Kovar封装CMOS器件X射线剂量增强效应研究

在器件的金属化层及封装等结构中，高原子序数材料在低能X射线的辐照下，会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应，从而使得器件性能严重退化。主要介绍了柯伐封装的CMOS器件，在X射线和γ射线辐照下，其辐照敏感参数阈值电压和漏电流随总剂量的变化关系。并对实验结果进行了比较，得出低能X射线辐照对器件损伤程度大于γ射线，对剂量增强效应进行了有益的探讨。     

封闭壳体X射线屏蔽效能测量方法

针对X射线辐照环境中抗辐射加固技术研究的需求,建立了一种适用于电子系统封闭外壳的X射线屏蔽效能测量方法。以X射线机的轫致辐射输出为基础,通过滤波和多个连续谱的组合,实现了接近考核能谱的辐照X射线输出;利用Li F热释光探测器的优势,研究了X射线能量响应标定和屏蔽效能测量的应用方法。重点开展了20–100 ke V硬X射线辐照下封闭腔体屏蔽效能测量的实验研究,测量结果显示,除照射方向上的穿透X射线外,散射X射线对腔体内部剂量场具有显著的贡献。通过实验方法的建立和测量结果的分析,能为X射线抗辐射加固的结构设计和有效性评估提供实验参考。     

国产LiF(Mg,Cu,P)剂量片的X射线能量响应标定研究

针对国产Li F(Mg,Cu,P)热释光剂量片(TLD)开展了X射线能量响应的标定研究。利用标准剂量仪PTW-UNIDOS,以60Co源1.25 Me V的伽马射线为分析基础获得剂量-热释光输出之间的关系,在X射线机上通过荧光激发的方法解决单色X射线输出难题,建立了完整的标定方法。实验结果表明,对于100 ke V以下的X射线,本文封装的国产Li F(Mg,Cu,P)剂量片相对空气具有非常平坦的能量响应,能够用于脉冲X射线环境中的剂量测量要求,为器件的辐照损伤效应研究和抗辐射加固技术研究提供可靠保障。     

几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究

本文给出了大规模集成电路CMOS4069、浮栅ROM器件在北京同步辐射装置（BSRF）和钴源辐照的X射线剂量增强效应实验结果。通过实验在线测得CMOS4069阈值电压漂移随总剂量的变化，测得28f256、29c256位错误数随总剂量的变化，给出相同累积剂量时X光辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系。这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值。     

X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固

本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出了组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数，从实验结果出发，指出最佳的屏蔽Ｘ射线的方法。     

蒙特卡罗方法在器件屏蔽封装中的应用

用1.5MeV的电子对几种封装材料进行辐照,得到它的剂量深度分布曲线．同时用Monte-Carlo方法计算进行模拟,两着符合较好。高Z材料．如钨、钽是最好的屏蔽初级电子的材料．但从实用性设计考虑,这些材料都是导体,不利于对特殊结构器件进行包封,又设计了几种复合材料．这既达到了屏蔽的效果,又可以绝缘,可以直接对器件进行封装。建立的理论模拟方法,为预估二次封装器件的空间辐射环境抗总剂量能力提供了一种有效的方法。     

屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤

为了解决在评估抗辐射屏蔽封装材料的屏蔽效果时,应该以什么参数作为评判依据的问题,对屏蔽材料封装CMOS器件做了一些研究.通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化,分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理.通过分析,指出了当前屏蔽材料封装存在的不足,以及在采用CMOS器件考察抗辐射屏蔽封装材料时应该重点考虑静态功耗电流.     

CMOS器件X 射线与γ射线辐照效应比较

介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法。讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响。结果表明,对镀金Kovar合金封装的器件,在背向辐照的最劣辐照偏置下,X射线产生的阈电压漂移是^60Coγ射线的13.4倍。     

聚丙烯酸钐/环氧树脂辐射防护材料的制备工艺及性能

通过辐照接枝聚合的方法制备聚丙烯酸钐/环氧树脂辐射防护材料和聚丙烯酸钐/丙烯酸铅/环氧树脂辐射防护材料,研究不同剂量γ射线照射下样品的性能差异和不同金属浓度样品的性能差异,并比较钐元素和铅元素对光子的屏蔽能力。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)、能量色散型X射线能谱(EDAX)等方法研究了材料的微观结构;对材料的力学性能进行了测试和分析;用多道γ谱仪和GammaVision软件测试并分析了材料的辐射防护性能。结果表明：复合材料较纯环氧树脂力学性能得到了改善;材料制备过程中γ射线的照射剂量控制在50kGy左右为宜;稀土元素钐防护低能射线的能力强于传统的屏蔽元素Pb。     

强流电子束在角向磁场中产生的硬X射线测量

利用X射线吸收片以及和剂量片相结合的方法，测量了强流电子束在角向磁场中产生的硬X射线的剂量和能谱分布；采用仅对光子能量124keV以下的X射线相应灵敏的PIN半导体探测器，测量了硬X射线时间谱；研究了硬X射线的产生与靶厚、磁场电流的关系。