薄膜微型电源

介绍了新型的薄膜微型电源的工作原理、结构及制造工艺。     

热处理温度对CoTaZr薄膜磁芯电感性能的影响

通过不同温度的热处理来改变磁控溅射法沉积的CoTaZr薄膜的组织结构,研究了热处理温度对薄膜微观结构及磁电性能的影响,并将这些薄膜作为电感磁芯,研究其热处理温度对电感低频段(频率范围为0~3 MHz)性能的影响。结果表明,镀膜态薄膜呈非晶态,随热处理温度的升高,薄膜晶化逐渐明显,其电阻率逐渐降低;150℃和300℃热处理均有利于提高薄膜的饱和磁化强度Ms以及薄膜电感的电感量L,150℃热处理可提高薄膜电感的品质因数Q,所以最佳的热处理温度为150℃。     

基于闭合磁路的框式薄膜电感的研究

通过磁控溅射工艺制备出三种框式薄膜电感,其中特殊磁芯电感、全磁膜电感为设计制作的具有闭合磁性回路的特殊薄膜电感,而三文治结构电感是目前流行的薄膜电感,这些电感均由下层磁芯层、下层绝缘层(聚偏二氯乙烯,厚度约为40μm)、线圈和线圈中心的磁膜、上层绝缘层和上层磁芯层组成,其差别在于磁芯结构不同。在1~3 MHz频率范围内,比较了三种电感的等效电感、寄生电容和损耗因子。结果表明:与三文治结构电感和全磁膜电感相比,特殊磁芯电感有较高的等效电感量和较小的寄生电容,但损耗较后两者高。     

集成薄膜电容一体化工艺研究

将薄膜电容、电阻、电感等无源等无源元件同微带电路导体集成一体化是微波电路向毫米波频段发展的重要工艺手段。实验应用薄膜制造设备、选择适当的材料,把握关键工艺参数可以实现薄膜电容的集成。文章分析了薄膜电容针孔短路和膜层附着力等问题,并提出了相应的解决办法。     

现代介质薄膜

介质薄膜是一类重要的电子薄膜。现代常用的介质薄膜种类很多，按其成分可分为无机薄膜、有机薄膜和复合薄膜三类。同一种介质薄膜当制造工艺略有不同时，就会出现性能差别较大的结果，且随着膜厚的减小，这种现象表现得越来越明显。现在介质薄膜的进展可归纳为：（１）成膜技术的提高，其工艺特点是精细、程控和准确；（２）薄膜下限厚度的减小，如陶瓷薄膜已降到１μｍ，大量生产的高分子聚合物薄膜已降至１００ｎｍ；（３）涌现出了不少新型介质薄膜。从８０年代以来兴起了对纳米级介质薄膜的研究热潮     

薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计

根据薄膜多层混合电路的特点，以控制信号发生器为例，讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计。在２６ｍｍ×３６ｍｍ的陶瓷基片上，完成了薄膜四层布线的布图设计，布通率达到１００％，寄生电感和寄生电容分别为５２．５μＨ和２．３２５ｆＦ。     

等离子体聚合有机硅（HMDSN）薄膜及其特性研究

等离子体聚合有机化合物六甲基二硅胺烷（HMDSN）讨论了等离子体聚合有机硅薄膜聚合过程和有关机理，在高频等离子体聚合系统中合成的聚合条件是高频电源功率为100V，频率为5.4Hz，用电感偶合到真空放电管，氩（Ar)气和有机硅单体的比例为1：2。有机硅热玻璃基片上的聚合速率为2.5-5nm/min。聚合薄膜无色透明，折射率1.1；介电常数3.2；窠质损耗正切0.04，随温度而变化，电阻率为10^14Ω.cm。用红外吸收光谱检测表明薄膜分支少，聚合度高。     

光学薄膜、光电子薄膜及光学有机薄膜

科学的发展正在改变传统的光学薄膜的面貌，其应用也由原来的纯粹为光学仪器服务，逐渐渗透到通信、建筑、防伪、医疗和空间技术等领域，而新工艺、新材料、新技术的采用，或用来提高其性能，或与其他薄膜结合构成新的器件，如与电学膜结合起来的光电子薄膜，与高分子有机材料结合起来的光学有机薄膜。这些薄膜有着潜在而十分广阔的应用前景，成为国内外学者竞相研究的课题。     

应用于射频范围的软磁薄膜研究进展

探讨了获得具有优良高频电磁性能的软磁薄膜的合适工艺条件。指出薄膜的性能主要取决于薄膜的成分、微观组织、磁致伸缩系数、残余应力状态、有无软磁底层、外加磁场溅射沉积和后续磁场热处理等因素。以Fe70Co30为基的软磁薄膜和Fe(Co)-X-N纳米晶软磁薄膜主要应用于要求高饱和磁化强度的器件如磁头中,磁性纳米颗粒膜具有高的电阻率因而趋肤深度较大,有望应用于高频微磁器件如微电感、微变压器的磁芯中。     

