谈3G无线网络规划

1、3G无线网络的规划原则 1．13G无线网络规划内容 3G无线网络规划包括在各种情况下计算链路预算、容量和小区基站数目，同时要对基站覆盖进行预测，对其参数进行规划。除此之外，还需要对整个网络进行策划，计算基站中信道单元的数目、传输线路容量、基站控制器、交换机等其他单元的数目。在规划中需引入性能测量，如掉话率和闭塞等指标，用它们来衡量网络性能。     

3G多样性业务环境下无线覆盖半径的估算

3G网络是支持高速率数据及综合多媒体等多样性业务的系统。覆盖、容量和服务质量三者是交织在一起的,因此,在进行无线覆盖规划设计时,必须同时考虑容量、不同业务以及不同服务质量的要求,才能达到设计目标。本文对3G多样性业务环境下无线覆盖半径的估算进行了讨论。介绍了链路预算、无线传播模型及多样性业务对覆盖半径的影响等几个重要问题。特别是对负荷因子、干扰余量进行了分析,给出了不同小区负荷情况的上行链路预算举例。论文对3G无线覆盖规划设计具有一定的指导意义。     

3G网络容量受限分析及估算方法

3G网络容量及覆盖是衡量一个系统性能的关键因素,由于CDMA系统的特点,决定了在设定工程参数和无线资源参数时就要考虑容量及覆盖的平衡关系.对混合业务环境下3G网络容量的受限情况进行了分析.讨论了CDMA系统的容量特性,介绍了3G三个技术标准的容量差别,特别对混合业务容量和极限容量等制约覆盖的内容进行了阐述,给出了容量及覆盖综合规划方法的举例.论文可为3G网络的规划提供一定参考.     

WCDMA与GSM系统在设计规划中的区别

W C D M A 系统是基于 C D M A 接入方式的网络,其技术特点更接近 CDMA,　因而与 GSM 存在诸多不同。同时,由于 3G网络的综合数据业务的特点,对网络设计提出了更高的要求。 一、链路预算与上行覆盖 链路预算是无线网络规划的基本工具,链路预算的结果决定小区的覆盖半径。在GSM系统中,　上行链路和下行链路是基本平衡的,小区半径可以由基站下行信号电平高于某一设计要求的门限值决定。　在WCDMA 系统中,　 上行链路和下行链路的平衡并非网络设计目标。　基站功率在下行由小区所有用户及信令共享,因而不会成为覆盖受限链路。由于…     

WCDMA无线网络设计基础浅析

通过与GSM无线网络设计进行对比的方式,对WCDMA无线网络设计的基础概念和原理如链路预算、容量与覆盖的关系、小区呼吸效应等进行了分析和说明,为WCDMA无线网络的规划和设计提供理论参考。     

5G+4G网络协同规划方法及策略研究

本文基于中国移动4/5G业务协同预测方法、网络协同规划流程及方法进行研究分析,针对规划设计指标、链路预算、规划仿真等进行了进一步阐述,提出与4G网络协同的5G网络规划策略,包括价值建网、频率、覆盖、容量等协同,为5G商用网络规模建设提供参考。     

WCDMA无线网络规划分析

首先概述了WCDMA无线网络规划的范围及一般步骤和流程;然后详细论述了功率控制、业务类型、上/下行链路、切换方式等方面WCDMA无线网络规划与GSM规划的区别;接着重点讨论了WCDMA无线网络规划中系统容量、负载因子、干扰容限、小区覆盖半径等参数的确定;最后指出了在规划WCDMA无线网络时综合考虑覆盖、容量和质量的重要性。     

TD-SCDMA关键技术对无线网络规划的影响

文章通过分析TD-SCDMA系统与无线网络规划相关的关键技术特点，讨论了TD-SCDMA系统无线网络覆盖、容量规划及同频、异频组网需要研究的问题。通过合理的无线网络规划，可以有效地保障快速稳定的无线网络建设。随着预商用实验网的建设和技术的不断进步，TD-SCDMA系统能够更好地立足于未来3G市场。     

WCDMA无线网络规划分析

随着3G移动通信技术的发展,无线网络规划及优化变得越来越重要.文章主要介绍了WCDMA无线网络规划及其流程,重点分析了WCDMA网络预规划部分,探讨了系统中容量与覆盖的关系及平衡.     

