Ramtron推出低功耗256千位串口F—RAM存储器

FM24L256是低功耗、高速串口F—RAM器件,采用小型8脚封装世界顶尖的非易失性铁电存储器（F—RAM）。集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出256Kb,2．7～3．6V工作电压、具高速串口I2C内存接口的非易失性F—RAM器件,型号为FM24L256。     

FM W系列：F－RAM存储器

Ramtron Intemational Corporation推出W系列F-RAM存储器,W系列器件带有串口I 2C、SPI接口和并行接口,能够提供从2．7V～5．5V的更宽电压范围。W系列具有更高的性能,如有功电流和串口器件的首次存取启动（上电初始化）速度加快。该系列中FM24W256和FM25W256器件分别带有256．kbit串口I2 C与和SPI接口。     

Ramtron推出32Kb器件扩展 F-RAM串口存储器产品线

Ramtron宣布推出FM24CL32,提供具高速读／写性能．低电压运行．以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb非易失性存储器．工作电压为2．7V～3．6V．采用8脚SOIC封装,使用二线制（I2C）协议;     

Ramtron扩展F—RAMV产品系列新增汽车等级串口器件

Ramtron公司宣布其V系列产品线新增两款通过严格的AEC—Q100Grade3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位、高性能非易失性F-RAM存储器,在2．0～3．6V的宽工作电压范围内工作。     

两款通过汽车等级认证的串口F—RAM器件

Ramtron International Corporation（简称Ramtronl宣布．其V系列产品线新增两款通过严格的AEC—Q100Grade3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G，是128千位（Kb）、高性能非易失性F-RAM存储器，在2．0～3．6V的宽工作电压范围内工作。     

Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件

Ramtron发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品,分别是带有两线制接口（I2C）的FM24V02和带有串行外设接口（SPI）的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V～3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的读／写次数及低功耗等特点．是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256Kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品。     

具有更宽工作电压范围的串并口F-RAM存储器

W系列F—RAM存储器带有串口I^2C、SPI接口和并行接口，能够提供2．7～5．5V的更宽电压范围。此外，W系列具有更高的性能，如有功电流（active current）需求降低了25％～50％，串口器件的首次存取启动（上电初始化）速度加快20倍。该系列中FM24W256和FM25W256器件分别带有256Kb串口I^2C与和SPI接口。     

关于V系列F-RAM的技术说明

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International corporation的两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F.RAM产品,分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM2SV02.两款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V至3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点,是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品.     

两款通过汽车等级认证的串口F-RAM器件

Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布,其V系列产品线新增两款通过严格的AEC-Q100 Grade 3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位(Kb)、高性能非易失性F-RAM存储     

Ramtron扩展F-RAM V产品系列新增汽车等级串口128千位器件

Ramtron宣布,其V系列产品线新增两款通过严格的AEC-Q100G r a d e3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位（Kb）、高性能非易失性F-RAM存储器,在2.0V～3.6V的宽工作电压范围内工作。     

2Mb串口非易失性F-RAM存储器

世界领先的低功耗铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2Mb高性能串口F—RAM器件FM25V20是Ramtron公司V系列F-RAM存储器中的一员。     

Ramtron的高功效512Kb和1MbV系列串口F—RAM存储器

Ramtron宣布其新的井口和串口F—RAM系列增添两款产品,这些F—RAM器件提供高速读／写性能、低电压工作和可选器件特性。Ramtron的V系列F—RAM产品之最新型款为512KbFM24V05和1MbFM24V10,是2．0V至3．6V的串口非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,使用双线（12C）协议。     

Ramtron宣布推出2兆位串口非易失性F-RAM存储器

低功耗铁电存储器（F-RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2兆位（Mb）高性能串口F—RAM器件FM25V20。     

Ramtron新添F-RAM器件FM25V05

Ramtron International公司推出F—RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05,提供高速读／写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2．0V～3．6V及具有串行外设接口的非易失性RAM,特点包括快速访问、无延迟写入、1E14读／写次数和低功耗,是工业控制、仪表、医疗、汽车等应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器的理想替代产品。     

串行512Kb FRAM

FM25V05是512Kb、2．0～3．6V、具有串行外设接口（SPI）的非易失性RAM,采用8引脚SOIC封装,特点包括快速访问、无延迟（NoDelay）写入、1E14读／写次数和低功耗。FM25V05可代替工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其他应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器。     

Ramtron提供64Kbit串口F-RAM存储器样片

Ramtron宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器（F-RAM）产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位（Kb）、5V串口F-RAM器件,以总线速率运行且无写入延迟,并支持高达1万亿次（1e12）的读/写循环,这相比同等EEPROM器件高出100万倍。     

Ramtron速度更快功率更灵活1Mb并行F—RAM

Ramtron推出全新并行和串行F—RAM系列中的首款并行产品,提供更高速的读／写性能、更低的工作电压和可选器件的特性。Ramtron的V系列F—RAM产品中的最新器件FM28V100,是1兆位（Mb）、2．0-3．6V的并行非易失性RAM,采用32脚TSOP—I封装,具备快速访问、无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的读写次数和低功耗特性。FM28V100是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域中,由1Mb电池支持SRAM存储器升级的理想产品。     

高速和功率灵活的1Mb串行FRAM存储器

V系列FRAM产品的首款器件FM25V10是1Mb、2．0～3．6V、具有串行外设接口（SPI）的非易失性RAM,采用8引脚sOIC封装,其特点是快速访问、无延迟写入、1E14读／写次数和低功耗,可代替工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域的1Mb串行闪存和串行EEPROM。     

车用16Kb 3V串行FRAM

FM24CL16的16Kb、3V串行FRAM存储器的汽车级认证型号能达到AEC—Q100标准的要求。FM24CL16是具有工业标准2线接口的16Kb非易失性RAM，与相应的EEPROM器件引脚兼容，但性能更佳，能以高达1MHz的总线速度进行读和写操作，兼且具有几乎无限的耐久性、45年的数据保存能力和低功耗的特点。     

汽车电子用转发机线圈电感器

FM28V020与其他V系列FRAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2．0～3．6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点，可用于工业控制、仪表、医疗、汽车电子、军事、游戏和计算机及其他应用领域中，