厚大断面球铁铸件冒口CAD系统

厚大断面球铁铸件生产中常产生缩孔、缩松缺陷,影响铸件质量。为保证铸件的铸造质量,节省生产费用,设计开发了厚大断面球铁铸件冒口CAD系统,缩短了设计生产周期并达到了优化工艺设计的目的。     

厚大断面球铁铸件冒口CAD系统

厚大断面球铁铸件生产中常生产缩孔、缩松缺陷，影响铸件质量。为保证铸件的铸造质量，节省生产费用，计算开发了厚大断面球铁铸件冒口ＣＡＤ系统，缩短了设计生产周期并达到了优化工艺设计的目的。     

长杆状高锰钢铸件铸造

介绍了长杆状高锰钢条铸件变形和缩松产生的原因，通过改变铸件的浇注位置和采用有利于实现顺序凝固的立做立浇的雨淋式浇注系统及低温浇工艺，实现了铸件的均衡收缩和逐层凝固，彻底消除了铸件变形，缩松缺陷，获得了较理想的效果。     

大型复杂薄壁铸件的差压铸造

本文概括介绍了大型复杂薄壁“外框架”铝合金铸件，采用差压铸造新的铸造工艺方法，编制铸造工艺的具体思路，设计原理，方法，工艺参数选择的整个步骤及过程。     

用溶液渗浸的Sno_2陶瓷的烧结

渗浸是用于粉末冶金以制作铜渗浸通电的最老工艺之一。近来确认了这种工艺可用于陶瓷基混合物的制造。也试图用类似工艺对znO-基变阻器体引入掺杂物以改变晶粒间界。纯SnO_2的烧结在比较低的温度下是很困难的,因为在1000℃烧结时它的致密化小于75％理论值。为了提高SnO_2的烧结,     

提高片状陶瓷电容器的耐焊接热

本文介绍了国产片状陶瓷电容器电极制作工艺的改进试验结果。采用电镀工艺,在烧渗银层上镀覆镍层和锡铅合金层制成Ag/Ni/Sn-Pb多层金属电极,可在270±5℃的焊锡溶液中浸焊而不溶蚀金属层,在电极表面浸镀的锡铅合金焊料层可焊性极佳。     

铝铸件气孔的止和补救

综述了气孔的形成机理和为了防止铝件气孔的形成采取的工艺控制手段，介绍了已形成气轧的铝铸件的修补方法。     

基于I—DEAS Drafting的零件图,铸件图,铸造工艺图一体化设计环境的开发

全面介绍了开发的“铸造工艺一体化设计环境”中各个功能模块的功能。本系统的开发除在解决铸件图，铸造工艺图的绘制上采取了一些先进技术外，还着重在“一体化设计环境”上下功夫。做到“一个零件一个文件，一个文件三种图样”。     

ABS粉末的选择性激光烧结成形及浸渗树脂后处理

研究ABS粉末的选择性激光烧结(SLS)成形工艺,并将其SLS成形件进行了浸渗环氧树脂后处理.结果表明:ABS粉末的SLS成形工艺参数为,激光功率12W,预热温度90~94℃,扫描速率2000mm/s,层厚0.15mm,扫描间距0.1mm.ABS成形件的力学性能较低,不能直接用作功能件.SLS成形件在浸渗树脂后力学性能有较大提高,拉伸强度、弯曲强度、弹性模量及冲击强度分别提高了519.2%、347.5%、368.4%及259.0%.     

后端框铸件的工艺性改造

本文介绍了通过对后端框铸件的工装和浇注系统，昌口系统的铸造工艺性改造，提高了铸件的尺寸精度，比较完全地消除了铸件的缩松缺陷以及气孔，夹渣等缺陷。     

电源技术

0101876触头材料液相熔渗过程分析与控制[刊]/梁淑华//西安理工大学学报.—2000,16(2).—175～178(D)对触头材料的熔渗机理、熔渗过程进行了详细的分析,并以制造 CuCr50和 CuW 系触头为例,提出了确定触头材料熔浸过程工艺参数的原则和方法:确定烧结工艺参数时要兼顾氧化膜的去除、保证骨架强度和孔隙通道。要考虑不同粉末粒径及生坯特性;而确定熔渗工艺参数时则要考虑骨架金属粉末的粒径、生坯的高度、牌号及熔渗剂熔点。参6     

6KV电机VPI绝缘缺陷局部处理方案设计及成功实践

用VPI整浸工艺对少胶VPI整浸6kV电机线圈上层边及端部绝缘缺陷进行局部处理,匝间绝缘、直流电阻测试、交、直流耐压试验合格,电机空载和满负荷试运时,振动、温升、电流等各项技术指标满足运行要求,能够长期安全稳定运行,并且所花费的时间,是更换电机整套VPI定子线圈所花费时间的二十分之一至三十分之一,费用也是传统方法的二十分之一左右。但是该方法也有其局限性,那就是只能对VPI绝缘定子绕组上层边和端部绝缘缺陷进行处理,不能对少胶VPI整浸工艺高压电机定子线圈下层边绝缘缺陷进行有效处理,这是由少胶VPI整浸工艺高压电机定子线圈云母和环氧树脂绝缘材料的机械、电气特性所决定的。     

