UV—Hg灯光化学气相淀积SiO2薄膜的工艺研究

一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用光增强反应气体材料的光激活和光分解,可以在50～300℃条件下形成薄膜.与高温氧化、常压CVD相比,它可以减少温度对杂质分布的影响,降低针孔密度,避免芯片弯曲,抑制工艺中诱发新的缺     

化学汽相淀积(CVD)技术

一、引言 化学汽相淀积技术,人们又习惯地称为CVD技术。 早在上个世纪末,有人就做过汽相淀积高熔点金属及其它化合物的试验。一百多年来,随着整个科学技术的发展,CVD技术的发展也很快,到现在为止,几乎所有物质都可以采用CVD技术。 近来,在半导体工艺中,CVD技术已占有与其它单项工艺相同或更高的组合工艺的地位。其原因是由于半导体工艺特别是集成电路工艺已成为极其微型化的技术,微细控制的必要性日益增大,而CVD技术的良好的控制性正好是解决这些问题的最适当的方法,因此,CVD技术不仅在半导体工艺方面,而且在更广阔的领域受到了重视,自     

论顋CVD技术

一、发展概况 1974年莫托洛拉公司引进LPCVD用于半导体工业,尔后又引进了LTO系统及等离子增强CVD技术,CVD技术得到了惊人的发展。据统计在1980年世界销售的化学气相淀积(CVD)设备已达一亿美元,超过了当年扩散炉的销售额。 关于PCVD(Piama Chemical VaporDeposition等离子化学气相淀积)技术的研究,1965年美国的H·F·Sterling进行了射频辉光放电下的CVD试验;1974年A·R·     

LPCVD工艺—用20%、50%浓度的硅烷淀积多晶硅的工艺报告

很多年来,半导体工业上生产多晶硅、二氧化硅、氮化硅和无定型硅都是采用标准的常压冷壁化学汽相淀积技术.而在半导体器件工艺中,随着大规模集成电路的发展和超大规模集成电路的出现,对用常压CVD制备的半导体膜和绝缘膜的要求越来越高,原来的常压CVD技术淀积方法已经不能满足这种要求,人们开始研究新的技术来满足电路对工艺的要求.     

ULSI低介电常数材料制备中的CVD技术

综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍了PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺,简要介绍了APCVD技术淀积聚对二甲苯类有机薄膜及RTCVD技术淀积SiOF薄膜的工艺。     

佛斯隆介质膜的化学汽相淀积生长及其特性

“佛斯隆”（Pholon)是一种新型介质材料（PxNyOx)，这种材料可以用常规的化学汽相淀积（CVD）或等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）技术制得。它不含有硅的成分，而是由氮、磷和氧组成，也有由氮磷化物组成的极端情况。这种介质材料很稳定，几乎与半导体工业中常用的所有试剂都不反应，它的介电常数可以和Si3N4相美。佛斯隆介质的击穿强度为1067V／cm数量级，这比用CVD技术生长的Si3N4好得多。     

佛斯隆介质膜的化学汽相淀积生长及其特性

“佛斯隆”(Phoslon)是一种新型介质材料(P_xN_yO_z),这种材料可以用常规的化学汽相淀积(CVD)或等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术制得。它不含有硅的成分,而是由氮、磷和氧组成,也有由氮磷化物组成的极端情况。这种介质材料很稳定,几乎与半导体工业中常用的所有试剂都不反应,它的介电常数可以和Si_3N_4相媲美。佛斯隆介质的击穿强度为10~7V/cm数量级,这比用CVD技术生长的Si_3N_4好得多。     

W-F-Si-H和W-F-Si-H-CI体系的热力学分析

二硅化钨(WSi_2),在金属-氧化物半导体(MOS)器件中作为一种导电材料已广泛地被人们所认识。尤其是,WSi_2和多晶硅、聚硅结合,在MOS器件中作门极用。WSi_2膜可用化学淀积(CVD)法来制作,制作的膜具有好的工作区、有控制成分的高纯度、有令人满意的淀积速度和低粒度的非常好的均匀性。WSi_2有在材料方面的好特性和在以前     

光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅲ)光CVD氮化硅薄膜应用于提高器件可靠性

采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性.     

光CVD SiO2钝化膜在红外探测器中的应用

本文评述了光 CVD SiO_2钝化膜的原理和方法,介绍了在50～300℃温度下,在 Si、InSb 和 HgCdTe 晶片上光 CVD SiO_2钝化膜。讨论了膜的淀积条件和性质以及光 CVDSiO_2钝化膜在 InSb、HgCdTc 红外探测器中的应用。     

非晶硅的基本物理参数

<正>非晶硅(a-Si)的研究史,至少可以上溯20年.现在已经积累了关于这种材料性质的大量资料.但是,要凭现存这些资料,整理出一张完整和确切的a-Si物理参数表来却非常困难.因为,(1)a-Si是一种薄膜半导体材料,是采用辉光淀积(GD)、溅射(Sp)、蒸发)Ev)和化学汽相淀积(CVD)等方法制成的.但是,由不同的制备方法所生产的a-Si,其物理     

