FC-10F电子管热碰极检修一例

[现象]　10kW调频发射机开机一段时间后,末前级突然过荷跳闸,保护指示灯亮。[分析与检查]　末前级跳闸且不能恢复,说明3kV有二次过荷现象。检查末前级,加上灯丝电压和偏压后,栅流表和阴流表即有指示,且指针反向偏转。图1是末前级功放的简化电路图。从图1分析,加上灯丝电压和偏压后电表有指示,说明栅-阴极已构成通路,在栅偏压的作用下,栅流表和阴流表有电流流过,电流方向如图1所示,电流I =EgR1 R2 Rg Rk Rgk图1　末前级功放简化图式中Rg 和Rk 分别为栅流表和阴流表内阻,Rgk为栅-阴极间的输入电阻。因为灯丝电源电压Uf 是平衡输入的,对…     

TBV312型1 kW调频发射机高压通路常见故障与原理分析

1引言TBV312型1 kW调频发射机采用三相交流供电,末级电子管的阳极采用三相风机风冷,加高压2.5 kV;工作频率范围87~108 MHz,我台工作于100.6 MHz;采用20 W激励,100 W推动,1 kW末级的3级放大输出模式,额定输出功率为1 kW(1±10%)(50Ω)。本机由6大部分构成:立体声编码器、100.6 MHz激励器、100 W功放、1 kW末级功放、低通滤波器和电控部分。本机的正常启动过程是:合上低压“本控开”开关,风机工作,末级功放管预热,灯丝电压10.7 V,栅偏压-110 V,100 W工作指示电压24 V,预热10~15 m in后,合上“本控高压”开关,2.5 kV高压加至末级功放…     

8mm、1W固态功率放大器

功率放大器设计在 8mm波段 ,采用微带电路、两级放大 ,第一级带内增益大于 2 0 d B,输出功率大于 2 0 d Bm,第二级功率增益大于 1 5 d B,饱和输出功率超过 1 .5 W。选用芯片 HMMC- 5 0 4 0作为第一级放大器件 ,TGA1 1 41 - EPU作为第二级放大器件。微带电路基片采用 0 .2 5 4 mm厚软介质材料 ,电路与输入输出波导口的连接 (微带 /波导过渡 )通过鳍线来实现。设计时还特别考虑到部件的可靠性要求 ,对核心元器件进行了降额使用。对前级器件 HMMC-5 0 4 0 ,通过控制其栅压来降低它的工作电流 ,其标称工作电流为 30 0 m A,实际应用时不…     

10kW脉宽机改造

金属陶瓷四极管 FU 832 F是 10 k W脉宽机的定型管型 ,共有两个 ,分别担任高、低末级放大、管子输出功率 10 k W,灯丝电压 7 5 V ,灯丝电流 118A ,是较贵重的一个器件 ,它工作稳定与否对机器性能影响较大。因此它的每一个环节都必须保持安全可靠 ,但此管在实际使用中 ,普遍存在这样一个问题 :灯丝内环与管座接触面小 ,使用一段时间后就易出现打火现象。轻则使灯丝内环及管座齿受损 ,重则造成机器停播 ,甚至损害大功率管 ,造成不必要的经济损失。其内外环结构如图 1。现就打火的具体原因分析如下 :( 1)正常情况下灯丝内、外环与管座接触面…     

SP—27电子管前级的制作

笔者近期制作了一款SP-27电子管前级放大器,其电路原理如附图所示。该机采用两级放大,闭环放大倍数为10倍。立体声设计,电源与放大级设计在同一块线路板上,其中主电源和灯丝电压均设计为软启动电路。为使6N3发挥最靓丽的音色,减少交流噪音干扰,灯丝电压采用直流供电,并且不用6.3V,而是用5.9～6V给5670(6N3)供电,此时音质最佳,同时为延长5670(6N3)的寿命,灯丝供电电     

