晶体二极管过渡特性的测量

由于二极管开关线路具有简单、稳定、可靠、廉价及其它优点,所以在计算机里得到了广泛的应用。随着机器速度的提高,对二极管提出愈来愈高的要求。因此对二极管需要严格测试,确凿的鉴定二极管开关特性。为此本文介绍一下二极管开关参数:正向恢复,反向恢复,存贮电荷。同时谈到测量方法以及测量用的一套线路。     

半导体二极管开关特性的一般模型

文中提出一个新的P—N結二極管电荷控制模型,在这个模型中分别采用时常数τ_F和τ_R来使正向电流I_F及反向电流i_R与存儲于基区的电荷Q联系起来。分析了正常开关运用的反向开关瞬态特性,这时存在恆流阶段(存儲阶段)和电流衰减阶段。也分析了过驅动开关运用的反向开关特性,这时不存在恆流阶段。导出了新的开关时間方程式。这些方程用可测量的器件参数τ_F、τ_R、C_j、外线路可变值I_F和I_R、以及一外线路参数R表示。所提出的模型可用于任何类型的P—N結二極管。文中还给出了用各种类型二極管所得到的实驗結果。实驗結果与理論完全符合。     

饱和与非饱和开关线路技术的比較

本文讨论了关于结式晶体管是一种由电荷控制的电流源的概念。饱和与非饱和运用的主要区别在于少数载流子和多数载流子在基区中的分布不同。分析了几种共射开关线路。介绍一个根据晶体管电荷存储性能而得山的最佳值即开关效率。主要是就下列几个方面对饱和与非饱和运用作了比较:开关效率、瞬态波形、电平稳定性、功率损耗、排除及抑止干扰能力以及线路的复杂程度。文中还讨论了普遍采用的抗饱和技术。     

隧道二极管存储器

利用隧道二极管的非线性伏-安特性可以得到高速双稳开关线路,所以把它作为存儲元件是非常有前途的。1961年日本已試制成了容量为17位×16字、工作周期为0.2微秒的隧道二极管存儲器。1962年吴国又試制成了容量力9字×3位、存取周期为15毫微秒的存儲器模型。这篇文章簡单說明隧道二极管存儲元件的工作原理,介紹各种存儲方案及1963年上半年前所发表的一些存儲器的性能,并归纳了所存在的問题。对該项工作的发展也进行了探討。     

一种多用途负阻器件——兰姆达二极管

兰姆达(lanbda,λ)二极管是具有双稳态开关特性的两端器件,可与其它器件一起容易地集成在同一芯片上,可望应用在保护、开关、振荡器及数字存储器电路里。负阻器件同单结晶体管与可控硅整流器一样,以前只限于在脉冲和开关电路里应用。然而,一个新的单块负阻器件——兰姆达二极管,在新的应用领域里,用途比较广,并且也简化了许多普通电路的设计。实际上兰姆达二极管是由一对互补耗尽型、结式场效应晶体管所组成的一个简单的两端器件。此二极管重要的特点是,它比普通的     

电机伺服单元中功率MOSFET的驱动电路设计

本文分析了栅驱动电路对功率MOSFET开关性能的影响，并结俣一电机伺服单元驱动电路的设计实例，说明了如何根据栅电荷曲线及抑制二极管向电流的要求选择合适的栅驱动电路阻抗的方法，也提出了一些设计中应注意的问题。     

计算机用硅扩散掺金二极管

高速开关的脉冲线路,特别是工作于高频中的计算机基本线路需经常用二极管。不论在逻辑线路还是在再生整形线路中二极管都起很重要的作用。现在晶体三极管的制造工艺的迅速发展使它的开关速度能达10毫微秒的数量级,在开关线路中与晶体三极管相配     

二极管-电流开关高速逻辑元件

引言为了提高晶体管的开关速度,希望晶体管线路接成共基极形式,而且使之不进入饱和区。另外,为使线路对收集结势垒电容和线路杂散电容充电时间减到最小,必须使线路讯号幅度减至最小。二极管网络可以完成逻辑操作,而且也很经济。但由于二极管是一种无源器件,在操作     

电容式RF开关介电电荷及相关可靠性模型及模拟

就介电电荷以及它对电容式RF MEMS开关可靠性的影响进行了分析,在前人的基础上建立起了一个更加全面和准确的介电电荷积累及其相关可靠性模型.介电电荷的产生是由于电介质中有漏电流(Ohmic电流、Frenkel-Poole电流),漏电流中电荷被介质陷阱捕获,进而导致电荷的积累.由此得到了介电电荷随时间的积累公式、开关失效寿命公式以及介电击穿寿命公式,其结果具有一定参考价值.     

