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2MeV、(1~2)×1014cm-2硅离子注入SI-InP(Fe)造成负的(-3.4×10-4~-2.9×10-4)晶格应变,光快速退火的激活能为0.26eV。880℃/10s退火可得到100%的施主激活。间断两步退火(375℃/30s+880℃/10s)使注入层单晶恢复完全,较大程度(20%~35%)地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在0.5~3.0μm的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻(7.5Ω)高浓度[(2~3)×1018cm-3]的n型导电层。 相似文献
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在静压和液氮温度下观察到(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达4阶的类ZnSeLO多声子喇曼散射,并观察到厚ZnSe势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ZnSeLO声子散射.结果表明,加压后(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中的类ZnSe的1LO和2LO声子模频率分别以3.76和7.11cm-1/GPa的速率向高频方向移动,超晶格阱层光致发光峰的压力系数为59.8meV/GPa.与(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格共振时的类ZnSe1LO声子模频率比与ZnSe势垒层共振时的类ZnSe1LO声子模频率低2.0cm-1,反映了(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中LO声子的限制效应 相似文献
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常温下用剂量为4×10(15)电子/cm2的1.8MeV电子束对CZ-Si单晶制成的p+n二极管进行了辐照,采用深能级瞬态谱技术(DLTS)在该样品中观察到4个深能级,并对其形成原因进行了讨论。 相似文献
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ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征 总被引:7,自引:0,他引:7
本文利用化学共沉淀法分别制得Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Al(OH)3、Mg(OH)2以及Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Sb(OH)3、Bi(OH)3、Sn(OH)4、Co(OH)3、MnO(OH)2两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ZnO及相应的添加剂陶瓷复合粉体.TEM分析结果表明:两种陶瓷复合粉体的粒径均小于100nm.利用前者,通过添加适当的Al2O3和MgO,制备出了电阻率约10~2000Ω·cm,V-I特性较好的ZnO线性陶瓷电阻.利用后者,通过适当的杂质配比,在100 相似文献
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sol-gel法制备微波介质陶瓷材料 总被引:10,自引:1,他引:9
以Zr(NO3)4·5H2O、Ti(OC4H9)4、SnCl4·5H2O为原料,用溶胶-凝胶法制备了Zr-Ti-Sn系微波介质超微粉料。实验表明:温度、湿度、溶液浓度、pH值等是影响形成溶胶、凝胶的主要因素。采用合适的工艺参数能制备出高Q值的微波介质陶瓷微粉。 相似文献
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在(100)取向半绝缘GaAs衬底上,采用独特的含有InSb非晶过渡层的两步分子束外延(MBE)生长了异质外延InSb薄膜。InSb外延层表面为平滑镜面,外延层厚度约为6μm,导电类型为n型,室温(300K)和液氮(77K)霍尔载流子浓度分别为n_(300K):2.0×10 ̄(16)cm ̄(-3)和n_(77K):2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3);电子迁移率分别为μ_(300K):41000cm ̄2V ̄(-1)S_(-1)和μ_(77K):51200cm ̄2V ̄(-1)S ̄(-1)。InSb外延层双晶衍射半峰宽为198arcs,最好的InSb外延层的半峰宽小于150arcs。采用InSb非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度,改善了InSb外延层的质量。 相似文献
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高温超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶晶界结及光探测器 总被引:1,自引:0,他引:1
在晶界夹角为24°的Zr(Y)O2人工双晶基片上制备高温超导双晶Gd-Ba2Cu3O7-δ薄膜,用光刻技术在晶界上刻出10×10m2的双晶晶界结,它与外电路一起构成光探测器。在80K用He-Ne激光和500K黑体作为辐射源测量了光探测器的响应特性。探测结果:噪声等效功率NEP分别为6.7×10-14和3.8×1014WHz-1/2,归一化探测率分别为1.4×1010和2.6×1010cmHz1/2W-1;响应度分别为1.8×107和3.2×107VW-1。 相似文献