ENEPIG控制以获得优良封装基板表面处理焊区

本文针对ENEPIG(化镍钯浸金)技术应用于封装基板表面处理,在化镍钯浸金工艺过程中,通过对镍层上化学镀钯控制、浸金控制,获得精确的沉积厚度和金层均匀性,达到良好的接触面。并就浸金过程中的渗金问题进行优化控制,达到焊区小间距的需求。通过对ENEPIG表面处理焊区和电镀镍金表面处理焊区的Wire Bonding(引线键合)能力、可焊性、抗老化能力进行试验比较,验证了本ENEPIG控制技术同时具有优于电镀镍金的引线键合可靠性和锡焊可靠性。本ENEPIG控制技术所获得优异可靠性的表面处理,并且满足无铅组装工艺所有需求,非常适用于封装基板的表面处理制造。     

扩镓补硼工艺的试验及应用

在低频大功率晶体管的制造中,采用的传统工艺是扩铝-硼形成基区,这种工艺较为成熟、稳定.随着对低频大功率晶体管耐压要求的提高,国外的生产经验,多采用扩镓工艺来达到高耐压的要求.我们在DD03、15晶体管的制造中,试采用扩镓工艺,基本达到了耐压较高的要求,但小电流放大系数严重减少,直接影响着用户的使用.为此,根据国外     

厌氧浸渗剂应用技术

厌氧胶是一种特种胶粘剂,发展史较短,使用范围广,特别是在密封防漏及特种加工方面越来越受到人们的重视。本文就其原理、种类及用于浸渗密封的工艺方法和优缺点进行了论述,并结合本人的实践,列出使用实例,以供有关设计、工艺、生产及管理人员参考。     

熔模铸件气孔的影响因素分析与控制

选取了典型熔模铸件,运用了六西格玛管理理论的DMAIC模式,采用流程图、因果图、回归分析、风险分析和控制图等分析、控制工具,对熔模铸件气孔的影响因素进行了分析,并提出了控制方法.     

雕刻技术的研制和应用

在对铝合金铸件进行X射线实时探伤时，由于采集回来的许多图像的目标物体的轮廓比较模糊，这样在评片时容易造成对铸件的误判和漏判。针对这种现象并结合这类图像噪声源多的特点，在研究常用卷积算法的基础上，采用特殊卷积（特殊的卷积核）操作，同时根据雕刻的艺术底色为灰色，最后给卷积结果加上灰度值128，实验结果表明图像中目标物体的轮廓变得更清楚，同时处理后的图像具有比较好的三维效果，这给工作人员在看图时带来了方便。     

SiC增强Al基复合材料的制备和性能

采用模压成型和真空压力浸渗工艺制备了高体积分数SiC增强Al基复合材料(AlSiC)。物相和显微结构研究结果表明,此种方法制备的AlSiC复合材料,组织致密且大小两种粒径的SiC颗粒均匀分布于Al基质中,界面结合强度高;SiC增强颗粒与Al基质界面反应控制良好,未出现Al4C3脆性相。对Al4C3相形成机理进行了分析,指出6061铝合金中的Si元素和真空压力浸渗工艺条件有利于防止脆性相Al4C3的形成。热性能测试结果表明,随温度升高,复合材料热膨胀系数先增大后减小,315℃附近出现最大值。所获得复合材料的平均热膨胀系数为7.00×10-6℃-1,热导率为155.1W/mK,密度为3.1g/cm3,完全满足高性能电子封装材料的要求。     

阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF结构耐压机理研究

研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF(Reduce SURface Field)结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响;发现并解释了该结构纵向击穿时,耐压与浓度关系中特有的“多RESURF平台”现象。研究表明,阶梯变掺杂漂移区结构能明显改善表面电场分布,提高耐压,降低导通电阻,增大工艺容差;利用少数分区,能得到接近线性变掺杂的耐压,降低了工艺难度。     

基于有机基板的化学镍钯浸金工艺应用与测评

有机基板被广泛应用于电子封装领域,常见的表面处理工艺包括电镀镍金、化学镍金、浸锡、浸银等工艺。在众多表面处理工艺中,化学镍钯浸金工艺因其具有较好的综合性能展现出显著优势。化学镍钯浸金工艺是在化学镍金工艺的基础上增加化镀钯处理,采用该工艺先对基板表面进行化镀镍处理,再进行化镀钯处理,最后完成化学浸金处理。钯镀层可以防止金在沉积过程中腐蚀镍镀层以及阻挡镍向金属间化合物（IMC）层扩散。利用X-Ray、电子扫描显微镜（SEM）、聚焦离子束（FIB）等图像分析方法,对比了不同厂商的化学镍钯浸金镀层的厚度、微观形貌及质量,结果表明,平整且致密的钯镀层可以有效避免镍腐蚀现象。