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本文用X射线粉末衍射和电子衍射的方法,研究了Ce-Fe-B合金中的富B相Ce1+εFe4B4的晶体结构,发现该化合物具有一种罕见的晶体结构——烟囱-梯子型的一维成分无公度结构,是由两套亚结构即Fe-B亚结构和Ce亚结构所组成,两套亚结构都具有四方对称性,其点阵常数α值相同。Ce1+εFe4B4在室温的点阵常数α=0.7068 nm,cFe-B=0.3902 nm,cCe=0.3440 nm。在950℃粉末淬炼后的点阵常数α=0.7065nm,cFe-B=0.3887 nm,cCe=0.3563 nm。Fe-B亚结构的空间群为P42/ncm,Ce亚结构的空间群为I4/mmm。 相似文献
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给出空间弱(K1, K2) -拟正则映射的定义, 并以Hodge分解及弱逆Hölder不等式为工具, 得到了其正则性结果:对任意满足 的q1, 都存在可积指数 使得对任意弱 (K1, K2) -拟正则映射 都有 即f为通常意义下的(K1, K2) -拟正则映射. 相似文献
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研究了R2O3-AIN-AI2O3(R=Ce,Pr,Nd和Sm)三元系固相线下的相关系及R2O3-AIN-AI2O3系统在1700℃的等温截面.发现存有一个组成为RAl12O18N的新相,其结构同β—Al2O3.本文对其它轻稀土元素可否形成新相也作了探讨.发现从La到Eu(除了Pm未测外)都能在组成RAl12O18N处形成含N的β-Al2O3相.经测定它们的单相区范围为:当R=Nd和Sm时,含Nβ-Al2O3相只发生在RAl12O18N组成处;而其它稀土的含Nβ-Al2O3相的组成都扩大到纯氧化物一端,即R2O3:11Al2O3处.经测定RAl12O18N的晶胞常数(a=5.557和c=22.00)几乎不随R而变化.1700℃时,在Nd2O3-Nd2AlO3N-NdAlO3三角形区域中存有一个很大液相区. 相似文献
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在有40nm厚的PrBa2Cu3O7过渡层的(100)SrTiO3基片上生长了YBa2Cu3O7超薄膜,典型的厚度为2,6,10个原胞层.X射线衍射表明薄膜取向都是C轴垂直于膜面.原子力显微镜观察发现YBa2Cu3O7超薄膜具有层状和螺旋两种生长模式,并且在6个原胞层的生长阶段观察到螺旋位错,而类似的生长特征并没有出现在PrBa2Cu3O7过渡层中.实验结果表明,在 10个原胞层范围内,薄膜的超导转变温度和临界电流密度对厚度有很强的依赖关系. 相似文献
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本文综合约20个 YBa2Cu3O7-4的元素替代体系的实验结果,发现:正交晶体结构、氧含量、铜的氧化价态,以及金属-半导体(绝缘体)相变都只是决定Tc的表观因素;存在着CuO2平面外和CuO2平面内两类元素替代效应.提出:高温超导体的迁移载流子浓度和CuO2平面内铜原子之间的动态、短程反铁磁关联程度是决定Tc的两个内禀因素.基于Bi系超导体中有关元素替代效应的实验事实,进一步提出上述结论对各种类型的高温氧化物超导体具有普遍性. 相似文献
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在Lenstra H W 的工作的基础上,给出了关于K2(Q)的5阶元的Browkin猜想的一个简洁证明. 相似文献
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利用高分辨透射电子显微镜对高Tc YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO2面的二维超导电性时,临界温度Tc和临界电流密度Jc的变化不仅与二维CuO2面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。 相似文献
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本文报道了Ar和F离子注入对YBa2Cu3O7-x超导薄膜电学性能及结构的影响,通过X射线衍射和电阻温度关系的测量研究了离子注入后YBa2Cu3O7-x薄膜Tc,Jc和结构的变化。实验中发现,在低剂量注入情况下,Tc和Jc随着注入剂量的增加而下降。但是,上临界温度和X射线衍射谱却几乎保持不变。当Ar离子的注入剂量达到1.2×1013Ar/cm2时,样品发生金属一半导体相交。当注入剂量大于1.2×1013Ar/cm2时,样品的体超导性能基本上完全消失了,X射线衍射峰的强度也有所减弱,最终发生了晶态-非晶态相变,室温电阻率增加了好几个数量级。讨论了超导性能变化及金属一半导体相变的物理起因。 相似文献
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用量子化学从头计算和密度泛函理论方法对PH22和NO的在基态势能面上的反应进行了研究, 计算了反应中的各驻点物种的平衡构型、振动频率、总能量和零点能(ZPE). 计算采用HF, MP2(full)和B3LYP理论方法以及中型基组6-31G*. 内禀反应则由B3LYP/6-31G*计算获得. 计算结果表明, 反应首先经过一小的活化能生成中间体H2PNO, 而后再克服两个均为四环结构的势垒TS2和TS5, 垒高分别为103.3和102.6 kJ/mol, 才能完成H原子的转移和分子的异构, 生成PN和H2O. 整个反应为放热反应, 放热为189.6 kJ/mol. 相似文献
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用矩形单模TE10n(n=3,5)微波腔体成功地烧结得到了致密的Y-TZP陶瓷及Y-TZP/Al2O3复相陶瓷材料.材料的微波加热特性与其组分有关.Y-TZP含量高有利于提高样品的加热速率并降低加热所需时间.试样加热至600—800℃之后,需随时调整输入功率、短路活塞位置及可调偶合窗开启尺寸,以保持腔体谐振和最佳偶合状态,从而保持一定的升温速度和达到稳定的最终烧结温度.纯Y-TZP及含20Vol%Al2O3的Y-TZP/Al2O3陶瓷材料均可微波烧结至相对密度98%以上,而晶粒尺寸则分别不大于0.4和1.0μm.实验还发现,温度过高时,试样中心由于达到高于其表面的温度而发生过烧现象. 相似文献