和田茂前级放大电路图说

<正> 和田茂前级放大电路是最靓声的前级放大电路之一,也是目前胆机发烧友们仿制最多的电路,如图1所示。其中V1、V2是最常见的共阴极放大电路,特点是其阴极电阻上没有旁路电容,因此这两个电阻具有一定的电流负反馈作用,可以起到提 高本级的输入阻抗、减小非线性失真、稳定工作点等作用。它的输出级电路比较特殊,如图2,由V3、V4组成推挽电路,对于直流来说,这两只管子是串联的。由输出级的交流等效电路图3可以看出,     

分米波电视发射管阴极保护装置通过技术鉴定

一种防止分米波发射管早期失效的保护装置于1990年1月8日在唐山电视台通过技术鉴定。分米波10kW电视发射机的末级大功率管RS 1034SK,是由西门子公司生产的,每只售价6万元人民币。由于该管灯丝电阻冷热差10倍,阴栅距离仅0.3mm,因此在开关机灯丝大电流冲击下早期失效严重,给使用单位造成了相当大的经济损失。     

用FC-732T代替FU-720F槽路箱的方法

GSCT-1-I／Ⅱ-V型VHF 1 kW彩色电视发射机是鞍山广播器材总厂20世纪80年代末期产品.末前级采用的全固态50 W功放是引进美国TTC公司VHF 50 W电视发射机技术;末级高功放采用一只电子管(FU-720F)作1 kW输出.该机末级FU-720F电子管的灯丝电压为4 V,电流为78 A,此管功耗大,价格昂贵.经多年使用后,又发现该机末级输出特性变差,而且很难调整,厂方多次来人进行维修也不能解决问题,故此机闲置多年没有采用.1997年底,阳江台决定对此机在只保留50 W功放的前提下对末级高功放1 kW进行技术改造.现将阳江台用FC-732T槽路箱代替FU-720槽路箱…     

L波段GaN大功率高效率准单片功率放大器

研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷电路实现。合理规划前级与末级间推动比,降低前级漏电流,减小末级匹配损耗,优化谐波匹配,实现大功率高效率设计。芯片在28V脉冲电压下工作,在1.2~1.4GHz范围内,实测输出功率大于49dBm,功率增益大于25dB,功率附加效率达到73%。管芯部分及输入匹配电路采用GaN功率MMIC工艺制作,输出匹配电路采用低损耗陶瓷片介质加工,两块电路键合一起总面积8.0mm×5.6mm。     

胆功放的特性及应用（二）

二、直热式低内阻三极管2A3的特性及应用如果将目前音响界中热门的三极管分类,2A3和300B应属同一类,因为两者应用电路几乎完全相同,区别只是具体参数有些差异。按发布的标准,2A3最大输出功率比300B小一倍,应属小功率管。1.2A3的基本参数及其应用电路2A3属早期开发的低内阻三极功率放大管,与其特性相近的有6A3、6B4G等。与2A3的差别只是灯丝电压改为通用的6.3V,灯丝电流为1A。同时,684G将2A3、6A3的老式大四脚管座改为标准的8脚管座(前苏联生产的6C4C则与6A3完     

凌力尔特同步降压稳压器LTC3616效率达95％

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高效率、4MHz同步降压型稳压器LTC3616,该器件采用恒定频率、电流模式架构。低电阻内部开关允许采用3mm×5mmQFN封装的LTC3616提供高达6A的连续输出电流,而且其低压差工作允许范围从0．6V直到仅比VIN低数mV的输出电压。LTC3616采用2．25V至5．5V的输出电压工作,     

(Cu,Mg,Nb)掺杂的SnO2压敏材料的性质

研究了 Cu O对 Sn O2 · Mg O· Nb2 O5压敏材料的密度、非线性特性、介电常数的影响。实验发现 ,适当掺杂 Cu O不仅能增大 Sn O2 · Mg O· Nb2 O5材料的致密度 ,而且能提高非线性系数 ,减小漏电流。掺 2 % Cu O(摩尔比 )时 ,Sn O2 · Mg O· Nb2 O5材料的致密度达到理论值的 93% ,非线性系数 α高达 9.5 ,压敏电压 V1 m A高于4 2 3V/ mm。在 2 0～ 2 0 0°C温度范围和 0 .1～ 10 0 0 k Hz频率范围 ,Sn O2 · Cu O· Mg O· Nb2 O5的介电常数变化很小 ,应用晶界缺陷势垒模型 ,对 Sn O2 · Cu O· Mg O· Nb2 O5材料压敏特性进行了解释。     

