间歇悬浮式厚胶显影工艺研究

介绍了一种间歇悬浮式厚胶显影工艺,采用该种显影工艺,对使用SU-8光刻胶进行涂胶,胶层厚度大于30μm的晶片进行显影。显影后的晶片进行电镀工艺,经过对显影后晶片上图形的观察和对电镀凸点的分析,证明该种显影工艺具有很好的效果。     

空间产品表面处理工艺研究

在对空间产品结构特点进行分析的基础上,对传统的多层分步电镀工艺进行了初步研究,介绍了电镀工艺的工作原理和技术特点.对关键技术-热处理进行了阐述和分析,提出了一种综合多层镀和热处理的该类零件的生产工艺.事实证明了该实用工艺的可行性.     

《电镀技术》

内容介绍 本书共分7章，内容包括电镀基础知识、金属制品的镀前表面处理、电镀设备、电镀工艺、金属的氧化和磷化、特种电镀、常用电解液的分析方法。本书对较常用的电镀工艺进行了重点介绍，理论与实践相结合，通俗易懂，特别适合于电镀生产第一线的操作工人和工程技术人员使用。此书为32开纸，共435页。     

无铅化对连接器工业的影响

铅最常用于端子的电镀或是多数无源电子元器件的连接端之中．此外有些器件也在其内部构成中使用铅。在过去的两三年中．许多主要的元件制造商一直在研究无铅电镀和焊接工艺。他们把部分或分部产品线都改造成了纯锡终端电镀．或向无铅焊接过渡．最常见的是锡／银／铜组合。     

电镀技术在大马士革工艺中的应用研究

电镀是一种良好的实现金属沉积的电化学工艺方法。为探索电镀技术在大马士革工艺中的应用,先介绍了电镀的基本理论,然后阐述了双大马士革的工艺流程,继而从电镀液和脉冲电镀方面分析了电镀对大马士革工艺的影响。结果表明镀液中的Cl-对电镀有催化作用,脉冲电镀比直流电镀所需的时间短,电流密度对镀层的生长方式影响不大,脉冲时间对填充速率有重要影响。最后提出,应该从电镀设备、电镀液、工艺参数各方面进行研发,从而改善电镀效果,促进集成电路产业的快速发展。     

MLC三层膜电极电镀技术

根据电镀基本原理和实践,提出了科学实用的电镀工艺条件。详细分析并指出了影响MLC三层膜电镀质量的十大因素,探讨了产生质量问题的原因和解决问题的方法。电镀设备对电镀质量有直接影响,使用VB-6型振动吊篮能提高电镀的均匀性和可靠性。     

挂式光亮电镀的常见问题及对策

挂式电镀是现代电镀技术中的一s种通用工艺，由于其结构的特殊性和使用镀液的不同，其维护工作相当困难和繁杂。根据作在生产实践中积累的经验，对挂式光亮电镀中常见的镀层麻点、发白、烧焦等问题进行分析，并对相应的解决方法进行探讨。     

光亮剂和载体对脉冲图形电镀效果的影响

概述脉冲电镀工艺的原理、脉冲图形电镀工艺的优势,针对实际脉冲图形电镀工艺加工过程中出现的板面色差、深镀能力异常问题,使用鱼骨图进行分析,逐步排查,最后确认是光亮剂和载体含量异常所造成的,经过试验对比、数据收集,最终找到了光亮剂和载体的合理控制范围,彻底解决了色差、深镀能力等异常的问题。     

龙门式电镀线生产75μm/75μm线镀铜均匀性探究

主要阐述我司通过对佳辉龙门式电镀线进行电镀均匀性的改善和研究,达到可以生产75μm/75μm线的工艺制作能力,以及使用龙门式电镀线制作75μm/75μm线镀铜均匀性控制要点、工艺能力维护等,为我司生产精细线路的产品提供一定的参考和制作依据。     

脉冲镀金层耐磨性能的研究

脉冲电镀做为一种新的电镀工艺,近些年来引起了电镀工作者的极大兴趣。从各个不同的角度进行了多方面的研究,并且发现脉冲电镀比直流电镀可以提高某些镀层的物理性能和改善镀液的电化学性能等优点。特别近几年来人们更多地注意对贵金属脉冲电镀的研究,力图通过脉冲电镀相应的减少直流镀层的厚度,达到节约贵金属的目的,而得到经济效益。近几年我们进行了脉冲镀金的研究,重点放在镀金层耐磨性能的试验上。半年多的时间我们对微氰酸性镀金溶液和无氰碱性镀     

引线框架高速锡铅电镀添加剂的研究

对电镀添加剂中各组份的作用和影响进行了实验研究,开发出了一种新型甲基磺酸高速锡铅电镀添加剂.研究了电镀工艺中的各种影响因素,确定了适宜的工艺条件.     

多层印制板穿孔及全板电镀工艺研究及品质控制

本文对多层印制板穿孔及电镀（ＰＴＨ）的Ｐｈｏｅｎｉｘ制程进行了简单介绍，对该制程的工艺过程和品质控制进行了较为详细的论述。     

脉冲镀金及其在微波器件上的应用

脉冲电镀,是目前国内竞相研究和应用的一项新的电镀工艺,在国外一些国家的电子工业和贵金属电镀工艺中,使用已日趋普及,在研制微波器件和集成电路工艺中,不仅需要镀金的环节很多,而且对镀层性能有较高的要求.1981年,我们从解决直流电镀金层的应力较大的问题入手,开展了脉冲镀金的研究,实     

浅谈微盲孔电镀锡工艺控制

文章主要就普通垂直电镀设备下0．15mm的微盲孔电锡蚀刻保护工艺进行阐述,详细讲述了该工艺条件下的工艺参数控制。     

应用于MEMS封装的TSV工艺研究

开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。     

国产设备持续差异化进阶,盛美半导体推出三款新产品

<正>为先进半导体制造厂商提供湿法设备的盛美半导体设备(ACM Research)在SEMICON China2019期间举办新产品发布会,会上推出了三款差异化新产品:多阳极局部电镀铜设备,先进封装抛铜设备,以及Tahoe高温硫酸清洗设备,3款设备将助力芯片厂商大幅度提升盈利能力。多阳极局部电镀铜设备多阳极局部电镀铜设备主要应用于40 nm和28 nm及以下工艺节点的铜金属层沉积,采用多阳极局部电镀工艺,可实现电镀初始阶段就做到均匀电镀,实现完全的无气穴填充,帮助客户提升     

脉冲镀银工艺研究

本实验研究了单脉冲、双脉冲电镀在镀银中的应用，进行了电镀工艺参数的选取．将直流、单脉冲、双脉冲镀银层的防腐蚀性能、均匀性以及深镀能力方面进行了比较。得出了双脉冲优于单脉冲；而单脉冲又优于直流，并获得部分工艺参数。     

高新技术在印制电路板电镀中的应用

电路板制作对电镀质量的要求很高,由于传统的垂直电镀工艺无法满足日新月异的电路板生产,因此需要研究发展高科技含量的电镀工艺和改进传统的工艺技术。文章综述了当前常用的高新技术含量的电镀工艺。     

VF添加剂在电镀填孔中的应用

主要介绍VF填孔添加剂在电镀填孔中的应用,包括工作原理、流程设计、工艺参数、．电镀效果和影响填孔效果的因素。     

一种新型高效离子污染测试仪

介绍了一种利用直流电源进行微盲孔和通孔同时电镀的工艺，同时给出了相关的工艺条件和电镀效果。