新型激光器研究现状及其应用

激光技术在军事和民用领域有着广泛的应用。在对国内外激光技术领域文献综合调研的基础上,讨论了固体热容激光器、陶瓷激光器、随机激光器等新型激光器的研究现状,并就新型激光器的优点与传统激光器进行了比较,展望了新型激光技术的广阔应用前景。     

自由电子激光中的电子和光场的混沌

针对康普顿型常参数自由电子激光器的理论模型，应用运动轨道直接观测法，绘制了电子相轨道的二维投影构图，并计算了轨道的李雅普诺夫指数。确定了电子混沌轨道的临界区域。     

YAG激光器的计算机闭环控制

介绍了采用ＩＥＥＥ－４８８接口组建的ＹＡＧ激光器的计算机闭环控制系统，实皮长连续扫描和数据同步采集，改进了传统实验手段。     

半导体激光器减反射膜的涂镀

通过对ＧａＡｌＡｓ激光器谐振腔前腔面涂镀ＳｉＯ工艺，分析涂层特性，透射率由无膜时的６９％提高到９２％，提高激光输出功率和工作寿命。     

TEACO2激光器镜片损伤的研究

该文报道了ＴＥＡＣＯ２激光器全反镜镀金膜的损伤与膜层厚度、膜层结构及其缺陷的关系，并分析了脉冲放电ＴＥＡＣＯ２激光器对镀膜的损伤机理。     

光纤激光器中的波导损耗

本文分析了两种由于波导本身引起的光纤激光器的损耗。一种是由波导边界的畸变所导致的导模耦合至辐射模的损耗;另一种是由于光纤导模中一部分功率在包层中传播,它将引起一等效的损耗。     

GaAs—GaAlAs大光腔激光器

利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ－ＧａＡｌＡｓ大光腔结构激光器。样品１０Ｋ下光荧光谱的峰值波长为９２６．２６ｎｍ。样品的测量结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管,峰值输出功率达到１５Ｗ。     

高能固体激光器现状及发展趋势

高能激光器在国防建设中发挥着重要作用。在综合调研的基础上,综述了国内外高能固体激光器的发展现状;就高能固体激光器与氧碘化学激光器的性能进行了比较;在此基础上,对高能固体激光器的应用前景进行了分析讨论。     

堆积式列阵半导体激光器

本文介绍堆积式列阵半导体激光器,着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系列激光器。由于它们的Ｔｏ小,受环境温度影响大,用一般结构作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器。它的Ｔ０值可达１００￣１４０Ｋ,单个１．３μｍ激光器,脉冲峰值功率超过３ｗ（瓦）,单个１．５５μｍ激光器,脉丫峰值功率超过２Ｗ。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现,列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和;而减步的比率随着     

光纤激光器的研究及其进展

介绍目前具有良好应用前景的光纤激光器的结构、原理和工作特性,简述了光纤激光器的发展趋势.     

纳秒双脉冲及系列脉冲红宝石激光器电控制系统的研制

本文运用一种新的方法，研制出了二级红宝石激光器电控制系统。该系统具有节能，可靠、性能稳定，安全、操作方便，抗干扰能力强等特点，经实际应用取得良好的效果。     

高气压下CO激光器频率调谐的可能性

利用压力加宽实验数据和ＣＯ分子＾＋Σｇ态的分子常数，并考虑了所有可能的ＣＯ谱线理叠，计算了２．０ｋＰａ－１．０ＭＰａ下的振转变线增益，并得出由于Ｒ支与Ｐ支的共振自吸收及ＣＯ激光器不可能通过增高气压实现频率连志调谐的结论。     

双异质结半导体激光器（DHL）的研制

采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ双异质结激光器。脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率的１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ。较详细地介绍了器件制作的后工艺过程。     

量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究

本文阐述了分子束外延（ＭＢＥ）技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ设备，实现了单量子阱（ＳＱＷ）和多量子阱（ＭＱＷ）半导体激光器外延片的生长，并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。     

连续半导体激光器驱动电源

本文介绍了由单片机控制的连续半导体圾光器驱动电源,系统的阐述了其工作原理、软硬件构成。实际应用表明,本驱动电源具有智能化程度高、抗干扰能力强、电源稳定度高、对激光器无损害等优点。     

IGBT连续激光器电源的设计

本文介绍了为两只7K100C型高压氪灯设计的IGBT连续激光器电源,其主电路采用PWM工作方式,控制电路采用PID方式对整个电源系统进行调节和校正.该电源具有具有很高的稳流精度和良好的动态调节性能.     

内腔式黄光He—Ne激光器谐振腔的设计

本文提出了内腔式黄光He-Ne激光器谐振腔的设计方案。