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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
CIMS的关键技术之一是动态信息集成。本文论述了一个CIMS雏形系统中CAD/CAPP/MRPⅡ/GT之间的信息集成技术及其实现方法。提出了在CAD系统中通过建立与工艺设计工步内容相匹配的、基于设计基本特征和工艺基本特征的特下建模技术及处理程序来实现CAD/CAPP之间信息共享的方法;论述了CAPP系统通过与MRPⅡ系统中工艺路线管理模块之间实时信息传递来实现并行式CAPP设计的步骤;提出了在GT  相似文献   

2.
报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AlAs层氧化为AxOy层用作MISS器件的超薄半绝缘层,从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSE工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外,还能实现光放大功能,并可用于自由空间光互连。  相似文献   

3.
用自制接枝共聚物GR-I、GR-Ⅱ相容剂研究其对HDPE/PS共混物相容性和力学性能的影响。通过SEM、DMA和力学性能测试表征,表明在HDPE/PS共混中加入这些相容剂其相容性和力学性能有一定提高。  相似文献   

4.
在CIMS环境下,针对箱体零件CAD、CAPP、CAM信息集成的功能需求,在基于特征的箱体零件信息模型、工艺计划模型与服务于工艺设计的制造环境模型的支持下,开发出了特征造型,工艺设计及加工过程仿真与NC编程等子系统,从而完成了一个集成化的箱体零件CAD/CAPP/CAM系统。  相似文献   

5.
GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱、红外吸收谱、X射线衍射和扫描电子超声显微镜(ScanningElectronAcousticMicroscopy,SEAM)等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。用GaInAsSb材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达2.4μm,室温探测率D*达1×109cmHz(1/2)/W,2.25μm波长时的量子效率为30%。本文首次给出了GaInAsSb外延层的扫描电子超声显微镜像(SEAM像),为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。  相似文献   

6.
采用GSMBE方法及典型的器件工艺制成了用InAlAs作为肖特基势垒增强材料的高性能InAlAs/InGaAs/InP MSM光电探测器。用自制的测试系统对器件的直流和瞬态特性进行了测试,测试结果表明,器件的击穿电压大于30V,在10V偏压下暗电流小于20nA,对应的暗电流密度为3pa/μm^2,优于已有文献的报导。  相似文献   

7.
探讨钢结构详细设计,工艺,生产设计,数控加工各阶段工作的关系和如何实现集成系统。介绍一个已经投入使用的钢结构零件生产的CAM/MIS集成制造系统的实例。这个软件系统把钢结构的详细设计,工艺,生产设计等工作阶段使用的CAD/CAPP功能模块和数控切割程序编制模块用统一的管理信息系统结合在一起。该系统具有所有技术图纸档案的管理和生产管理的功能,可以和工厂的资源需求计划MRP在CIMS的目标上会合,构成  相似文献   

8.
作为“现代工业企业自动化丛书”之一的《计算机集成制造系统──CIMS概论》已由清华大学出版社出版。该书系统全面地介绍了计算机集成制造系统(CIMS)的基本组成和最新发展动态,包括计算机辅助设计和制造工程系统(CAD/CAM)、计算机辅助工艺设计(CAPP)、成组技术(GT)、柔性制造系统(FMS)、管理信息系统(MIS)、制造资源计划(MBPⅡ)和CIMS网络,并且针对我国的实际情况如何有效地实施CIMS工程进行了讨论。CIMS已成为企业生产管理自动化的必由之路和自动化领域的前沿学科。在以计算机…  相似文献   

9.
利用二次离子质谱(SIMS)深能级瞬态谱(DLTS)研究了TiN/n-GaAs体系。SIMS结果表明,退火后Ti的浓度剖面向胂化镓衬底略有移动,N则基本救济为;DLTS观察到的Ec=0.21eV处的Ti^3+*3d)/Ti^3+(3d^2)单受主中心,但其浓度较EL2要小得多。根据实验结果,探讨了退火后难熔金属氮化物/n-GsAs体系电学特性改善的原因。  相似文献   

10.
结合Al/Ao2O3/Au结构的MIM(metal/insulator/metal)隧道结I-U-特性、深度Auger谱及结发光后结面透明度的测试与观察,对共发光衰减机制进行了研究。结果表明,由于MIM结工作时,通过隧道电流等产生的大量焦耳上起底电极Al膜不断氧化,中间栅AI2O3的厚度不断增加,从而使得隧穿电子激发表面等离极化激元(surface plasmon polariton,SPP)的强  相似文献   

