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论述了E^2PROM的设计技术,包括单元设计,升压电路设计,存储阵列设计等,然后扼要介绍了其工艺过程和关键工艺,最后给出了E^2PROM单元和电路的性能。 相似文献
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我们开发了一种新的工艺技术,实现了在CMOS VLSI制造中嵌入E^2PROM的制造技术。在此新工艺中,制造的是单层多晶硅的E^2PROM。与传统的双层多晶硅E^2PROM的工艺相比,减少了25%的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层,可以缩小在CMOSVLSI中嵌入的E^2PROM的器件尺寸。器件工作电压范围宽为1.5-6V,静态电流低于100nA。 相似文献
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隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
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延长E ̄2PROM使用寿命的一种方法王永臣,王有发,王秀兰在以单片机为核心的测控装置中,常常需要保留一些数据,要求系统掉电时信息不丢失,通电时又可改写这些数据。此时一般的**H和***OM就显得无能为力。自从80年代初E’PROM问世后;这个问题才得... 相似文献
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文章介绍串行CMOSE2PROM24CXX在IC卡中的应用,并以24C01为例对它们的读写操作和通信协议进行了重点阐述。 相似文献
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串行E^2PROM AT24CXX的原理及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
本文分析了美国爱特梅尔(ATMEL)公司生产的最新二线式串行CMOSE^2PROM芯片AT24C01/02/04/08/16的内部结构性能特点,读写时序,并说明了使用方法。 相似文献
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本文讨论了理想情况下FLOTOX结构E^2PROM在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化,并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。模拟结果表明适当的斜坡脉冲电压可处FLOTOX结构E^2PROM的寿命。 相似文献
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本文介绍了可编程看门狗监控E^2PROM芯片X5045的功能介绍及使用技巧,并附带了相关C代码源程序。 相似文献
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本文采用恒定电流应力的QBD测试来描述超薄隧道氧化层的质量。E^2PROM失效的内在机理是由于隧道氧化层中的电荷陷阱。并同时给同了QBD的测试方法。测试表明,使用8nm隧道氧化层,QBD〉5C/cm^2时可获得高质量的E^2PROM电路,擦/写次数可超过100万次。 相似文献
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本文介绍了E^2PROMX2444的内部结构,管脚功能和工作原理,并详细阐述了典型应用电路。 相似文献
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用I^2C总线实现串行E^2PROM与单片机PIC16C54的接口设计及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍的是串行E^2PROM与单片机PIC16C54的硬件连接,阐述了PIC16C54对24C02的读写程序,最后简述在报警系统中的应用。 相似文献
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提出一种FLOTOXE2PROM存储管的电流—电压模型,模型的模拟结果和实验结果相吻合,该模型为精确设计和利用E2PROM单元提供了理论基础。 相似文献
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本文首先介绍EEPROM和IC卡的芯片,然后概述了2K位IC专用的EEPROM集成电路的特点和基本功能,并对电路的各功能块,命令了时序作了详细的描述,最后介绍了该电路的电性能参数。 相似文献
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基于E ̄2PROM的单片机PIC16C84福州高奇电子科技公司李东星,陈小牧美国Mierechip公司近年推出的PIC系列单片机深受市场欢迎。我们已经向读者介绍了其中的PIC1605X和PICJ16C71,现在再向大家介绍一种新型的,基于E2PROM... 相似文献
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超薄SiO2膜经快速热处理后,电特性得到了改善,本研究用超薄RTPSiO2膜制作MOS电容,h-NMOSFET中介栅介质层及FLOTOX-E^2PROM中作隧道氧化层,取得了一些实验结果,从结果中可以看出具有实有价值。 相似文献
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I2C是一种常用的串行总线。文章以I2CEEPROM为例,介绍了Motorola单片机与I2C接口的时序、实现方法和具体程序. 相似文献
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详细介绍了一种带4KE^2PROM低功耗微处理器监控集成芯片X25045,并给出了实际使用的硬件连接与软件设计程序。可广泛应用于通讯、工控产品等各个领域。 相似文献
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PIC16C5X单片机与串行EEPROM24LC系列接口技术 总被引:5,自引:2,他引:3
文章介绍了串行E2PROM的I2C接口总线的时序、具体操作步骤及在PIC6C5X系列单片机上具体程序实现。 相似文献