磁性薄膜微电感器件的研究进展

综述了磁性薄膜微电感的研究现状,介绍了四种不同电感器件的结构设计(平面螺旋型,磁芯螺线管,曲折结构及夹心条状结构)及其优缺点和磁芯材料(坡莫合金,铁氧体,非晶,纳米晶软磁)对电感器件的影响。     

金刚石薄膜发展前景

金刚石薄膜发展前景崔万俊近年来，合成金刚石薄膜已经成为世界科技先进国家研究开发的最热门的新材料之一。据日本的有关专家预测：到２０００年，由于半导体领域的大量需求，其市场贸易额将会达到９８０多亿美元。由此可见，金刚石薄膜将会成为下一代电子元器件重要的新...     

激光微熔覆法制备空芯薄膜电感的研究

采用激光微熔覆方法制备了空芯薄膜电感,着重研究了激光功率密度对电感线宽影响,以及薄膜电感的结构参数变化对电感电性能影响。结果表明,线宽随激光功率密度增大而增大;电感量随着圈数增多、中心线间距增大、线宽变大而增大。通过优化激光工艺和结构参数,制备了面积5 mm×5 mm和9 mm×9 mm,线宽100 μm和120 μm,线中心间距250 μm和500 μm,圈数8和16,厚度1 μm的空芯回字型电感,在测试频率100 kHz～1 MHz条件下,电感量为240 nH±3 nH～1.2 μH±3 nH,单位面积电感量可达14.81 nH/mm2。通过实验证明,采用激光微熔覆法制备的微电感,在同样形状和面积下,可提高电感量。     

金刚石薄膜和类金刚石薄膜

本文介绍了金刚石薄膜和类金刚石薄膜的制备与薄膜性能分析方法,也介绍了它们的应用前景。本文给出了华北光电所研究类金刚石薄膜的结果。     

薄膜材料与薄膜技术的发展动向

综述了最近几年薄膜技术，特别是几种新型薄膜材料的发展动向。     

薄膜特性分析技术

本文叙述了测量和分析薄膜结构特性、机械性能和成分的各种方法。并讨论了这些性能对于在电子器件中应用薄膜的重要性。还提出了薄膜现象研究中所采用的品种比较重要的诊断技术，主要技术是确定薄膜中原子类型及其排列情况。同时介绍了研究薄膜组织的显微技术，讨论了如何测量薄膜的最主要的机械特性，即应力、附着力和刚度。     

金刚石薄膜的低温合成技术

本文综述了国内外低温和室温合成金刚石薄膜的发展现状和动态，介绍了几种典型的低温和室温合成金刚石薄膜的方法及工艺特点，给出了低温合成金刚石薄膜的一些基本规律。     

吸收性薄膜波导的参数测量

介绍了一种用棱镜耦合法测量吸收性薄膜波导参数的一种方法，它是由测得棱镜底部反射光斑中模的吸收线位置来确定薄膜的折射率和厚度。结果表明，此方法无需进行大量的计算就能同时精确地测量薄膜的折射率和厚度。给了两种吸收不同的薄膜波导参数测量结果。     

溅射沉积功率对PZT薄膜的组分、结构和性能的影响

用射频(RF)溅射法在镀LaNiO3(LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0.52 Ti0.48 O3(PZT)铁电薄膜，沉积过程中基底温度为370℃，然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理(650℃，5min)．用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)测量其组分，X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向，扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果，RT66A标准铁电综合测试系统分析Pt／PZT／LNO电容器的铁电与介电特性，结果表明，PZT薄膜的组分、结构和性能都与溅射沉积功率有关．     

金刚石薄膜半导体器件

介绍了金刚石薄膜的性质、当今金刚石薄膜半导体器件的技术、水平和性能。分析了金刚石薄膜作为半导体器件的优异性能、金刚石相地于硅的半导体器件性能的改善和存在的问题中，并指出实现金刚石薄膜半导体器件的障碍。     

工艺条件对柔性衬底ITO薄膜光电性能的影响

采用直流磁控溅射法在柔性衬底上镀制ITO透明导电薄膜,全面研究了薄膜厚度、氧气流量、溅射速率、溅射气压和镀膜温度等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响。结果表明,当膜厚大于80nm、氧氩体积比为1∶40、溅射速率为5nm/min、溅射气压在0.5Pa左右、镀膜温度为80～160℃时,ITO薄膜的光电性能较好,其电阻率小于5×10–4?·cm、可见光透光率大于80%。