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报道一种制备高性能氧化钒热敏薄膜的方法和其应用。采用反应磁控溅射薄膜沉积技术,通过改变氧化钒热敏薄膜沉积时溅射功率,从而调整钒原子在溅射出来之后接触到基片表面时的沉积速率,同时通过对设备进行改造升级,即在钒溅射腔腔外增加一个控制电源来精确控制溅射电压及氧气分压等参数来精确控制反应过程中电流密度,优化了氧化钒薄膜的制备工艺,制备出方块电阻为500 kΩ/□,电阻温度系数(TCR)为?2.7% K?1的氧化钒薄膜。实验测试结果表明,利用高性能氧化钒热敏薄膜制作的非制冷红外焦平面探测器,其噪声等效温差(NETD)降低30%,噪声降低28%,显著提升了非制冷焦平面探测器的综合性能。 相似文献
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非致冷红外探测器用氧化钒多晶薄膜的制备 总被引:4,自引:3,他引:1
采用离子束溅射镀膜和氧化工艺在Si(110)和石英衬底上制备了用于非致冷红外探测器阵列热敏材料的混合相氧化钒多晶薄膜.扫描电子显微镜(SEM)照片显示:薄膜表面呈针状晶粒状,而且薄膜表面光滑、致密,均匀性好.测试结果表明:氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在20℃分别为50KΩ和-0.021K^-1。 相似文献
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采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃上制备了低价的氧化钒薄膜,在氧气和氩气混合气氛中,对所制备的薄膜进行不同时间的热处理,得到具有相变特性的VO2薄膜。分别利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)分析了薄膜的组分、结晶结构和表面形貌,利用四探针法测试了薄膜的电阻。结果表明:热处理前的氧化钒薄膜主要成分为V2O3,经过热氧化处理后,低价的氧化钒被氧化,薄膜中VO2含量增加,薄膜发生金属-半导体相变,其中450℃、2h为最佳处理参数,其电阻相变幅度超过2个数量级,薄膜的相变温度仅为30℃。 相似文献
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氧化钒热敏薄膜的制备及其性质的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道一种制备氧化钒热敏薄膜的新方法.采用离子束溅射V2O5粉末靶淀积和氮氢混合气体热处理相结合的薄膜技术,可制备热敏性能较好的低价氧化钒薄膜VOx(x<2.5).对不同温度退火后氧化钒薄膜在10~100℃范围内测定了薄层电阻随温度的变化,得到的电阻温度系数(TCR)值为(-1~-4)%K-1.研究结果表明通过这种方法可在较低温度下制备氧化钒薄膜,这种薄膜具有较低的电阻率和较高的TCR值,可作为非致冷红外微测辐射热计的热敏材料. 相似文献
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氧化钒热敏薄膜的制备及其性质的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
报道一种制备氧化钒热敏薄膜的新方法。采用离子束溅射V2O5粉末靶淀积和氮氢混合气体热处理相结合的薄膜技术,可制备热敏性能较好的低价氧化钒薄膜VOx(x<2.5)。对不同温度退火后氧化钒薄膜在10-100℃范围内测定了薄层电阻随温度的变化,得到的电阻温度系数(TCR)值为(-1~-4)%K^-1。研究结果表明通过这种方法可在较低温度下制备氧化钒薄膜,这种薄膜具有较低的电阻率和较高的TCR值,可作为非致冷红外微测辐射热计的热敏材料。 相似文献
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氧化钒薄膜是非致冷红外焦平面探测器的重要组成部分,光电特性一直是国内外的研究热点.用反应磁控溅射方法在K9玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜,并在特定条件下对其进行了退火处理.结果发现,在300℃下退火180 s的氧化钒薄膜在可见光照射情况下呈现出了光伏效应,这说明光生载流子在氧化钒薄膜表层形成后得到了有效分离.该光伏特性为氧... 相似文献