ACP电阻耦合开关线路的设计

在“先进的线路計划”中发展了一种硅晶体管的直接耦合邏辑线路。硅晶体管在集-基极“二极管”中具有足夠的电場梯度,它允許在正向偏压条件下高速工作。电流开关技术提供了合适的控制电平,使得晶体管能在不牺牲高速度的区域内工作。在这个区域中工作,可以得到线路的簡化并且只有很低的功率损耗。对于組合状态的器件作了定义。描述了邏辑线路和功率放大器装置的設計技术。功率驅动和傳輸线驅动线路中采用了鍺隧道二极管。为测量延迟时間,組成含有424个线路的模型。发现ACP线路(为这类线路所取的名称)能在3.2毫微秒内完成两級邏辑作用。     

采用存储二极管作为电荷变换器的新型隧道二极管线路

引言几年来,晶体管作为一种逻辑开关器件非常盛行。晶体管具有增益高、速度快、逻辑灵活、价格低以及体积小等一系列的性能,因而晶体管获得了广泛的应用。虽然1958年隧道二极管的出现预示了它是下一代计算机的开关器件,但是当了解了容差问题以后,人们对它的兴趣大大降低。一些研究者指出,单级隧道二极管线路的逻辑增益很低而容差要求很严,因此这种线路对于通用计算机逻辑来说价值很小,甚至毫无价值。     

电荷控制理论的应用

Beaufoy 和 Sparkes 提出的把晶体管视为电荷控制器件的想法,无论从概念上或者在分析上都是研究晶体管的一个有用的方法。文中将电荷控制理论已应用到开关线路设计者所感兴趣的一些问题上。本文首先把电荷控制理论作一扼要的复述,以提供一个研究问题的依据。其次,应用这个理论来详细地阐述“立即需要的电流增益”β_s 及其对线路设计的影响。再次,把为开关时间所推导的基本方程应用到 RCTL 电路上,并导出上升、存贮及下降时间的方程。最后,用特别简单而独特的方法推导了寄生电容对开关时间的影响。     

高速射极电流开关

本文先对晶体管开关技术作了简要的讨论,指出了射极电流开关在速度和稳定性方面的优越性。给出了典型晶体管的参数,并注意到高速开关线路中二极管的特性。然后详细地分析了射极电流开关,并根据分析结果列出了设计这种线路的一套原则。用一个方波发生器、一个脉冲形成线路和一个运用在高达80兆赫的计数器作为例子来说明电流开关技术的潜力。上述线路全都采用了OC 170型晶体管。     

交流硅光敏管

<正> 交流硅光敏三极管实质上是由两个npn光敏三极管与两个p-n结二极管集成而成,其内部由连线相连。当交流的正半周加在引线端1时,二极管Ⅰ导通,光敏三极管Ⅰ被短路,处于非工作状态,电源电压几乎全加在光敏管Ⅱ上,且极性符合npn光敏三极管Ⅱ的工作状况,因此有光照射它时便有光电流输出。在交流负半周时,二极管Ⅱ将三极管Ⅱ旁路,光敏管Ⅰ     

Stretch計算机采用隧道二极管存儲器

美国IBM公司已把隧道二极管存储器安装在已投入运行的Stretch计算机中。隧道二极管是目前最快的开关元件之一,它的开关时间约为1毫微秒。过去,人们曾提出过一些隧道二极管的电路和器件并制成了实验模型;但是IBM公司研制的这个隧道二极管存储器被安装在计算机中并已投入运行。     

适用于混合动力汽车的二极管

英飞凌科技推出全新650VCoolMOSTMCFDA,扩大其车用功率半导体产品阵容。650VCoolMOSTMCFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流／直流转换器和HID（高强度放电）照明等谐振拓扑。 该方案兼具快速开关超结MOSFET的优点：更高的轻载效率、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更易使用以及高的可靠性等。可满足汽车应用对于更高能效的要求,它具备更低的单位面积通态电阻和易于控制的开关行为,以及较好的体二极管耐用性。体二极管重复换向时更低的Qrr和Qoss值可降低开关损耗和缩短开关延迟时间。     

多度电流重合磁心存储器

随着高速计算机的发展,需要研制存取时间小于1微秒的大容量超高速存貯器。提高磁心存储器的电流选择比可以达到这个目的。已经证明,采用多度电流重合法,将在存储系统的结构及操作方式方面引起重大的变革。因此,普通磁心选择开关已经不能胜任。本文介绍了一种双磁心开关,利用它可以顺利地来解决一系列在多度重合法中所产生的各种开关问题。本文还介绍了一个存储容量为10,000字(每字40位)的磁心存貯器,当选择比为3:1及7:1时,测得的存取时间分别为1微秒及0.8微秒(后者还可以缩短到0.6微秒);除了分析这个存貯器的工作原理以外,文中并附有实测的波形图。     

磁卡片机

美国 NCR G-315数据处理系统采用了一种磁卡片机(GRAM)。这种磁卡片机可供随机和按序存取数据以及复制文件之用。它的存聍容量大,并可根据大小问题的需要来改变存贮量。这台磁卡片机亦可用于通用数字计算机。     

隧道二极管高速运算器

隧道二极管在数字计算机线路中应用的主要限制是隧道二极管有双向性以及很难在保持高的运算速度的同时获得反相讯号和高的逻辑增益。这些缺点加上晶体三极管开关速度近几年来的迅速提高就扭转了有人认为在数字机系统里隧道二极管将代替三极管的看法。但隧道二极管可以有效地补充晶体三极管之不足,使之获得更大范围的线路工作速度与经济效果。     

负阻发光二极管及其应用

<正> 负阻发光二极管是一种p-n-p-n四层结构的半导体发光器件。它具有负阻特性,故其有开关特性。硅四层结构器件接成三端形式就是可控硅器件。如果发光二极管所用的晶体做成两端p-n-p-n器件,就可获得负阻特性并在通态发光。负阻发光二极管是n型衬底,其内部有三个极性的p-n结,当两个p-n结处于正向偏置时出现负阻特性,