可见至近红外波段多通道偏振辐射计的研制

设计了一种多通道偏振辐射计,系统采用固定滤光片、旋转偏振片的方法获取目标多波段偏振信息,双集束结构将偏振辐射计的波段范围从可见扩展至近红外和短波红外.重点阐述了系统的结构原理及各个模块的设计与实现方法,给出了偏振辐射计检测积分球直接输出和积分球加起偏器后输出光束的偏振度值,以验证偏振辐射计的偏振测量精度.检测结果表明,该多通道偏振辐射计的偏振测量精度优于2%,基本达到了系统设计要求.     

平面阵列天线加工

根据平面阵列天线产品的设计要求，基于柔性设计制造中心条件，通过加工仿真、实切试验等一系列工艺验证方法的应用，探讨了大尺寸、薄壁、腔体类平面阵列天线制件的精密加工技术，采用该技术，可有效解决类似产品的高效生产问题。     

阵列探测技术在激光测距中的应用

高精度的空间碎片观测数据对航天器碰撞预警具有重要意义,激光测距技术是目前空间目标距离测量中精度最高的一种技术,但大多数空间碎片上并未携带角反射器装置,激光测距回波信号较弱。阵列探测技术可以提高回波信号较弱的空间碎片激光测距探测成功概率,中国科学院云南天文台2015年开始开展基于阵列探测技术的激光测距试验,2017年成功将阵列超导纳米线单光子探测器和多通道事件计时器等阵列探测技术应用于激光测距试验系统中,分别在2017年3月和2018年3月的激光测距试验中,成功采集2×2和4×4阵列激光测距数据。其中探测到最小目标为轨道高度约1 000 km、大小为雷达截面（Radar Cross Section,RCS ） 0.045 m2的空间碎片;探测到最远目标为斜距约5 000 km、大小为RCS 18.25 m2的空间碎片。     

高重频光子计数激光雷达样机设计及测距试验

为了验证星载激光三维成像雷达技术,设计研制了一种基于高重频光子计数体制的分视场、无扫描的多通道激光雷达地面原理样机。系统采用两路高重频、微脉冲激光器输出,结合大光斑多元细分阵列光子探测方式实现多通道探测,并采取基于FPGA的时间相关符合计数信号处理技术,对单光子响应时刻进行时间间隔测量和时间相关统计,根据目标响应发生时机一致性和噪声响应的随机性提取目标距离信息。在外场试验中对水平距离大于10 km的楼宇目标进行了有效地测量,单通道的距离测量精度优于0.3 m,探测概率超过99%,并对比不同大气能见度下对测距的影响。该系统验证了星载激光雷达大光斑多元细分、光纤拼接焦面接收方案的可能性,并验证光子计数体制激光雷达测距精度及适应性。     

塑料模具设计与制造：第七讲 型腔加工工艺和模具的装配工艺

型腔是模具成型工件外形的工作零件,是塑料模具的主要组成部分。型腔的形状比较复杂,尺寸精度要求较高,表面粗糙度较小,而且属盲孔型内成形表面,所以加工比较困难。型腔加工方法主要有:使用通用机床加工、冷挤压加工、电火花加工和其它一些新工艺方法。塑料模具制造属单件生产,在装配技术要求方面,有其特殊之处,主要采用修配法和调节法来保证装配精度。一、通用机床加工型腔 (一) 型腔回转曲面的车削加工     

低空目标光纤麦克风阵列无源测向技术

由于武装直升机、巡航导弹等超低空突防目标位于地面雷达探测的盲区,近年来采用声阵列探测受到广泛关注。研究了基于时延估计的低空目标声阵列无源测向理论与算法,设计了基于广义互相关算法的光纤麦克风平面五元十字阵的低空目标无源测向模型,采用光纤麦克风阵列可以保持各通道良好的幅相一致性。推导了五元十字阵目标定位方程,并分析了时延估计误差、有效声速误差以及阵尺寸测量误差等对目标测向精度的影响。最后,对五元十字阵声阵列测向进行仿真,并给出了仿真分析结果。     

16通道微型集成滤光片制备技术的研究

多光谱成像光谱技术正在向光谱通道更多、集成度更高、体积小和重量更轻的方向发展,而用于分光的多通道滤光片是其关键光学元件,需要相应发展新型多光谱窄带集成滤光片制备技术.提出了组合刻蚀法布里-珀罗(F-P)滤光片间隔层的方法,将光学薄膜制备技术,离子束刻蚀技术与掩膜法技术相结合,形成新的多通道集成滤光片的制备方法.并在单个微型基片上,成功制备了集成16通道窄带线阵滤光片,获得的单元滤光片几何线宽为0.7mm,相对半峰全宽优于1.0%,透射峰定位精度优于0.25%.这一方法不但可满足集成度更高的滤光器件的要求,而且拓展了薄膜制备的方法.     

