GMR薄膜抗辐照性能研究

研究了两种不同材料构成自旋阀结构的巨磁电阻(Giant magneto resistance,GMR)多层膜受质子辐照、电子辐照和γ射线辐照的影响。实验结果表明,辐照会引起磁电阻率的略微下降,但降幅均低于10%,并且GMR薄膜的矫顽力和交换场并不受辐照的影响。对比发现,GMR元件受太空环境中以质子辐射为主的影响非常小,这表明GMR元件在空间应用中具有广阔的前景。     

食品辐照用~(60)Co辐照装置剂量场计算

近年来,食品辐照保藏保鲜已达到商业化规模。不少地区正在建设和筹建商用辐照装置。剂量场计算不仅可为建造辐照装置提供设计依据,而且还为食品辐照加工、质量监控提供装置的运行参数。由此可见,剂量精确计算对辐照装置的设计,保证辐照产品产量、质量有着重要意义。     

3号辐照场剂量的微机管理

本文针对四川省原子核应用技术研究所３号辐照场的基本特点和辐照加工情况，论述了３号辐照场源排列，空场实场剂量计算，分布曲线和辐照工艺评价软件的主要内容。     

3.7×10~(15)Bq ~(60)Co地下辐照场及其安全性

建造~(80)Co辐照装置一般采用水井式钢筋混凝土结构作为防护层。本文报道了一个以泥土层作防护的地下式~(60)Co辐照装置以及对其安全防护性能的监测。监测结果表明:辐照场所处环境位置符合卫生、达到安全要求;这种以少量钢筋混凝土作支架、大量泥土作防护层的地下式辐照场既能大大节约投资和建筑材料,又能达到良好的防护效果。     

上海辐射中心钴源装置剂量场计算

本文用γ辐照装置剂量场计算简化模型计算了上海辐射中心γ辐照装置剂量场分布,并与实测值进行了比较。计算和测量了辐照产品箱内累积最大和最小吸收剂量、均匀性等参数,介质为空气时符合较好,辐照产品为马铃薯时在10％以内符合。同时也给出了辐照产品为马铃薯时的产量和源利用率的计算值和实测值。     

铝壁硼沉积正比计数管

本文介绍两种带有保护外壳的铝壁硼沉积正比计数管,它用于核电站的启动。该管耐中子场静辐照寿命长达10~(18)m~(-2),耐γ场辐照寿命大于258kC/kg。此管型的另一特点是工作电压低于1000V,能在恶劣的现场条件下工作。这种正比管的γ甄别本领强,在25.8μC/kg·s的照射条件下只记天然本底,无迭加γ场的贡献。     

γ辐照对枯草芽孢杆菌营养体的损伤

选用不同剂量γ射线辐照枯草芽孢杆菌营养体,分别用细胞计数、黄嘌呤氧化及脉冲场凝胶电泳法分析了辐照后的细胞存活率、胞内SOD活性及细胞DNA双链断裂水平。研究发现,随着γ辐照吸收剂量的增大,细胞存活率不断下降;SOD活性随剂量的变化无明显的规律;DNA双链断裂水平与细胞存活率密切相关,DNA的释放百分比和断裂水平值随辐照剂量增加而不断增大。结果表明：γ辐照对枯草芽孢杆菌营养体有较高的灭活能力,其损伤效果可能与SOD活性及双链断裂相关。     

~(60)Co γ辐照场中镎价态变化的研究

本文研究了含镎的硝酸-硝酸铀酰溶液在~(60)Coγ辐照场中镎价态变化的规律。观察了硝酸浓度、硝酸铀酰浓度及辐照剂量对镎价态变化的影响。结果表明:起始价态以镎(Ⅴ)为主的溶液经辐照后发生了辐射氧化-还原反应而生成镎(Ⅳ)和镎(Ⅵ),其生成量的多寡取决于溶液成份及辐照条件,起始价态以镎(Ⅵ)为主的溶液在辐照场中镎被还原;起始价态以镎(Ⅳ)为主的溶液在辐照场中镎被氧化。本文也对~(60)Coγ辐照场中镎价态变化的反应机理进行了一些讨论。     

某单晶硅辐照系统辐射防护评价

单晶硅经反应堆中子场辐照后,具有了活化放射性,在单晶硅转运出反应堆及暂存过程中对操作人员构成外照射危害.本文根据某反应堆单晶硅辐照系统技术参数,计算了辐照后样品的活化活度,以及操作人员所在处的周围剂量当量水平,并提出了优化辐照工艺流程和操作的建议.     

日本开发出中子辐照环境控制法

<正>【日本原子能研究开发机构网站2010年1月14日报道】日本原子能研究开发机构(JAEA)利用填充了铍金属微粒的辐照样品盒定位器,在世界上首次成功开发出了"中子辐照环境控制法",可以在辐照试验反应堆为用户提供更理想的中子场。     

独立温度补偿型高温材料辐照考验装置设计研究

为实现材料堆内650±50℃的高温辐照考验,提高辐照温度的均匀性,进行了高温材料辐照考验装置的设计研究。通过筛选合适的材料进行辐照考验装置的加工制造,提高了辐照考验装置的耐高温性能。以条件辐照试验结果为基础,对辐照考验装置进行了热工分析,提出了阴阳面温度独立控制技术和阶梯间隙温度补偿技术,确定了辐照考验装置的关键尺寸,实现了650±50℃的辐照温度,减小了辐照温度的差异。     

国产A508-Ⅲ钢辐照后的室温低周疲劳性能

A508-Ⅲ钢是国际上核一级压力容器的常用材料。由于反应堆压力容器在服役过程中将暴露在较强的中子辐照场中，辐照脆化是压力容器老化失效的主要原因之一。因此，容器材料辐照后的疲劳性能应该被检测并将数据结果存入数据库，以便于评估压力容器在服役过程中的安全性及剩余寿命。     

