He^＋注入Si（100）缺陷退火效应的慢正电子束研究

用慢正电子束探针测量了经剂量为5×10     

退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

利用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源交稀土金属Er离子注入单晶硅中，经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近10at%,即可达10^21cm^-3量级。XRD分析薄膜物相结构发现，退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AFM显微分析可得，退火温度影响辐照损伤的恢复程度，Si固相外延再结晶和显微形貌。这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.54μm光致发光。     

注F+NMOSFET的电离辐照与退火特性

比较了CC4007电路栅介质中注F′和未注F′的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F′的引入能明显降低器件的辐照敏感性,提高器件的可靠性能。表现为在同样辐照偏置下注F′器件比未注F′器件的阈电压漂移小,辐照后退火期间的界面态、氧化物电荷变化稳定。     

离子束合成法形成的Si／CoSi2／Si／SiO2／Si（100）结构

用离子束合成法先后在Si(100)衬底中形成了连续的SiO_2及CoSi_2埋层,从而形成了复合的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)结构。卢瑟福背散射、沟道技术及用扫描电镜所作的电子通道花样被用来对这一结构形成的各个阶段进行分析。这一结构可望用于今后新型的微电子器件、光电器件及三维集成电路等。     

低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜

采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为54.7°,离子/原子到达比为0.06时,沉积的Ag膜呈很强的(111)择优取向。     

螺线管磁场旋转束流法测量Mini-LIA电子束能量

介绍了螺线管磁场旋转束流法的能量测量原理和在Mini-uA上开展的单脉冲电子束能量测量实验.通过测量束流在螺线管磁场中的旋转角度,得到Mini-LIA出口处电子束能量,与加速器总的加速电压符合得很好.分析了旋束法的测量误差和应用特点,给出了旋束法测量的适用范围.     

一种测量辐射加工用加速器电子束能量的方法

根据射程法原理,在上海二级标准剂量学实验室对辐射加工用加速器电子束能量的测量方法进行了实验研究,并在3个辐射工厂对3台3MeV、20mA高频高压型加速器的电子束进行了能量测定.结果表明,在1-3MeV能量范围内,能量测定准确度优于±10%.     

电子束辐照降解二氯苯废水的研究

二氯苯是重要的有机污染物,采用常规处理方法难以降解.利用束流为1 mA、电子束能量为1.5 MeV的高能电子束辐照处理邻,间,对-二氯苯的模拟废水.辐照剂量分别为35 kGy、70 kGy、105 kGy、140 kGy、210 kGy.实验表明电子束能够降解氯苯类废水且效果很好,邻二氯苯、间二氯苯、对二氯苯的降解率为50%时所需剂量分别为:38 kGy、35 kGy、46 kGy.辐照降解过程中氯离子的质量浓度增加,辐照后溶液呈强酸性,pH在2-3.根据实验结果,本文给出了二氯苯的辐照降解机理并初步探讨了辐解中间产物的类型.     

低能离子注入介导Vc前体(2-KLG)产生菌DNA的转导

对低能离子注入2-酮基-L-古龙酸(2-KLG)生产菌的生物学效应和注入离子对DNA的损伤效应进行了初步研究。并以离子注入为介导将外源DNA转入2-KLG产生菌中,最终得到两株DNA重组菌。由此建立起离子注入介导微生物外源DNA转导的研究体系,为微生物转基因工程提供了一条新的途径。