小鼠胸腺细胞程序性死亡苏旭,张迎春,刘树铮(白求恩医科大学卫生部放射生物实验室,长春130021)关键词程序性细胞死亡,流式细胞术,胸腺细胞,X射线自Wyllie等’‘’对程序性细胞死亡(PCD),又名细胞凋亡(...  相似文献   

5.
CMOS器件X 射线与γ射线辐照效应比较   总被引:2,自引:0,他引:2  
何承发  巴维真  陈朝阳  王倩 《核技术》2001,24(10):807-811
介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法。讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响。结果表明,对镀金Kovar合金封装的器件,在背向辐照的最劣辐照偏置下,X射线产生的阈电压漂移是^60Coγ射线的13.4倍。  相似文献   

6.
本文报告了用于测量高强度脉冲中子及γ射线剂量的真空室探测器和直读真空室剂量计的研制。两种真空室在γ、X射线、14MeV中子、稳态和脉冲核反应堆中子、γ射线混合场上实验表明,其主要剂量学性能基本上达到设计要求。真空室剂量计在10 ̄4Gy/s下无剂量率依赖性,含氢材料壁真空室的快中子、γ射线灵敏度比近1:1,铝壁真空室受10 ̄6Gy( ̄(60)CO)照射,其性能几乎没有变化。  相似文献   

7.
辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关.本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响.实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少.  相似文献   

8.
刘昶时  张力 《核技术》1994,17(7):429-432
采用Si(Li)X射线探测系统,以透射法测量了^241Am和^238Pu放射源的低能γ光子和X射线在透过不同厚度的Fe和Cu箔时激发的次级X射线相对强度的变化,实验结果表明,激发产生的X射线相对强度在实验样品厚度范围内随箔厚的增加而增加,在高原子序数材料中将产生更多的特征X射线,各次级X射线的强度与箔厚形成方式以及激发源的活度,能量有关,最后对实验结果的物理机制进行了初步探讨。  相似文献   

9.
10.
抗辐射光纤在强γ场中的辐射损伤研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
抗辐射特性是玻璃光纤的一项重要技术参数,对于在抗辐射场中作信号传输使用的光环,其抗辐射尤为重要。本文介绍光纤在强γ场中辐射损伤的实时测量及其变化规律的研究。  相似文献   

11.
特大剂量γ射线照射的染色体畸变剂量效应曲线   总被引:4,自引:0,他引:4  
为准确估算大剂量事故受照者的生物剂量,拟合6—22Gy照射后染色体畸变剂量效应曲线。采用60Coγ射线照射离体人血,浓集有核细胞,一步法培养52h、68h和72h收获制片。计数双(多)着丝点 环数目,比较不同培养时间畸变差异,拟合剂量效应曲线及数学方程。用大剂量事故受照者的剂量结果对曲线进行验证。实验表明,大剂量照射后需适当延长细胞培养时间,52—72h获得的染色体双 环畸变率无明显差异。新拟合的剂量效应曲线符合线性平方模型Y=-2.269 0.776D-7.868×10-3D2。经事故剂量验证结果可靠。本研究首次建立了6—22Gy照射后染色体双 环剂量效应曲线及数学方程,为特大剂量照射后的准确剂量估算提供了可依据的方法。  相似文献   

12.
辐射诱发细胞HPRT基因位点突变频率的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
王海燕  张连珍 《辐射防护》1999,19(6):466-469
本文采用多核细胞检测法(CB法),研究了^60Coγ射线照射离体人血所诱发的体细胞HPRT基因位点的突变频率。实验结果表明,0-5.0Gyγ射线可诱发HPRT基因位点突变,HPRT基因位点突变的频率随照射剂量增加而升高,突变频率Y(10^-3)与照射剂量D(Gy)间可拟合为Y=0.903+0.869D。  相似文献   

13.
研究了FWT-60辐射显色薄膜量计在^6^0Coγ辐射场中的响应与辐照温度,读数温度以及辐照后时间的关系,给出了薄膜在两个读数波长处的^6^0Coγ射线吸收剂量响应特性的测定结果,实验发现薄膜吸光度和吸收光谱峰值与读数温度有关。  相似文献   

14.
王宝林  刘凤玲 《核技术》1993,16(8):483-486
叙述了应用针孔技术测量γ射线辐照率时间谱的原理和装置,并获得了γ射线辐照率时间谱的实测结果,为核辐射能量研究提供一种测量方法和一组参考数据。  相似文献   

15.
γ辐照对光纤带宽的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘方新  张辰华 《核技术》1994,17(1):51-53
对多模梯度折射率光纤的γ辐照带宽效应进行了实验,发现光纤带宽随着辐照剂量的增加而减小,其值达60%。对造成这一结果的原因进行了讨论。  相似文献   

16.
高剑侠 《核技术》1998,21(1):43-47
采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术的制备了高质量的SOI材料,研究了在该材料上采用2μmCMOS工艺制备的不同沟道长度的P沟MOSFET的^60Coγ射线总剂量辐照特性,表明经5kGy(Si)辐照后,器件仍有特性,但阈值电压有较大的漂移,这主要是由栅氧化层中的辐照感生电荷而引起,不同的沟长度PMOSFET的辐照特性有基本相同,经一段时间室温退火,阈值电压出现回漂。  相似文献   

17.
18.
γ射线对氟橡胶F2311的结构和性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
氟橡胶F2311在真空、氮气、空气3种气氛经50-1000kGy的γ射线辐照后其平均分子量、抗拉强度、断裂伸长率都随剂量的增大而降低,凝胶含量随剂量的增大先降低而后升高,750kGy时达到最低点,其玻璃化温度、贮存模量与凝胶含量变化相同。样品的IR分析表明产生了-CF=CH-、-CF=CF-、-C=O等基团。用SEM观测了辐照后样品的微观形貌。研究表明,空气气氛将促进F2311的辐射降解,氮气气氛有一定的抑制作用。  相似文献   

19.
研究了VAc的辐射乳液聚合动力学,并对其聚合工艺条件作了初步探索。得出VAc乳液在进行辐射聚合时,成核期结束上,有相当长的恒速期存在。乳胶粒子直矩在0.5-3μm之间,比一般的乳液聚合乳胶粒子要大,同时从动力学数据还可以看出几咱成同理同时存在,由此对试验条件提出了相应的要求。  相似文献   

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