光盘预刻槽形测量的扫描隧道显微技术

本文报道用自行设计的扫描隧道显微镜对光盘预刻槽进行测量。为观察大范围的结构,我们设计了一个新的大范围扫描头(～6μm),并成功地观察到预刻的槽形,给出了光盘预刻槽的灰度图像、三维轮廓像及剖面轮廓。为评价预刻的槽形提出了一种有效的测量手段。     

用小孔滤波器确定光盘录刻的最佳调焦位置

本文介绍光盘录刻装置中确定物镜的正确聚焦位置的简便方法——小孔滤波器法。该方法的对焦精度可达±0.25μm 以内。     

YAG激光扫描刻槽机

本文设计了一种新型扫描激光刻槽机。分析了刻槽机的激光扫描系统和机械传动系统。YAG激光刻槽机每分钟能刻20个电阻,扩阻率500～3000倍;槽宽50μm;阻值精度±0.5%(R<1mΩ),±1%(R>1MΩ)。     

激光二极管连接器

由Semiconductor Equipment公司最近推出的410XP型半导体激光二极管连接器具有±1μm～±2μm的连接精度,其放大倍率750×、宽范围闭环控制、外形尺寸小,并附有任选超声换能器该连接器的观察系统易于校准移动间距可小至0.1μm适用接合倒装芯片垂直腔面发射激光器端发射激光二极管和激光器棒和阵列等     

混合光学单片

德国Lissotschenko Mikrooptik责任有限公司生产的单片式混合器件,效率为70％,数值口径为0.22。这种混合式光学单元器件的优点是易于校准和易于控制。安装简单,允差为±50μm。采用独特的单片安装技术,成本低。采用单条式发射器和层叠式组     

光驱挑盘的原因和处理方法

<正> 光驱挑盘是指光驱无法正确读出某些光盘的数据而对另一些光盘却能够正确读出数据的现象。光驱读不出数据时,屏幕会显示“设备没有准备好”的提示信息,从而使操作无法继续下去。 光驱的读盘过程是这样的:光驱中激光二极管发射的红色激光,通过透镜聚焦到光盘上,经过光盘背面的铝涂层反射,由光电转换电路拾取,再进行放大,然后转换为标准数字编码信号。由于光盘上的轨道间距非常小(标准间距为1.6μm),很容易造成激光束跳格。为了保证信息正确读出,光驱中还有一系列非常复杂的纠错系统,当读出信号有误时,纠错系统重新试读,从而大大降低了误码率。光驱挑盘是电脑爱好者最头痛的事情之一。从工作原理上看,光驱挑盘是由光驱和光盘两方面的原因造成的。 光驱方面的原因主要有以下3种:(1)光驱机械部件磨损、     

VCD影碟机伺服电路故障分析与检修

<正> 伺服电路是VCD影碟机的核心电路之一,其作用是机器工作时,保证激光头准确地跟踪扫描光盘上的信息轨迹,从而有效地拾取其图像和声音信号。因为信息纹的宽度只有0.5μm,轨迹与轨迹之间节距只有1.6μm,光碟在旋转中信号面必然有一定的波动,所以要保证激光头准确读取信息,必须设置精密的伺服电路,用以进行自动控制。这种伺服电路如同录像机伺服电路一样,均是通过取样和比较,产生误差信号来进行控制的,同样具有速度伺服和相位伺服两个环路。虽然现在的VCD机中均采用全数字伺服电路,使性能进一步稳定可靠,但其结构仍然复杂,而且牵连甚广,一旦发生故障,维修起来比较困难。本文介绍VCD机伺服电路的故障特点、故障根源和检修逻辑,并结合实例示出检修方法。     

对ZGK-50型自动对准投影光刻机自动对准系统电气最佳状态的讨论

河北半导体研究所与清华大学联合研制了我国第一台自动对准投影光刻机—ZGK-50型.其自动对准精度为±0.25μm,套刻精度为±1μm,这是对我国半导体工业的一个贡献.本文仅对ZGK-50的自动对准系统电气部分中两个重要问题作了比较深入的分析.其一是如何取出一个稳定的,并能灵敏地反应工作台位置的最佳对准信号,其二是利用功能化简法将逻辑控制电路化简到最简式.     

用于自对准Si MMIC的等平面深槽隔离工艺(英文)

研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后再采用高密度等离子体刻蚀设备对多晶硅进行反刻,其刻蚀时间通过终点检测系统来控制,最后再刻蚀出0.8μm深的有源区硅台面和采用1.5～1.6μm厚的氧化层对场区进行填充,藉此来保证隔离槽和有源区处于同一个平面上。此深槽隔离工艺与目前的多层金金属化系统兼容,且该工艺不会造成明显的硅有源区台面缺陷,测试结果表明:在15 V下的集电极-集电极漏电流仅为10 nA,该值远低于全氧化填充隔离槽工艺的5μA。     

基于DVD双光束多层数据存储系统的设计及仿真

为了实现三维光信息存储的实用化, 在三维光盘存储实验系统的基础上, 改进、设计出了一种可用于三维数据存储的单侧读写光学头。对光学头进行了光学和控制系统的设计, 利用专门设计的耦合分光棱镜进行光束耦合和分离; 采用双音圈电机控制透镜的方式实现数据的选层; 进行了聚焦伺服系统的建模和仿真。结果表明双光束焦点同步误差保持在±3μm之内。     

具有非平面埋氧层的新型SOI材料的制备

提出一种基于SDB技术的非平面埋氧层SOI材料制备方法.其关键技术包括:通过干法刻蚀、高压氧化和淀积二氧化硅获得高质量非平面埋氧层;通过化学气相淀积多晶硅来形成键合缓冲层,并运用回刻光刻胶和化学机械抛光来实现键合面的局部和全局平坦化;通过室温真空贴合、中温预键合和高温加固键合来进行有源片和衬底片的牢固键合.基于该技术研制了有源层厚度为21μm、埋氧层厚度为0.943μm、顶面槽和底面槽槽高均为0.9μm的具有双面绝缘槽结构的非平面埋氧层新型SOI材料.测试结果表明该材料具有结合强度高、界面质量好、电学性能优良等优点.     

