浮动催化体系中碳纳米管的生长机理

提出了气相形核生长（VPN）机理解释浮动催化体系中碳纳米管的生长过程。浮动催化系统中生长碳纳米管的活性碳原子是由苯热解产生的,被硫原子部分覆盖的液态铁颗粒是单壁碳纳米管的形核中心,生成的单壁碳纳米管继续径向生长、逐渐石墨化后,得到多壁碳纳米管。气相形核生长机理能够解释浮动催化系统生长碳纳米管的结构特征。     

位错对n型GaN 光助电化学腐蚀的中止作用

对用氢化物气相外延（HVPE）方法生长的n型GaN进行光助电化学（PEC）腐蚀研究，发现了位错中止腐蚀的直接证据，并对其机理作了探讨。     

超长单晶硅纳米丝的化学气相沉积法制备

采用化学气相沉积法在镀金硅片上制备出了大量直径均匀、长度大于100肿的单晶纳米硅丝。采用场发射扫描电镜（FESEM）、能谱分析（EDX）、透射电镜（TEM）和拉曼光谱（Rarnan）对样品进行了表征和分析，并对超长纳米硅丝的生长机理进行了讨论。     

FeCl3催化生长脱油沥青基气相生长炭纤维

以脱油沥青（DOA）为碳源,氯化铁为催化剂,在氩气和氢气的混合气氛下利用化学气相沉积法（CVD）制备了不同形貌的气相生长炭纤维（VGCFs）。讨论了在温度为1100℃时,不同的反应时间（分别为10min,20min,25min,30min和40min）对产物形貌和结构的影响。利用场发射扫描电镜（FE-SEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）、X-射线衍射（XRD）和拉曼（Raman）光谱,对不同工艺参数下合成的产物进行了结构表征。结果表明：随着反应时间的增加,气相生长炭纤维的形貌由弯曲变得相对平直,进而相互贯穿;当反应时间为10min和20min时,气相生长炭纤维的直径分布在1.0μm～1.2μm之间;当反应时间为25min,30min和40min时,气相生长炭纤维的直径分布范围分别为250nm～300nm,350nm～400nm,700nm～800nm。另外,还观察到了V型的气相生长炭纤维。     

硅纳米线的制备与生长机理

硅纳米线是一种新型的一维半导体光电材料.本文较系统地介绍了硅纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展,主要就激光烧蚀法、化学气相沉积法、热气相沉积法及溶液法等制备方法和基于气-液-固机理的生长机理、氧化物辅助生长机理及固-液-固生长机理等作了较为详尽的论述.     

Si基β-SiC薄膜外延生长技术研究

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积（APCVD）工艺在P型Si(100)衬底上进行了β-SiC薄膜异质外延生长。利用俄歇电子能谱、SEM及X射线衍射能谱进行了生长薄膜微结构分析。提出并讨论了外延生长β－SiC薄膜的最佳工艺条件及其生长机理。     

利用HWCVD在柔性衬底上制备多晶硅薄膜

通过热丝化学气相沉积法（Hot Wire Chemical Vapor Deposition, HWCVD），采用间歇供应硅烷气体，持续通入氢气的方式控制硅薄膜的生长，发现该方法在有机衬底上生长的薄膜结构为多晶相占主导地位。此外，研究了不同间歇周期条件下薄膜的形貌和结构，并对生长机理进行了解释和讨论。     

AlN纳米线CVD生长机理分析

采用化学气相沉积（CVD）法,在常压无催化剂的条件下生长出了一维AlN纳米结构,通过调节生长温度控制生长形貌,利用气固原理和Ehrlich—Schwoebel势垒模型着重分析其生长机理,当温度较高时,原子扩散长度变大,并得到较高能量,使其能从上一层跃迁到下一层,且纳米棒底部直径变大,直径变粗。     

气相生长碳纤维的催化技术进展

本文介绍了当前气相生长碳纤维的研究状况 ,对气相生长碳纤维的制备方法和生长机理进行了概述 ,并论述了其催化技术的影响因素。     

纤维状石墨晶体材料：石墨晶须、石墨晶锥和石墨多面体晶体（英文）

纤维状石墨晶体材料因其独特的外观结构、高度的石墨微晶规整性、极高的机械性能和导电性能、复杂的生长机理、丰富多样的制备方法和潜在的应用前景而极具吸引力。然而,与气相生长炭纤维（VGCFs）和碳纳米管（CNTs）不同的石墨晶须、石墨晶锥和石墨多面体晶体（GPCs）尚未得到广泛研究和总结。本文综述了石墨晶须、石墨晶锥和石墨多面体晶体的不同制备方法、特殊的拉曼光谱以及在机理方面的最新研究成果,还对其未来应用领域进行了预测。关于它们自身的性质,如光学、电学、磁学等,还需要系统和深入地研究。这些具有新颖独特外观结构的炭材料有望成为继碳纳米管之后的一种新型潜在的功能性石墨晶体材料。     