11.
企业的许多管理系统的需求信息与产品的加工信息密切相关,因此,在研究CAPP和CAD/CAPP/CAM集成化的同时,应充分关注CAPP与相关MIS间的信息集成化。本文结合国家863/CIMS单元技术应用工厂的实际需求,通过CAPP与相关MIS的功能结构、信息关系模型及其工作原理与工作流程,论述了如何实现CAPP与材料定额管理、成本核算和生产用网络计划等系统间的信息集成化。经初步实施表明,不仅工艺人员  相似文献   

12.
报导了在600℃生长温度下以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机气相沉积(LP-MOCVD)技术生长出的高质量1.60um和1.3um InGaAsP材料,以及在其分别限制量子阱结构生长的情况下,用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器。该激光器在室温下直流阈值电流为100mA。  相似文献   

13.
用低压MOVPE方法研制出了波长为655nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为45mA,输出光功率不小于5mW,最高工作温度不低于50℃,预计20℃时寿命接近100,000小时,主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当,完全可以满足实用要求。  相似文献   

14.
本文阐述了北京第一机床厂在CIMS环境下,通过对零件特征的分析,提出了一种实用的描述产品零件的方法,在此基础上实现了回转体零件的CAD/CAPP/CAM集成系统的开发。重点论述了该系统的总体框架设计和主要功能:CAD特征定义及描述;基于商品CAD软件ICEMDDN之上的特征造型;应用通用专家智能系统开发工具,建立工艺知识模型及推理系统;经相应的后置处理实现NC程序的自动生成及以ORACLE。EDL  相似文献   

15.
用低压MOVPE方法研制出了波长为655nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见激光器,并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为45mA,输出光功率不小于5mW,最高工作温度不低于50℃,预计20℃时寿命接近100,000小时,主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当,完全可以满足实用要求。  相似文献   

16.
报导了在600℃生长温度下以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机气相沉积(LP-MOCVD)技术生长出的高质量1.60μm和1.3μmInGaAsP材料,以及在其分别限制量子讲结构生长的情况下,用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器。该激光器在室温下直流阈值电流为100mA。  相似文献   

17.
采用种子乳液聚合技术,合成了PS/PBA/P(BA-AA)胶乳经网络聚合物,利用质量分析法研究了反应过程的表观动力学,测得了三步反应的聚合动力学探讨了初始乳化剂浓度、引发剂浓度对各步反应速率的影响。结果表明,以二乙烯基苯为交联剂,苯乙烯乳液聚合反应速率R∞「E」「I」;在交联PS种子乳液存在下,以EGDM为交联剂,丙烯酸丁酯乳液聚合的动力不一与经典乳液聚合有所差异。透射电镜观察表明合成的聚合物具有  相似文献   

18.
本文报导了非故意掺杂InGaAsSb本底浓度的降低和掺Ten型GaSb和InGaAsSb的MBE生长与特性的研究结果。结果表明,通过生长工艺的优化,GaSb和InGaAsSb的背景空穴浓度可分别降至1.1×10~(16)cm~(-3)和4×10~(16)cm~(-3),室温空穴迁移率分别为940cm2/v.s和260cm~2/v.s。用Te作n型掺杂剂,可获得载流子浓度在10~(16)~10~(18)cm~(-3)的优质GaSb和InGaAsSb外延层,所研制的材料已成功地制备出D_λ~*=4×10~(10)cmHz~(1/2)/W的室温InGaAsSb红外探测器和室温脉冲AlGaAsSb/InGaAsSb双异质结激光器。  相似文献   

19.
本文介绍了一个飞机结构件CAPP系统FA-CAPP,它是运行于成都飞机工业公司CIMS环境的集成化CAPP系统,实现了同CIMS各集成单元的集成。文中介绍了FA-CAPP的主要功能,重点讨论了CAD/CAPP/CAM的集成、特征基工艺决策及其专家系统、知识库技术的应用等关键技术问题。  相似文献   

20.
CIM中最重要的一项基础工作就是CA/CAPP/CAM的集成。微机由于价格低廉已在企业中普及、性能也迅速提高,已有强大的功能,软件价格也比工作站低几十倍之多,因此开发微机CAD/CAPP/CAM系统能为大量的中小企业所接受。同时,必须以GT为基础,按零件相似性分类分族,才能有效地建立该集成系统。  相似文献   

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