TiAl合金晶界的计算模拟及原子像对照

对γTiAl{111}〈110〉孪晶的三种界面结构进行了计算模拟并与原子像作了比较.为检验[110]与[011]不等同轴对界面拉伸性能的影响,对{115}〈110〉/{111}〈011〉晶界计算模拟了在拉伸加载下的动力变形.利用纳米晶模型和分子动力学方法研究了该合金中应力诱导γα2相变的历程.     

低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象

采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶.在χ固定为55°时的{111}ψ扫描中发现了异常的Bragg衍射峰,表明GaN/GaAs(001)低温生长中孪晶现象非常明显.GaAs(001)表面上出现的{111}小面极性会在生长初期影响孪晶成核,实验结果表明孪晶更易在{111}B面即N面上成核.     

Ti-25 Nb-25 Ta合金拉伸变形过程中｛332｝〈113〉变形孪晶的EBSD研究

本文利用EBSD技术对亚稳β型Ti?25Nb?25Ta合金室温拉伸变形过程中｛332｝〈113〉变形孪晶的演变趋势及交叉现象进行了研究。结果表明：随着变形量的增大，孪晶宽度不断增加，孪晶形态由变形初期的平直细条带状逐渐变为宽窄不一的条带状，至变形末期部分孪晶呈破碎状，孪晶界严重扭曲变形。多数晶粒内产生两种以上｛332｝〈113〉孪晶变体，部分孪晶能穿越晶界继续生长，某些初次孪晶内部有二次｛332｝〈113〉孪晶产生。不同变体孪晶间易发生交叉现象。不同｛332｝〈113〉孪晶变体的交叉作用导致交叉区域出现较大的局部晶格畸变，晶格畸变主要集中于孪晶内部，且交叉界面处的晶格畸变程度最为严重。交叉作用的结果是交叉区域的晶体相对于不同孪晶变体和基体的取向都发生一定程度的改变。     

多向压缩路径下AZ31镁合金孪生行为的EBSD研究

本文利用EBSD技术研究了室温下AZ31镁合金多向压缩变形中的孪生行为。实验结果表明TD方向预压缩变形以{10 12}〈1011〉拉伸孪生为主,导致晶体取向产生86°旋转,{0001}极图中TD附近出现极强的峰值,从而使后续ND方向压缩变形时有利于退孪生行为发生,{0001}极图中ND附近重新出现极强的峰值。     

变形Mg-Gd合金中退孪生组态的透射电子显微研究

本文利用透射电子显微镜(TEM)对室温冷轧变形Mg-5Gd(at.%)合金中共轴{10(1)2}孪晶变体的相互作用组态进行了细致的表征,揭示了其中涉及的退孪晶结构特征,并对退孪生发生的原因及过程进行解释,认为这种退孪生的本质是一种在相互作用原始孪晶中发生逆向二次孪生的过程,并且退孪生从孪晶界面处开始向孪晶内部进行.     

AZ31镁合金形变扭折带中{10(1)2}孪生行为的电子显微学研究

用透射电子显微镜(TEM)技术研究AZ31镁合金在室温轧制变形时扭折带(kink band)的孪生行为.轧制变形产生的扭折带在持续应力的作用下,内部会发生{10(1)2}孪晶的形核以及长大过程,孪晶在长大过程中严格受限于扭折带界面.随着变形程度增大,孪晶内部也会形成位错墙吸收基面位错,协调塑性变形过程.     

铁素体不锈钢拉伸变形过程中的原位EBSD研究

利用原位EBSD技术研究了铁素体不锈钢形变过程中组织和晶粒取向的演变过程。结果表明：随形变量的增加,小角晶界（1°〈θ〈2°）显著增多,大角晶界（θ〉10°）保持相对稳定。当形变量〈6%时,{100}〈011〉取向晶粒在轴向拉伸过程为稳定取向,而{111}〈uvw〉晶粒其拉伸轴取向向〈100〉-〈101〉连线方向转动一定角度（12°〈α〈20°）。具有不同转动特点的晶粒之间相互作用,使晶粒向着晶面法向转动,形成粗糙表面。     

可控电参数低位错InP单晶生长及性质研究

本文详细介绍了用 LEC 法生长 InP 单晶时,利用“热场杂质效应”生长出载流子浓度在1～30×10~(17)cm~(-3)范围内可控,位错密度为0～10~4cm~(-2)、直径≤40mm 的 InP 单晶。得到一种显示固液界面的新方法。论证了构成位错蚀坑晶面的空间取向,计算出有孪晶出现时,寄生晶体的生长方向偏离〈111〉方向38°56′,寄生生长面为{115}面。     

Mg-Y-Nd-Zn镁合金冲击变形结构特征的电子显微研究

利用扫描及透射电子显微技术对点冲击变形Mg-Y1.5-Nd0.6-Zn0.4合金的显微结构特征进行了研究。结果表明点冲击变形镁合金的主要变形模式包括形成孪晶与剪切带。其中孪晶的主要类型为{1121}、{1011}与{1012}孪晶。此外,孪晶与剪切带之间存在交互作用,进而在一定程度上改变孪晶相对基体的取向差。     

多向压缩路径下AZ31镁合金孪生行为的EBSD研究

本文利用EBSD技术研究了室温下AZ31镁合金多向压缩变形中的孪生行为.实验结果表明TD方向预压缩变形以{1012}〈1011〉拉伸孪生为主,导致晶体取向产生86°旋转,{0001}极图中TD附近出现极强的峰值,从而使后续ND方向压缩变形时有利于退孪生行为发生,{0001}极图中ND附近重新出现极强的峰值.     

