Bi_4Ti_3O_（12）铁电薄膜的I－V特性测量及导电机理

Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用ＭＯＣＶＤ方法制备的Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性测量及其导电机理。结果表明，在低场下，Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性表现为欧姆性质，在中强场下，薄膜的导电机理遵从ＳＣＬＣ理论。     

溶胶—凝胶技术制备Bi4Ti3O12铁电薄膜的研究

采用溶胶－凝胶技术在Ｓｉ单晶基片上制备了具有层状钙钛矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２ｘ铁电薄膜，讨论了回火温度与时间对薄膜结构的影响，Ｘ射线衍射分析表明，经７００℃和７００℃以上温度回火的薄膜为具有层状钙矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２多晶薄膜，该薄膜的电滞回线测试呈出剩余极化强度Ｐｒ＝５μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场Ｅｃ＝１３０ｋＶ／ｃｍ。     

Bi4Ti3O12铁电薄膜的MOCVD制备及其物理性质研究

采用常压ＭＯＣＶＤ技术在（１００）硅衬底上生长了具有（１００）及（００１）取各的钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。在适当的生长条件下可获得（１００）取向膜，在７５０－８００℃下退火可获得（００１）择优取向膜。通过观察Ｐ－Ｅ电滞回线可确认膜的铁电性质，测得（１００）取向膜的剩余极化强度为３８μｃ／ｃｍ＾２，矫顽场为４５ＫＶ／ｃｍ。同时测量了钛酸铋薄膜的介电常数及损耗角正切。     

Bi12TiO20晶体的全息性能

Ｂｉ１２ＴｉＯ２０晶体是一种优良的全息记录材料。本论文对纯Ｂｉ１２ＴｉＯ２０和掺Ｃｅ∶Ｂｉ１２ＴｉＯ２０晶体的衍射效率、半波电压、旋光度等性能进行了测试，并讨论了掺入的Ｃｅ对晶体性能的影响，Ｃｅ＾４＋离子在晶体中取代Ｂｉ＾３＋离子形成新的区域中心。此外还探讨了Ｔｉ原子对晶体旋光度的影响，认为Ｂｉ１２ＴｉＯ２０晶体旋光度远小于Ｂｉ１２ＳｉＯ２０、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０的根本原因在于Ｔｉ原子的性质和极化不     

溶胶—凝胶法制备TiO2—SiO2复合薄膜的研究

采用溶胶－凝胶方法在单晶Ｓｉ基片上制备了ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜，研究了溶剂、ｐＨ值对先体溶液成胶时间的作用，溶液的浓度、甩胶时的旋转速度、涂覆层数以及热处理温度对薄膜厚度、光学性能的影响。薄膜的折射率随温度增大，其主要贡献来自于薄膜中结构的变化。并测量了薄膜的Ｉ－Ｖ、Ｃ－ｆ特性，由于薄膜中的热击穿效应而使得ＴｉＯ２含量较高的薄膜２的Ｉ－Ｖ呈非线性变化。     

Bi－V－Cr系复合氧化物的制法及其热色特性

报道了新型可逆热色材料Ｂｉ－Ｖ－Ｃｒ复合氧化物的制取方法及热致变色特性实验表明：ＢｉＶＯ４可在黄（室温）－橙（１２℃）－红（２００℃）色系可逆变色；ＢｉＣｒＯ３可在绿（室温）－黄（１４０℃）色系可逆变色；Ｂｉ－Ｖ－Ｃｒ混合晶体氧化物可在黄绿（室温）－黄褐（１２０）－深褐（１８０℃）色系可逆变色     

TiC对C—SiC—B4C复合材料氧化行为的影响

研究了ＴｉＣ的添加对Ｃ－ＳｉＣ－Ｂ４Ｃ复合材料氧化行为的影响，实验发现１５７３Ｋ处理的Ｃ－ＳｉＣ－Ｂ４Ｃ复合材料的抗氧化性能优于未加ＴｉＣ的复合材料，氧化失重随着ＴｉＣ添加量的增大而减小；更高温度处理的Ｃ－ＳｉＣ－Ｂ４Ｃ复合材料在低温氧化时表现为少量增重，１１００Ｋ以下基本无失重，而高温氧化速率则有所增加，特别是２６７３Ｋ处理的复合材料的最终氧化失重是１５７３Ｋ处理复合材料失重的６倍，失重主要发生在１２００～１４００Ｋ。Ｘ射线衍射发现，高温处理使复合材料中的Ｂ４Ｃ与ＴｉＣ发生反应生成ＴｉＢ２，减缓了Ｂ４Ｃ的氧化速率，使之在１１００～１４００Ｋ不能产生足够的液相Ｂ２Ｏ３，没有起到有效封闭炭材料裸露面而阻止氧的扩散的作用。１４００Ｋ以上的氧化失重速率受热处理温度的影响不大，主要是由于生成的ＴｉＢ２大量氧化，生成Ｂ２Ｏ３液相，以及ＳｉＣ大量氧化生成ＳｉＯ２，从而对复合材料起到保护作用。ＳＥＭ形貌观察与上述结论一致。     