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利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法,测试分析了在周期性电场应力下FLOTOXMOS管隧道氧化层中陷阱电荷的特性,为研究陷阱电荷对FLOTOX EEPROM 阈值电压的影响提供了实验依据。在+ 11 V、- 11 V 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为- 1.8×1011 cm - 2和- 1.4×1011 cm - 2,平均俘获截面分别为5.8×10- 20 cm 2 和7.2×10- 20 cm 2,有效电荷中心距分别为3.8 nm 和4.3 nm ,界面陷阱电荷饱和密度分别为6.54×109 cm - 2eV- 1和- 3.8×109 cm - 2eV- 1,平均俘获截面分别为1.12×10- 19 cm 2 和4.9×10- 19 cm 2。 相似文献
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本文报导在4×622Mb/s)×160km等三个常规单模光纤无中继传输实验系统,以及4.354Gb/s×200km常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果.带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别>+4dBm/信道(4×622Mb/s)和11dBm(单路2.5Gb/s),频率稳定度分别优于6×10-6和4.1×10-6.带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到-46.8dBm(622Mb/s,NRZ223-1PRBS)和-39.5dBm(4×2.5Gb/s,NRZ223-1PRBS).系统各信道误码率分别优于4×10-12~4×10-15. 相似文献
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采用准分子激光扫描消融法淀积性能均匀的YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导薄膜,用离子束刻蚀进行器件的图形制备,获得了非均匀性小于10%的YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导薄膜8元线列探测器.测试了器件在8~14μm波段的性能及光响应特性,单元探测器为40×100μm2的微桥结构.器件的平均归一化探测率为1.44×109cmHz1/2w-1,平均噪声等效功率为4.4×10-12WHz-1/2,D的非均匀性小于10%.研究结果表明:该线列探测器具有良好的均匀性,证实了该工艺适用于制备均匀性良好的高温超导薄膜红外探测器阵列. 相似文献
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文中报导了用分子束外廷工艺在GaAs(211)B衬底上生长了较高质量的中、长波HgCdTe薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为x=0.330和0.226的两种材料,77K时载流子浓度和迁移率分别为p=6.7×1015cm-3、up=260cm2V-1s-1和4.45×1015cm-3、410cm2V-1s-1。研制了平面型中、长波线列光伏探测器,其典型的探测器D分别为5.0×1010cmHz1/2W-1和2.68×1010cmHz1/2W-1(180°视场下),其中64元线列中波探测器与CMOS电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。 相似文献
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已研制出一种高性能5μm640×480蓝宝石衬底的HgCdTe/CdTe/Al_2O_3红外焦平面阵列(FPA),在低于120K温度下,它有全电视兼容分辨率和优良的灵敏度.在95K工作温度和10 ̄(14)光子数cm ̄(-2)S ̄(-1)的背景通量下,平均焦平面阵列D ̄*受背景限制,其值约为1×10 ̄(12)cmHz ̄(1/2)W ̄(-1),典型的平均量子效率为60%~70%。制造这种大面阵、高灵敏度器件的关键工艺,是在有稳定的CdTe缓冲层的蓝宝石衬底上,外延生长HgCdTe材料。在低于或等于120K的工作温度和3.4~4.2μm的波段内,相机的平均噪声等效温差NE△T为0.013K;该值比目前可实用的PtSi焦平面阵列相机的高一个数量级,而PtSi焦平阵列相机要求制冷到低于或等于77K,才能保持其性能。 相似文献
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本文用半经验紧束缚法(LCAO)对赝形生长在(001)Si1-yGey(0≤y≤1)衬底上的Sim/Gen(2≤m+n≤40)应变层超晶格的能带结构进行了系统的计算.结果表明,当Si层和Ge层的厚度m和n的取值分别为(1,4),(2,3),(3,2),(4,1),(2,8),(3,7),(4,6),(6,4),(3,6),(6,3),(7,7)时,对称应变Sim/Gen超晶格的能带结构为直接带隙,其中m+n=10的规律已为近两年其它理论计算和部分实验结果所证实.本文所得的m+n=5及其它m+n≠10的直接 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献