3G CDMA无线网络规划

文章论述了3G CDMA无线网络规划的一般流程，从覆盖分析和容量分析两个角度来说明了CDMA系统网络规划的原理及特点，并对GSM系统和CDMA系统网络规划的方法进行了比较，说明了CDMA无线网络规划中需要注意的问题。     

业务识别与控制技术及其测试评估

在传统Intemet网络逐步向多业务网络演进的过程中,监管者、运营商以及最终用户都对网络的可管可控能力提出了差异化的要求,业务识别与控制技术应运而生.作为IP领域的一项热点技术,该技术得到了广泛的关注并取得了迅猛的发展.在考虑来自不同主体需求的基础上,介绍了业务识别与控制技术.此外,还结合技术发展以及网络部署等要求,着重分析了该技术的测试评估方法及测试内容.     

箔条和箔片的性能特性及其应用和趋势

从箔条和箔片用于干扰雷达测和扰乱、迷惑、转移或者引诱进攻出发,详细论述箔条、箔条云及箔片、箔片云的雷达散射截面、带度、平移速度、下降速度及转动等情况,空间和时间我、水平和垂直极化性能、多普勒频移效应以及频谱展宽特性等,通过箔条和箔片有效成火控雷达实例,提出对抗火控雷达的三个重要因素及其采取的对策。     

Engineering education and industrial research and development-thepromise and the reality

The author observes that the social fabric of engineering, the support infrastructure of the profession, and the political and economic systems of the world are undergoing shifts that affect what engineering is, how it is accomplished, and what it should do. He asks what these changes mean in terms of the educational system and explores a few of these issues that lie between academia and the industrial environment beyond. He discusses the engineering curriculum as seen from industry, the role of continuing education, research in academia     

"电路原理"与"信号与系统"课程的整合与优化

科学技术迅速发展,新兴学料不断增加,知识总量不断增长,迫使本科教育不断向着基础化方向发展,基础课程教学在本科教育中的地位愈来愈高。计算机技术的广泛应用,离散信号与系统的基础知识已是电气类各专业的必要的教学内容。因此基础课程要从根本上整体优化课程结构。本文提出了电气类专业“电路原理”与“信号与系统”课程教学改革方案,将两门课程教学内容进行整合与优化,并在实际教学过程中进行了教学试验,缩短了教学时间,提高了教学质量。     

电压波动和闪烁的解析测量法及其应用与验证

文章介绍了针对特定电压变化特性的被测设备的、简单的、低成本的电压波动和闪烁的解析测量法,并将实际解析法测量计算结果与直接测量法结果进行了比较、验证,证明该方法切实可行,且符合标准规定的容差要求。     

“信号与系统”课程建设与教改的探索

信号与系统课程是高等院校电类专业一门重要的专业基础课程,本文以西安明德理工学院智能制造与控制技术学院的信号与系统课程建设与教学改革为例,介绍了我院在信号与系统课程资源建设和教学改革中的探索和实践。实践证明,本文提出的五维一体化线上线下课程资源建设和混合式教学改革能够有效推动教与学两个方面的变革,有效提高课程教学质量,为同类兄弟院校的同类课程建设和教学改革起到一定的借鉴作用。     

压电／电致伸缩材料及驱动器的新技术与应用

压电／电致伸缩驱动器是一种广泛使用的驱动器,文章概括总结了几种压电／电致伸缩新材料的发展方向,同时还介绍了几种新型驱动模式和超声电机的研究动态,并对压电／电致伸缩驱动器的发展前景予以展望。     

光交叉连接和光插分复用技术及其应用

目前所谓的全光网络一般指基于DWDM传送技术的光传送网络（OTN）。由于OTN的节点采用OADM和OXC技术,为解决目前点到点的DWDM技术在应用中不能实现灵活组网和当网络失效时不能有效进行保护的问题提供了一种解决方法,使得OTN具有传输容量大、组网灵活、网络具有可扩展性和可重构性、易于升级等特点,可透明传输具有代码格式的不同速率等级的用户数字信号,能够同时适应用户信号种类用服务种类不断增长的需求。     

Thin film deposition and microelectronic and optoelectronic devicefabrication and characterization in monocrystalline alpha and betasilicon carbide

The deposition of silicon carbide thin films and the associated technologies of impurity incorporation, etching, surface chemistry, and electrical contacts for fabrication of solid-state devices capable of operation at temperatures to 925 K are addressed. The results of several research programs in the United States, Japan and the Soviet Union, and the remaining challenges related to the development of silicon carbide for microelectronics are presented and discussed. It is concluded that the combination of α-SiC on α-SiC appears especially viable for device fabrication. In addition, considerable progress in the understanding of the surface science, ohmic and Schottky contacts, and dry etching have recently been made. The combination of these advances has allowed continual improvement in Schottky diode p-n junction, MESFET, MOSFET, HBT, and LED devices