GaN纳米棒的合成与表征

利用化学气相沉淀法（CVD）以Ga2O3和NH3为原料在沉积有乙酸镍的硅衬底上合成出了GaN纳米棒,纳米棒直径在50-200nm，长度在2-10μm，表面比较光滑,利用场发射扫描电镜（FESEM），X射线衍射仪（XRD），能量散射谱（EDS）对样品进行了成分和结构分析，表明GaN纳米棒是单晶的纤锌矿结构，同时对其生长机理进行了探讨。     

电子束物理气相沉积（EB-PVD）技术研究及应用进展

概述了近几年来快速发展的新兴材料加工工艺技术——电子束物理气相沉积（EB-PVD）技术的研究及应用现状，着重阐述了电子束物理气相沉积（EB-PVD）过程的主要工艺参数和制备高温合金板材显微组织的形成机理。     

催化剂辅助化学气相沉积法制备InN纳米线

采用催化剂辅助化学气相沉积法,通过固-液-气（V-L-S）机理控制在硅衬底上制备了高质量的InN纳米线。利用FESEM、XRD、HRTEM对制备的InN纳米线的表面形貌和结构进行了表征。分析表明合成的InN纳米线为标准的六方纤锌矿结构,纳米线沿[102]方向生长。室温PL光谱表明,制备的InN纳米线在1580rlIn（...     

氮气压对自蔓延高温合成A1N后烧的影响

研究了氮气压力对自蔓延高温合成A1N的影响和后烧机理，结果表明，自蔓延高温合成A1N的生长机制为气相－晶体（Vapor-Crystal,VC)机制，气相沉积的台阶平面为A1N的基面（0001面）为了降低表面能，生长台阶必须以六棱柱形态形核，在后烧阶段，A1N颗粒中心的小台阶被重新“蒸发”，井沉积到远离中心的大台阶上，使A1N颗粒棱角分明，形状规则，随着氮气压力的增加，燃烧温度逐渐提高，后烧的时间缩短。     

氮气氛下金刚石薄膜生长过程中的光发射谱研究

利用原位光发射谱对衬底附近的化学气相性质进行了研究．研究表明,氮气的引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化．含氮基团的萃取作用提高了金刚石表面氢原子的脱附速率,从而提高了金刚石膜的生长速率．而含氮基团的选择吸附使金刚石（１００）取向变得化学糙化,这种化学糙化使得（１００）晶面生长速率远大于其它晶面,最终使金刚石薄膜呈现（１００）织构．还利用化学气相沉积方法研究了氮气浓度对金刚石生长的影响,结果与光发射谱分析是一致的．     

偏压对MPCVD金刚石薄膜织构生长的影响

通过偏压激波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）成功地在Ｓｉ（１００）上生长出具有（１００）织构的金刚石薄膜。阐述了实验过程,讨论了偏压对（１００）织构金石薄膜成核与生长条件的影响,偏压有助于成核密度的提高和有利于（１００）织构生长,采用ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ光谱等对所得榈进行了表征。     

{100}织构化学气相沉积金刚石薄膜的取向生长过程

为了研究化学气相沉积（CVD）金刚石薄膜生长过程中{100}织构的形成机理,采用x射线衍射、电子背散射衍射和扫描电镜研究了CVD自支撑金刚石薄膜的宏观织构、微区晶界分布和表面形貌。结果表明：金刚石薄膜以{111}面或{100}面为生长前沿面都能够形成{100}织构,但形成的表面形貌不同;通过吸附CH3-和CH3-在{1...     

P-ATH阻燃环氧树脂的阻燃耐热性研究

氧指数（ＬＯＩ）测定、热重法（ＴＧ）、热形变（ＨＤ）研究等方法的结果表明,赤磷（Ｐ）、水合氧化铝（ＡＴＨ）能较好地阻燃环氧树脂酸酐固化物,较小影响其耐热性,Ｐ按凝聚相机理,ＡＴＨ按气相和凝聚相机理发挥阻燃作用,二者配用可通过降低树脂固化物的失水温度、促进失水物炭化,抑制赤磷燃烧等方式发挥凝聚相阻燃协同效应。     

微波等离子体化学气相淀积法生长取向性纳米氮化铝薄膜

采用微波等离子体增强的化学气相淀积法，在Si（111）衬底上生长了（002）择优取向良好的AIN纳米薄膜研究淀积参数对膜的形貌、物相结构和生长速率的影响，发现在一定条件下，该起积过程属于典型的输运控制过程采用表面吸附生长模型讨论了膜的生长机制     

衬底对CVD生长石墨烯的影响研究

石墨烯有独特的结构和优异的性能,在电子、信息、能源、材料和生物医药等领域都有着广阔的应用前景。为了更好的应用这种新型材料,如何大规模可控合成高质量石墨烯是一个必须克服的困难。相比与机械剥离法、化学氧化还原法和碳化硅表面外延生长法,化学气相沉积法（CVD）因其可以生长大面积高质量连续石墨烯膜而倍受关注。基于石墨烯的生长机理,从衬底材料的角度,综述了近几年衬底对CVD生长石墨烯的影响的研究进展。展望了衬底选择的发展新趋势。