超薄和超薄绒面Si太阳电池的1-MeV电子辐照特征

对国产超薄背场Si太阳电池和超薄绒面背场Si太阳电池的电参数和光谱响应的1-MeV电子辐照损伤进行了研究。实验结果表明,超薄和超薄绒面背场Si太阳电池与常规背场Si太阳电池相比不但具备更好的抗辐射能力,而且电池电参数也有了明显提高。     

辐射加工过程中错步辐照的判别及影响程度估算

为探讨判断动态步进辐射加工过程中错步对辐照产品吸收剂量的影响程度，通过不同辐照位影响的实验研究了44个辐照位对模拟产品瓦楞纸的吸收剂量贡献率。结果显示，个别辐照位对模拟产品的吸收剂量贡献极其明显，错步辐照在关键辐照位对吸收剂量影响较大。文章结合工艺特点分析了错步辐照的成因、核查错步辐照的判别条件和预防措施，并给出吸收剂量影响程度的测算公式。     

MCNP模拟钴-60辐照装置空间剂量场

为模拟辐照室中辐照工位外的周围空间剂量场分布,采用蒙特卡罗粒子输运程序MCNP建立钴-60辐照装置模型。以单板源架中心点为坐标原点的笛卡尔坐标系,考虑钴-60源的γ射线非自吸收和自吸收两种情况,研究坐标轴方向上每隔10 cm间距的空气平面的剂量率和坐标轴上剂量率的变化规律。结果表明,辐照室中辐照产品占满辐照工位的情况下,周围空间剂量场空气面剂量率整体较小;单板源架中心坐标轴上的剂量率变化规律更符合二项式拟合函数。在钴-60源γ射线自吸收情况下,单板源架端面坐标轴附近的空气面剂量率明显偏小,且随着空气面远离单板源架,空气面上的高剂量率区域向两侧移动;在钴-60源γ射线非自吸收情况下,单板源架端面处的空气面高剂量区域始终位于坐标轴附近。MCNP理论模拟计算分析对于利用钴-60辐照装置辐照工位外的周围空间剂量场具有重要的实际指导意义。     

天然橡胶乳液的辐照硫化

研究了天然橡胶乳液的辐照硫化，探讨了橡胶乳液成分，敏化剂浓度、辐照剂量和贮藏时间对胶膜拉伸强度的影响。辐照硫化应首先选用合适的天然橡胶乳液，敏化剂n-BA含量和辐照剂量一般分别选为5phr和约20kGy，具体辐照剂量应由实验确定。在2个月内，辐照硫化乳液的拉伸强度基本保持不变。     

中国实验快堆结构材料辐照装置设计

为在中国实验快堆(CEFR)上开展国产快堆包壳材料的辐照试验,进行了CEFR首个结构材料辐照装置的设计。材料辐照装置的创新设计基于CEFR的辐照条件和堆芯组件的基本结构,通过在辐照装置内部设置不同气隙尺寸的辐照罐,实现了在快堆不同功率稳态运行条件下(40%和100%额定功率)对材料样品不同辐照温度(450~600℃)的要求。辐照装置具有样品辐照温度与中子注量率的非在线监测功能,其结构具有通用性,能满足材料辐照标准试样最大装载的需要。通过对辐照装置进行热工分析和堆外的传热验证试验、流阻特性和结构稳定性验证试验,保证了辐照装置的设计能满足材料辐照任务的要求。     

国产反应堆压力容器材料辐照效应研究

反应堆压力容器(RPV)材料经受中子辐照后,发生脆化效应导致韧性降低是影响反应堆安全运行的重大因素。为准确评估国产RPV的安全性,采用国产RPV材料在试验堆内加速模拟辐照的试验方法,研究国产RPV材料的辐照脆化性能。结果表明,国产RPV材料在寿期运行工况下,存在一定程度的辐照强化效应和辐照脆化效应。     

C276合金的抗辐照性能研究

C276合金为包壳部件的候选材料之一，本文拟对其抗辐照性能进行研究。对C276合金进行质子及多束粒子辐照，利用纳米硬度仪、透射电镜、拉曼成像仪等研究了C276合金在辐照前后的试样。结果表明：在质子及多束粒子辐照下，辐照损伤区域发生C偏析和位错环硬化；在H或He单束辐照条件下，在35.0 μm或3.5 μm深度处，拉曼光谱中的碳峰相对强度较大且碳峰红移，引起此处的纳米硬度较其他深度处的高；试验得到的损伤峰对应的深度与模拟计算得到的吻合。可推知，C276合金在质子及多束粒子下的辐照硬化是辐照偏析及可能的位错环硬化综合作用的结果。     

辐照硬化位错动力学模拟的研究进展

辐照硬化是金属材料的辐照效应之一,开展辐照硬化机理研究有助于设计可靠的反应堆结构材料。辐照产生的缺陷会对位错运动造成阻碍,被认为是辐照硬化的主要原因。近年来快速发展的位错动力学模拟方法为材料的微观组织变化和宏观力学性能之间建立起了桥梁,被广泛用于辐照硬化机理研究。对于一些辐照缺陷如位错环和层错四面体,位错动力学软件已能模拟它们对位错网络演化以及宏观力学响应的影响,使辐照硬化的定量预测成为可能。本文从位错动力学模型、不同类型辐照缺陷硬化效应的位错动力学模拟以及辐照硬化理论模型发展三个方面,综述了辐照硬化位错动力学模拟的研究进展,并展望该研究领域的主要科学问题。