NOA73材料的微透镜阵列快速制造技术

针对传统微透镜阵列制作工艺复杂、成本高、周期长等缺点,研究了一种低成本、高效率制作微透镜阵列的技术方法。以SU-8负性光刻胶为主模结构材料,采用2次紫外斜曝光工艺,加工出主光轴平行于硅基的微透镜阵列作为主模结构。依次采用聚二甲基硅氧烷(PDMS)软光刻技术和NOA73紫外曝光技术对主模结构进行复制得到PDMS和NOA73 2种材料的微透镜阵列,用共聚焦显微镜观察微透镜阵列的表面形貌并搭建光学检测平台,测试微透镜阵列的成像效果。结果显示,NOA73材料的微透镜阵列具有更好的光学性能。通过上述工艺加工的微透镜阵列具有较好的成像效果和表面形貌,重复性好且加工周期短,可集成在微流式细胞仪中用于样本流的荧光检测,提高了检测精度。     

EDM封闭型腔工艺研究

一、研制目的半导体器件塑封模具的型腔加工是整副模具研制成败的关键，型腔特点是数量多而一致性要好，形状复杂而尺寸及型位精度要求高，加工难度大。S9－2E1塑封模型腔结构采用整体式来代替传统的分体形式，可简化制造，降低模具成本，缩短制模周期，加快新品开发。二、研制     

基于阵列探测技术的激光测距数据预处理方法

阵列探测技术对回波信号及其微弱的空间碎片激光测距系统具有重要意义,可提高探测成功概率。针对这一崭新的激光测距技术,文中研究了基于阵列探测技术的激光测距数据预处理方法。在常规卫星激光测距数据预处理方法基础上,针对阵列超导探测器特点,结合地靶测量方法和多高斯拟合及互相关分析方法,实现了多通道激光测距数据的通道间的时间偏差修正;利用泊松统计分析、循环拟合滤波等方法,实现了多通道激光测距数据的自动识别、数据拟合等。目前该方法已经成功应用于中国科学院云南天文台4×4阵列激光测距试验平台试验中,并获得良好的效果。     

NIL—a low-cost and high-throughput MEMS fabrication method compatible with IC manufacturing technology

Current MEMS fabrication technology cannot satisfy the simultaneous needs of 3D structure fabrication and compatibility with IC manufacturing technology, which have impeded the development of MEMS industrialization to a certain extent. Nanoimprint lithography (NIL) provides a new MEMS fabrication method that is compatible with IC manufacturing technology and bears high throughput and low cost. This paper presents an in-house prototype NIL tool with a high precision automatic alignment system based on moiré fringe signals. Some printing results of nanostructures or micro-devices using the prototype are presented, and hot embossing lithography, one typical NIL technology is depicted in detail by taking microlens array fabrication as an example. High fidelity and fine uniformity demonstrate NIL will be a new method to fabricate 3D structures of MEMS.     

基于激光调制技术的射击训练模拟系统

为了设计贴近部队轻武器射击训练的模拟系统,基于激光调制技术,结合TSOP34838芯片作为光电接收器件设计了仿真靶。使用滤光薄膜解决普通激光器光斑过大的问题,通过阵列式多路信号检测的方法简化了系统硬件设计,实现了多路数据信号快速简单的采集,通过设置振动传感器识别脱靶情况并增加了模拟训练的逼真度。结果表明,该系统使用无线通信方式,具有操作简单、稳定性高、细节处理得当、实用性较强等优点。     

一种新型聚合物微透镜阵列的制造技术

提出了一种利用软模压印制备微透镜阵列的技术.采用传统的光刻胶热熔方法制备微透镜阵列母板,利用复制模具的方法在聚二甲基硅氧烷(PDMS)上得到一个和母板表面图形相反的模具,最后通过压印的方法把PDMS模具上的图形转移到涂有紫外固化胶的玻璃基片上,待紫外胶完全固化后可得到和母板一致的微透镜阵列.经过测试微透镜阵列的焦点图像和表面形貌可发现最后制备的微透镜阵列表面形貌均匀、聚焦性能良好、光忖强均匀.     