套刻精度为±0.5μm的投影光刻机

<正> Perkin-Elmer公司宣布:他们已试制出二种先进的掩模投影光刻机——Micralig n500型(每小时能处理5英寸的硅片100枚)和Micralign300型(每小时能处理4英寸的硅片60枚左右)。据该公司说,这二种设备的套刻精度均为±0.5um。Micralign500型的分辨率为0.9～1.25μm,这主要随工作波长而定(在紫外线谱带内)。基本价格为68万美元。Micraligu300型的分辨率为1.125～1.25μm,也随工作波长而定。基本价格为29万5千美元。Perkin-Elmer公司声称:Micralign300型的生产率     

具有非平面埋氧层的新型SOI材料的制备

提出一种基于SDB技术的非平面埋氧层SOI材料制备方法.其关键技术包括:通过干法刻蚀、高压氧化和淀积二氧化硅获得高质量非平面埋氧层;通过化学气相淀积多晶硅来形成键合缓冲层,并运用回刻光刻胶和化学机械抛光来实现键合面的局部和全局平坦化;通过室温真空贴合、中温预键合和高温加固键合来进行有源片和衬底片的牢固键合.基于该技术研制了有源层厚度为21μm、埋氧层厚度为0.943μm、顶面槽和底面槽槽高均为0.9μm的具有双面绝缘槽结构的非平面埋氧层新型SOI材料.测试结果表明该材料具有结合强度高、界面质量好、电学性能优良等优点.     

全主动锁模激光器——预激光锁模激光器

描述一种全主动锁模激光器,它采用预激光锁模技术,脉冲宽度从300ps到1500ps连续可调,脉宽稳定性为±5％。脉冲能量为200μJ,脉冲幅度起伏小于±3％,信噪比大于10~7。     

以微细加工设备为例评述精密定位工件台系统的发展趋势

<正> 半导体硅片的微细加工,对母掩模版的制造精度提出了很高的要求。一组掩模的套刻精度,主要取决于分步重复相机坐标工件台的精度。套刻误差不得大于最小线宽的约10—20%,即±0.1—0.2μm。工件台的精度又取决于两个坐标的重复定位精度和定向精度。这也就是说,要有一个精密的制造掩模平行导向运动     

i线+移相掩模法制作256M DRAM存储单元

<正>据《Semiconductor World》1992年第8期报道,日本日立制作所制作了世界上最小的256M DRAM存储单元。 该存储单元的设计规格为0.25μm,尺寸为0.6μm×1.2μm(0.72μm~2)。原准备使用准分子激光光刻来实现规模生产,但由于投资庞大而用i线+移相掩模技术来进行尝试。难点是焦深问题。一般在NA=0.5情况下,i线的焦深约为±0.25μm,结合使用移相掩模技术其极限约为±0.6μm。此外,圆筒形电容存储器的存储阵列与周边电路的段差为1.0μm。     

美国商业信息

1、药片溶解情况的测试系统 用于测试药品在体内完全溶解的“溶解试验系统”,其温差控制为±0.1℃,转速差控制为±0.1转/分。其特点是振动小、自动化操作,可高精度调节。     

光盘记录的改进

光盘记录和回放系统以极高密度存贮信息。不论单面或双面光盘都由螺旋形槽纹抅成，槽纹具有V形或倒梯形截面。槽面两边可作记录轨迹使用，使轨迹节距减少到单边轨迹的一半。     

光刻胶段差对光刻图形的影响与改善

TFT光刻制程中,光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上,各区域的光刻程度不同,严重影响着光刻图形的质量。文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析,根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化特点,推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时,光刻系统中光刻平面所应处于的位置,同时结合当前光刻系统焦平面的位置,计算出光刻平面的调整量,并以该调整量对当前光刻平面进行调整。结果表明:对于极限分辨率为2.41μm的投影光刻机,要使厚0.52μm的光刻胶段差内光强变化量为零,光刻平面调整量为9.434 42μm,且对光刻平面调整后10μm后,在DICD(Develop Inspection Critical Dimension)变化量较小的情况下,可显著改善沟道长为2.5μm的GOA(gate drive on array)区域的光刻胶残留。     

0.1μm SOI槽栅pMOS器件特性

制造了栅长0.1μm,栅氧厚度5.6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1.5V时,其饱和漏电流为380μA,关态泄漏电流为1.9nA;在Vds=-0.1V下的亚阈值斜率为115mV/dec,DIBL因子为70.7mV/V.实验结果表明,0.1μm SOI槽栅pMOSFET比同尺寸体硅槽栅pMOSFET拥有更好的电流驱动能力和亚阈值特性.