未掺杂和掺磷SiO_2玻璃膜的台阶覆盖

本文研究了未掺杂和掺磷SiO_2玻璃膜的台阶覆盖。简要地讨论了在决定台阶覆盖质量中起作用的各种参数。评价了各种淀积工艺的台阶覆盖能力。被比较的工艺有常压CVD,低温、低压CVD(Silox),中温、低压CVD(TEOS)和等离子增强CVD。报导了采用中温低压技术淀积未掺杂玻璃时得到的台阶覆盖与参数的关系。证明台阶覆盖的质量强烈地依赖于淀积条件。也证明台阶覆盖质量随着TEOS流率和反应器中分子滞留时间的增加而改善。氮、氧、或磷烷/氮混合物加到TEOS中会使淀积工艺的台阶覆盖能力变差。这种中温、低压CVD工艺的台阶覆盖在650-780℃的范围内与淀积温度无关。     

LPCVD制备氮化硅薄膜工艺

氮化硅（摘要）薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛。本文简要介绍了利用CVD方法制备摘要薄膜以及Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）LPCVD制备氮化硅的工艺。工艺制备中通过工艺参数的调整使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求。     

光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质

采用红外吸收光谱(TR)，俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)，二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析。     

氘灯光致SiO_2薄膜化学汽相淀积

在无汞敏化的条件下,采用能发射高能光子的氘灯直接照射激活的方法,进行了在低温光—CVD生长SiO_2薄膜的尝试。业已证实,在衬底温度为84℃时薄膜已开始生长,但要获得高质量薄膜,衬底温度需高于170℃。在170℃左右薄膜的淀积速率约为100(?)/min。折射率为1.44～1.46。在衬底温度高于175℃时,用这种方法淀积的薄膜没有出现与红外吸收峰有关的Si—H键。在相同温度下用热—CVD法淀积的膜有红外吸收峰。     

电子工业含砷废物处理研究

一、公司含神废物分布和现状1．来源器件总厂四分厂CVD工序砷淀积中残留于CVD设备中的粉状物和CVD设备清洗废水。其中粉状物中砷含量高达8％。双极电路总厂五分厂CVD工序砷淀积中CVD设备清洗废水，其中砷含量为4k，酸度大于0．IN。MOS电路总厂离子注入反应腔壁喷砂清洗工序中回     

化学汽相淀积技术的发展及其应用

化学汽相淀积(CVD)技术是大规模和超大规模集成电路制作中应用最广泛的重要技术之一。自从硅CCD和红外CCD问世以来,CVD技术受到了极大的重视,且发展很快。本文主要叙述CVD技术的发展及特点、原理和系统装置等。对各种CVD技术进行了比较。其次简要叙述CVD技术在SiCCD和红外CCD研制中的应用。     

Altatech推出新型CVD、ALD设备

<正>半导体设备商Altatech Semiconductor日前推出化学气相淀积和原子层淀积设备AltaCVD,但未透露其设备售价。AltaCVD设备采用蒸发技术实现黏性非挥发前体淀积。公司介绍,该设备适用于研发及试生产。据Altatech介绍,AltaCVD适合逻辑电路及存储器制造中的等离子体增强MOCVD和ALD技术,其中包括制作高k栅介质、金属电极、高k耦合介质、铁电材料等。     

介绍几种薄膜制备新技术

薄膜是半导体器件制造中常用的材料,它的制备方法有蒸发、溅射和CVD等.激光束和电子束制备薄膜,由于它具有反应时间短、加热温度低、加热范围小以及加热和冷却迅速等特点而逐步受到重视.本文着重介绍用激光束制备半导体膜、金属硅化物膜和介质膜.半导体膜的制备又可分为束辐照再结晶和激光诱导化学气相淀积(LCVD)两种方法.辐照再结晶是使绝缘衬底上的多晶,在激光束的辐照下发生熔化再结晶.形成单晶膜.LCVD是在超高真空系统中,通入SiH_4或GeH_4,在激光束的辐照下分解出硅或锗原子,并淀积于衬底上.如果在系统中加入笑气便形成氧化膜,并比较了用该方法制备的氧化膜与常规热氧化和LPCVD膜.     

化学汽相淀积设备

化学汽相淀积(CVD)是最近开始普遍用于集成制造工艺并向实用化急速发展的一门技术。但是还有与化学汽相淀积相类似的物理汽相淀积(PVD),物理汽相淀积可以看作是蒸发、溅射等与化学反应无关的技术。如所周知,化学汽相淀积的基本想法是把包含欲生长物质的元素的气体与携带气体一同通入系统,在衬底上经过热解、氧化、还原等化学反应,析出所要生长的物质。目前,CVD技术包括外延生长技术,正以生成氧化膜,氮化膜,金属薄膜等多种形式被广泛采用,它的重要性,应该看作与其他组合工艺占同等地位。估计CVD将来的发展技术是配合离子注入等技术,把它的应用范围扩大到集成工艺之外。本文就CVD设备的考虑方面、现状、以及CVD技术将来的方向等问题作一介绍,其中的硅外延技术因有另文介绍故省略。