一种高可靠性上电复位芯片的设计

为了解决传统上电复位电路二次上电时易失效的问题,提出以比较器结构为基础,由带隙基准、电阻网络和逻辑电路等组成的高可靠性的上电复位解决方案.并增加复位延时电路,进一步提高复位可靠性.使用0.6 μm双层多晶硅N阱CMOS工艺模型,利用HSpice对其功能仿真,结果表明该电路3.3 V工作电压下的阈值电压为3.08 V,复位延时时间为100 ms,能稳定可靠地提供复位信号,可适用于电脑、微控制器以及便携式电子产品的电源监控.     

新型低功耗上电复位电路

设计了一种新型低功耗上电复位电路。该电路采用一种低功耗施密特触发器,整体电路静态工作电流极低,复位脉冲出现时间和脉冲宽度可调。电路基于40nm CMOS工艺,在1.1V电源电压下进行Cadence仿真。结果表明,新型上电复位电路静态电流为63nA,在电源缓慢上电、高电源纹波和快速掉电/上电等情况下,电路均具有很高的可靠性。     

一种片内电流模比较增强型上电复位电路

介绍了一种片内电流模比较增强型上电复位电路。与传统的片内上电复位电路相比,该上电复位电路避免了二极管复位电路复位信号不彻底和基准增强型上电复位电路较复杂的缺点,利用简单的二极管箝位模块、电流模比较模块和逻辑电平迟滞模块,增强了上电复位信号,有利于后续逻辑单元的翻转。电路采用标准0.35 μm CMOS工艺进行设计和流片。芯片样品电路测试结果表明,在3.3 V电源电压下,电路工作正常,其上电复位逻辑高电平约2.3 V,比普通二极管复位电路高约0.8 V,有利于后续逻辑单元的翻转,且电路结构比基准型复位电路简单。     

一种基于Brokaw带隙基准上电复位电路的设计

为了解决传统上电复位电路电源阈值电压受工艺和温度的影响,提出了以Brokaw带隙基准源为基础结构,由采样电路、电流比较电路和电平转换电路等模块组成的可实现精确复位的上电复位电路。增加带迟滞功能的设计,减小了电源噪声对输出电路的影响。采用0.5μm CMOS工艺并对电路进行仿真。结果显示该电路工作在5 V电源电压,典型工艺和温度下电源阈值为3.19 V,在不同的工艺和温度下对电源阈值的影响较小,误差范围在0.31%~4.7%。     

一种高精度宽电源范围集成电压基准源设计

在SOC及智能功率集成电路中,对基准电压源的电源电压范围及输出驱动电流都提出了更高的要求.基于csmc 40VBCD工艺设计并实现了一种输出精度高、驱动能力强、电源电压范围宽的5V集成基准电压源电路.设计中通过HV_PMOS实现电源电压和基准核心电路工作电压的隔离,拓宽了电源电压范围,采用双重电流负反馈保证了基准电压的高精度输出.通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的各项电参数进行仿真验证,得到电源电压范围9～30V,在-20～125℃范围内温度系数5.688×10-6/℃,启动时间6.369μs,负载电流0～40mA,输出为5V的集成电压基准源电路.     

一种嵌入式上电复位电路的设计与芯片实现

在芯片上电过程中,需要复位电路提供一个复位信号,保证系统正常启动。为了解决传统电路中起拉电压和复位时间较难控制等问题,提出一种利用反相器翻转电压设置起拉电压、电容控制复位时间的新型结构。该上电复位电路在MXIC0.5μm CMOS工艺上得以验证实现。测试结果表明在正负电源分别为0V和-5V的情况下,电路的起拉电平为-4.5V,复位时间为3.44ms,满足工程要求。     

一种用于A/D转换器的低电压CMOS带隙电压基准源

设计了一种在1V电压下正常工作的用于A/D转换器的低功耗高精度的CMOS带隙电压基准.电路主要包括了一个带隙基准和一个运放电路,而且软启动电路不消耗静态电流.电路采用0.18μm CMOS工艺设计.仿真结果显示,温度从-40~125°C,温度系数约为1.93ppm/°C,同时电源抑制比在10kHz时为38.18dB.电源电压从0.9V到3.4V变化时,输出电压波动保持在0.17%以内;电路消耗总电流为5.18μA.     

一种用于无源射频识别标签的上电复位电路

提出了一种新型的低压低功耗上电复位电路。该电路利用MOS管多种二级效应,采用多种低压低功耗技术,满足降低功耗的需要。整个上电复位电路的静态功耗低于1μW,应用于1.8 V与1.2 V电源电压。设计采用SMIC 0.18μm EEPROM工艺,可应用于其他低电源电压以及低功耗要求的芯片设计。     

基于施密特比较器的高可靠上电复位电路

设计了一款基于施密特比较器的上电复位电路.采用带隙基准源作为施密特比较器的输入参考电压,使电源监控电路具有更加准确的检测电压.给出一个新型结构的延时电路,与传统的RC延时电路相比,在相同的延时下减小了芯片面积.应用数字辅助延时单元,使复位脉冲宽度可控.基于VIS 0.35 μm CMOS工艺,在3.3 V电源电压下进行Cadence Spectre仿真.结果表明,在高电源纹波、上电缓慢、快速掉电/上电等极端情况下,该电路均具有较高的可靠性.     

一种支持宽范围上电时间的上电复位电路设计

为了解决传统上电复位电路在缓慢上电时起拉电压低矮的问题,提出一种宽范围上电时间的上电复位电路。该电路由基于RC延时的上电复位和基于电平检测的上电复位双模异构而成,快速上电时,RC延时模块提供V_(DD)的起拉电压;缓慢上电时,电平检测模块产生0.833 V_(DD)的起拉电压。采用TSMC 0.18μm Flash工艺对该电路进行设计和流片,三温测试结果表明,当V_(DD)为3.3 V、上电时间分别为微秒级和毫秒级时,起拉电压达到3.3 V和2.75 V。