ICF微靶数字化制造设计与实现

惯性约束聚变(ICF)微靶(靶丸)是惯性约束聚变物理设计思想的直接体现,其制备过程有着非常明显的特点：精确度要求高;工件尺度小且跨度大;面向的材料范围广;靶型多,批量小,且数量多;结构形状复杂且多种多样;传统方式制备工艺繁琐且制备周期长。利用先进信息技术建立完备的数字化微靶制备能力,解决关键工艺数据流程和精确度控制技术问题,是提高微靶质量和效率的重要手段。本文通过描述数字化靶制备系统的设计目标和思想,重点阐述了系统的制造过程和体系结构设计、技术特点、实现方法以及实施和部署方式,并在此基础上,展示了系统成功实施后的部分运行效果与良好的应用前景。     

大口径双弯曲碳纤维天线集成制造技术

大口径双弯曲碳纤维天线具有重量轻、刚强度高和曲面精度高等特点,适合应用于对重量控制要求严格的机载、球载雷达系统中。文中结合其特点,深入分析了影响碳纤维天线面精度的主要因数,如刚度、连接等影响;介绍了关键制造技术,如工艺流程优化、模胎设计、接口强化和精度检测等技术,该技术已成功应用于8m×4．5m碳纤维天线集成制造中,满足了重量、面精度和刚度等设计指标,电测性能优异。     

利用相控阵雷达实现气象探测

短时临近气象预报需要天气雷达对天气目标进行定量测量,以便对天气现状以及发展趋势做出准确预判。相控阵雷达应用于气象探测,利用其多通道以及快速多变的波束扫描能力实现对天气目标的快速扫描,雷达系统设计采用实时在线标校的技术设计,能提高探测的可信度和气象产品的质量。文中在分析了气象探测原理的基础上,给出了微波相控阵雷达实现对气象目标定量探测的设计思路与技术要点。     

空/时对称阵列雷达非高斯杂波背景下多秩距离扩展目标检测方法

针对多通道阵列雷达从实际杂波中检测目标场景,该文提出了一种面向多通道阵列雷达非高斯杂波背景的多秩距离扩展目标检测方法。首先,利用秩大于1的子空间矩阵和相应距离单元的坐标向量,建立了多秩距离扩展目标模型;然后,利用雷达接收单元空间或时间中心对称探测场景下杂波协方差矩阵的反对称结构信息,通过酉变换,采取广义似然比、Rao、Wald检验准则,构建待解参数小样本估计策略,设计了面向非高斯杂波背景的多秩距离扩展目标检测方法。最后,通过理论推导证明了所提检测方法相对于杂波协方差矩阵具有恒虚警特性。基于仿真数据和实测数据的实验结果表明,所提检测方法能够保证对杂波协方差矩阵具有恒虚警特性,此外,相较于现有检测方法,所提检测方法提升了小训练支持的目标检测性能,并且在导向矢量失配条件下,有效地改善目标检测的稳健性。      

Feasible approach for processes integration of CMOS transistor gate/side-wall spacer patterning fabrication

As the gate length is scaling down, the spacer design for CMOS transistor becomes increasingly critical manufacturing process. In recent CMOS technologies, side-wall spacers play an important role in the control of short channel effects by offsetting ion implantation profiles from the edge of the gate. The present approach to overcome these fabrication limitations. The spacer patterning technology yields critical dimension variations of minimum-sized features which are much smaller than achieved by optical integrated lithography and etching processes. Generally relates to semiconductor manufacturing, and more particularly to nanotechnology fabrication feasibility for CMOS wafer process on gate spacer technology manufacture feasibility. A modified side-wall spacer patterning method was implemented for using conventional lithography and etching processing technology. Based on the systematical investigation of the effects of the various etch conditions on etching profile and their impacts on the sidewall transistor gate structure, a novel integrated process for well controlled side-wall spacer formation was developed for fabrication.