非同相口径场瞬态辐射的计算

利用电磁脉冲的口径瞬态辐射场计算公式,针对圆形口径的线性相移、平方律相移等非同相口径场情况,计算了辐射高斯脉冲时的能量方向图、半能量波瓣宽度、面积利用系数等参数.计算表明,对于圆形口径非同相口径场,最大辐射场的方向为口径面法线方向,同时能量方向图关于口径面法线方向对称;随着口径的增大,波瓣变窄,无副瓣;随着平方律相移的滞后参数的增加,波瓣变宽,主瓣不分裂.     

两种自适应杂波抑制技术的比较：AMTI及ADPCA技术性能的分析和比较

本文在讨论机载雷达地面杂波回波的基础上，分析了ＡＭＴＩ和ＡＤＰＣＡ系统的性能。对这两个系统从原理上，并利用计算机模拟结果及实验结果进行了比较。本文将有助于工程实现。     

水的光学特性对水下光学成像质量影响的分析

水的光学特性对光学成像质量有着重要的影响,水对光的吸收、散射作用可造成光在水介质传播中的衰减,本文就水的光学特性及其对水下光学成像质量的影响进行了分析,以为成像系统在水下的应用提供基础的理论依据。     

杂质吸收对光子晶体滤波器设计的影响

为了研究杂质的吸收对光子晶体滤波器设计的影响,引入复折射率并利用特征矩阵法,计算了滤波透射峰的峰值和半峰全宽。滤波透射峰的峰值随杂质的消光系数增加而迅速减小,滤波通道透射峰的半峰全宽随消光系数增加而增大,滤波透射峰的峰值和半峰全宽都随吸收杂质的光学厚度的增加而减小。结果表明,设计光子晶体滤波器时,必须考虑杂质吸收这一重要因素,应选择消光系数小于0.002的掺杂材料,并且杂质的光学厚度应设计在2(λ0/4)左右。     

近红外光谱技术在水果品质无损检测中应用的研究与现状

简单概述了我国水果产业的发展现状,着重阐述了国内外利用近红外光谱技术进行水果品质无损检测的最新研究进展,分析了当今研究中存在的问题,并对利用近红外光谱技术进行水果检测的前景进行了展望,提出了一些建议。     

一种卷积码的VITERBI译码的实现

本文采用ＱＵＡＬＣＯＭ公司的Ｑ１６５０多码率ＶＩＴＥＲＢＩ译码器,设计了前向纠错编／译码器,对提高误码的纠错能力有一定参考价值。     

星载差分吸收光谱仪转动部件测试系统设计

基于星载差分吸收光谱仪转动部件控制需求,设计了星载光谱仪转动部件的测试系统。采用微动开关复位加定步的电机运动方式实现电机的精确定位。采用脉冲调制（PWM）的方式实现驱动电流的精细调节。并搭建平台对系统进行重复性测试,实验结果表明,测试系统具有较高的可靠性和稳定性,能够满足光谱仪的精确定位要求,使电机在工作寿命内按计划完成定标工作。     

电子技术基础实验课程混合式教学设计

近年来,在线学习掀起了一场席卷全球的教育革命,MOOC/SPOC、翻转课堂、混合式教学对高等教育带来了前所未有的冲击。电子技术基础实验课程地位特殊,传统教学方式已无法满足创新性人才培养的需要,文章从其教学特点出发,提出了“线上教学+自主实验+翻转课堂”的混合式教学模式,同时还阐述了与此密切相关的集约化线上教学资源平台、智能化翻转教学环境以及多元化过程性考核评价机制三个重要环节。经研究发现,学生的课堂主动参与度、自主学习能力、创新思维能力、动手实践能力以及教师的教学创造力得到全面提升。教学环境支持课堂互动和全周期教学行为数据采集,体现了教学过程的信息化、教学实施的精准化和教学评价的客观化,实现了信息技术与实验教学的深度融合。     

“计算机组成原理”设计性实践教学模式研究

本文阐述了"计算机组成原理"设计性实验教学的重要性,对设计性实验教学的目的和基本特征进行了归纳,对"计算机组成原理"设计性实验教学的现状进行了调查,对存在的问题进行了较深入的分析;在此基础上.对组成原理设计性实验的教学模式进行了研究,对设计性实验的体系进行了初步设计,并对"计算机组成原理"设计性实验的实施方法进行了探讨.     

一种提高白光LED相关色温分布均匀性的方法

提出一种新的白光LED荧光粉涂敷方式,将荧光粉与硅胶混合体涂敷在白光LED封装用透镜内侧,将透镜倒置后使荧光粉与硅胶混合体由透镜内侧中心点向四周流散,固化得到厚度相对比较均匀的荧光粉层,然后再用硅胶灌封。根据这种新的荧光粉涂敷方式制成白光LED样品,对样品性能进行测试,并与传统的荧光粉涂敷方式的白光LED比较,结果表明,采用新的荧光粉涂层技术制成的白光LED,在相关色温均匀性和稳定性等方面都有明显的提高。