多孔陶瓷薄膜表面形貌研究

用原子力显微镜（ＡＦＭ）观察Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２及Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２复合陶瓷薄膜的表面形貌,Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析表明,Ａｌ２Ｏ３薄膜的上为γ－Ａｌ２Ｏ３;Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２薄由γ－Ａｌ２Ｏ３和非晶诚ＳｉＯ２组成;而Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２薄膜的相成分为Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ａｌ４Ｔｉ２ＳｉＯ１２和非晶态ＳｉＯ２,各相的含量随化学成分变化而变化,ＡＦＭ观察结果表明     

Bi—V—Cr系复合氧化物的制法及其热色特性

报道了新型可塑热色材料Ｂｉ－Ｖ－Ｃｒ复合氧化物的制取方法及热致变色特性，实验表明，ＢｉＶＯ４可在黄（室温）－橙（１２０℃）－红（１２００℃）色系可逆变色；ＢｉＣｒＯ３可在绿（室温）－黄（１４０℃）色系可逆变色；Ｂｉ－Ｖ－Ｃｒ混合晶体氧化物可在黄绿Ｐ室温－黄袍（１２０℃－深褐（１８０℃）色系可逆变色。     

Al2O3—SiO2—TiO2复合陶瓷薄膜的制备与结构

本文利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了Ａｌ２Ｏ－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２复合陶瓷薄膜，讨论了主要内容是体系成分（Ａｌ：Ｓｉ：Ｔｉ摩尔比）对落膜制备过程及结构的影响。通过分步水解法可以得到稳定的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２复合溶胶，进而制备复合陶瓷薄膜。组分间的静电作用是溶胶凝结的原因。三组分中，Ｓｉ／Ｔｉ摩尔比是决定溶胶稳定性的主要因素。通过ＸＲＤ对薄膜的相组成进行了分析，表明复合薄膜由Ａｌ４Ｔｉ２ＳｉＯ１２     

八种新功能晶体的比热及其与相变掺杂物关系的实验研究

本文对八种新型功能晶体Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７、Ｂｉ１２ＴｉＯ２０、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０、Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、Ｓｒ１－ｘＢａｘＮｂ２Ｏ６（ｘ＝０．３３，０．４８）、ＬｉＴａＯ３等在１３０～９７３Ｋ范围内的比热行为及其与相变、组分之间的关系进行了实验研究，给出了比热的多项式拟合方程，并与用纽曼－卡普定律及用Ｗｉｋｅｌｍａｎｎ经验方程的比热计算值作了对比，为晶体比热的估算提供了依据和方法。     

Ti对C—B4C—SiC复合材料显微结构与性能的影响

本文就烧结助剂Ｔｉ对Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ碳／陶复合材料显微结构与性能的影响进行了研究，Ｘ射线衍射表明Ｔｉ在烧结温度下与Ｂ发生反应在晶界生成ＴｉＢ２，并产生液相，有效地促进了Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ复合材料的烧结，抑制了晶粒的长大，使复合材料密度与强度大幅度地增加，电阻率下降，同时ＴｉＢ２的氧化时生成致密的ＴｉＯ２，包裹子易氧化的Ｂ４Ｃ和Ｃ，使制品难氧化，从而大大提高了制品的抗氧化性能。     

Ti对C－B_4C－SiC复合材料显微结构与性能的影响

本文就烧结助剂Ｔｉ对Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ碳／陶复合材料显微结构与性能的影响进行了研究，Ｘ射线衍射表明Ｔｉ在烧结温度下与Ｂ发生反应在晶界生成ＴｉＢ２，并产生液相，有效地促进了Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ复合材料的烧结，抑制了晶粒的长大，使复合材料密度与强度大幅度地增加，电阻率下降；同时ＴｉＢ２在氧化时生成致密的ＴｉＯ２，包裹了易氧化的Ｂ４Ｃ和Ｃ，使制品难氧化，从而大大提高了制品的抗氧化性能．     

Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti系列高温压电陶瓷材料及其压电性能的研究

本文开展了对ＣａＢｉ４Ｏ１５基料的置换和掺杂的研究，获得一个较好Ｃａ－（Ｎａ，Ｃｅ）－Ｂｉ－Ｔｉ材料系列，并在该材料系列的基础上再进行一元和多元掺杂，使它的ｄ３３值较ＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５有较大程度的改善，其电阻率、电容和损耗的温度系数也均优于ＣａＢｉ４Ｏ１５，是一种较有开发潜力的高温压电陶瓷材料。     

立方A^4＋M^5＋2O7型化合物与新型负热膨胀材料

概述了立方Ａ＾４＋Ｍ＾５＋２Ｏ７型化合物的结构特点，讨论了ＡＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ａ＝Ｚｒ或Ｈｆ；ｘ＝０．１～１．２）及其部分取代的Ａ＾４＋１－ｙＢ＾４＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｂ＝Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｕ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｇｅ或Ｓｉ；ｙ＝０．１～０．４）和Ａ＾４＋１－ｙＣ＾１＋ｙＤ＾３＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｃ为碱金属元素，Ｄ为稀土金属元素）材料的负热膨胀性能。     

Li1+2x+yAlxNdyTi2-x-ySixP3-xO12系统的锂快离子导体研究

Ｌｉ１＋２ｘ＋ｙＡｌｘＮｄｙＴｉ２－ｘ－ｙＳｉｘＰ３－ｘＯ１２锂快离子导体可以用精选的天然高岭石Ａｌ４「Ｓｉ４Ｏ１０」（ＯＨ）８为起始原料，经与Ｌｉ２Ｃｏ３、ＴｉＯ２、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４进行高温（８００－１０００℃固相反应约２０ｈ而制得，一个空间群属于Ｒ３Ｃ的固溶体导电相可在ｙ＝０．５，ｘ≤０．３和ｙ＝１．０，ｘ≤０．４的组成范围内发现，该盯具有较好的电导性较低的活化能，起始组成ｙ＝１．０，ｘ＝０．     

三价低熔点氧化物对TiO_2压敏电阻器性能的影响

研究了三价低熔点氧化物Ｓｂ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３等对ＴｉＯ２压敏电阻器性能的影响,采用扫描电镜、Ｃ－Ｖ分析、Ｉ－Ｖ测量和介电测量等实验手段,并结合理论分析了它们的作用机理。结果发现,适当掺入这类氧化物能促进晶体生长,还有助于形成ＴｉＯ２的粒界层,提高样品的非线性系数和稳定性,改善样品烧结性能     

气相反应法合成超细粉末过程中的r~＊叶和晶型的研究

本文以ＳｉＣｌ４－ＮＨ３、ＳｉＣｌ４－Ｏ２、ＳｉＣｌ４－Ｎ２－Ｈ２、ＴｉＣｌ４－ＮＨ３－Ｈ２、ＴｉＣｌ４－Ｎ２－Ｈ２、ＴｉＣｌ４－Ｏ２、ＡｌＣｌ３－Ｏ２等为体系，运用均匀成核理论，研究了平衡常数Ｋｐ、过饱和比Ｓ及临界核半径，ｒ＊等因素对气相反应法中超细粉末的形成及粉末结构状态的影响．结果表明，当２ｒ＊大于某物质的晶格常数时，用气相反应法得到的该物质的超细粉末一般为晶体粉末，反之则得到无定形粉末．     

制备V1—xMxO2（M=Cr,Ti,Mo,W,O≤x〈0.2陶瓷的湿化学方法

利用ＶＯ＾２＋与ＮＨ４ＨＣＯ３反应生成以氧颇稳定的氧钒（ＩＶ）碱式碳酸铵晶体的特性，分别掺入Ｃｒ＾３＋、ＴｉＯ＾２＋、ＭｏＯ＾３＋、Ｗｏ４＾２－杂质离子合成ＶＯ２掺杂母体，母体在Ｎ２气氛下，≤４００℃时，热分解制得大的剽一化合物，再经压片、１０５０℃高温烧结０．５ｈ得到陶瓷，合成度样相变时，电阻率改变约３个数量级，与传统固－固合成法的相同，但湿化学法与固－因合成法比较具有节能、简便。设备要求较低、     

SiC纤维增强Ti基复合材料的组织

采用真空热压扩散结合工艺制备出ＳｉＣｆ／Ｔｉ－１５－３复合板材，研究制备工艺，ＳｉＣｆ，基体合金特性，复合材料的显微组织及界面特征，结果表明，合适条件下国产射频加热ＣＶＤ法制备的ＳｉＣｆ与Ｔｉ－１５－３基体具有较好的相容性，界面结合良好，在拉伸条件下ＳｉＣｆ有从基体拔出的倾向，纤维具有脆性解理断口特 ，Ｔｉ－１５－３基体具有塑性断口特征。