一种改进型高性能电流舵电荷泵电路设计

提出一种改进型高性能单端电荷泵电路 ,该电路基于电流舵结构 ,使用运放将偏置电路与充放电电路分开。该电路具有低的输出抖动、宽的电源范围 ,使用级连电流镜像消除过冲注入电流。基于 CMOS0 .3 5工艺 ,用 SPECTRE对该电路进行仿真 ,改进后的电路可消除 1.2 m A的注入电流 ,稳定工作在 2 5 /12 .5 MHz下 ,其最低工作电压为 2 .2 V,静态功耗为 0 .44m A,达到设计目标。     

宽势阱半导体光电器件研究

设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达 2 4 m A,灵敏度分别为 2 .9A/ W及1 1 9A/ W。     

全耗尽CMOS/SOI工艺

对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5～ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5～ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5 ps     

用2A3整流的美星MC-2A3胆前级

作为直热式功放三极管2A3不仅可以用作功放输出,还在很多方面有所应用。譬如我国著名的胆机制造商美星音响就根据2A3C的特点设计并向市场推出了一款MC-2A3胆前级放大器。这是专为搭配美星音响顶级胆后级放大器MC300845-AB而研制的一部顶级胆前级放大器。作为一部前级放大器,MC-2A3无论从哪个方面来说都是极为复杂的,也可谓奢侈,看其外观、胆管以及电路便知。包括两只曙光2A3C在内,在这部前级上一共用上了9只胆管,共五个型号,分别是3只6922、1只EL34、1只6H8C、2只6SN7和2只2A3C,对于一部前级放大器用上如此众多的胆管确属少见。但…     

AAT1123/43:高效率1MHz降压转换器

AnalogicTech公司推出两种1MHz降压转换器 AAT1123和AAT1143,采用2．0mm×2．1mm SC70JW-8 封装。AAT1123和AAT1143的最大输出电流分别是 600mA和400mA,没有负载时的静态电流为25μA。两种器件的输入电压为2．7-5．5V,输出电压低至 0．6V,可提供有内部反馈的固定电压型号,或有外接反馈电组的可编程型号。开关频率1MHz有助于最小化外接元件的尺寸,同时使开关损耗降到最低。AAT1123的开关时间为100μs。两种器件的效率分别达97％和     

高精度带隙基准电压源的实现

提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0～ +80℃温度范围内温度系数为 3e - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .该电路采用台积电 (TSMC) 0 .35 μm、3.3V/ 5 V、5 V电源电压、2层多晶硅 4层金属 (2 P4 M)、CMOS工艺生产制造 ,芯片中基准电压源电路面积大小为 0 .6 5 4 mm× 0 .340 mm,功耗为 5 .2 m W.     

Au/PLT/Pt铁电薄膜电容的电学性能

用 Sol- Gel方法研制了 PL T[(Pb0 .83 L a0 .17) Ti O3 ]铁电薄膜 ,结合非挥发性铁电存储器对铁电电容的要求 ,研究了 Au/ PL T/ Pt铁电电容和漏电流、剩余极化、疲劳、开关特性和揭电常数等性能。对厚度为 0 .4 μm的薄膜 ,5 V时的剩余极化强度 Pr=2 2 μC/ cm2 ,矫顽场强度 Ec=6 0k V/ cm,相对介电常数约 130 0 ,漏电流 Id=3.2× 10 -8A/ mm2 ,开关特性优良。疲劳测试表明 ,对Vpp=10 V的锯齿信号 ,经 4 .5× 10 11周期后 ,剩余极化强度衰减 2 0 %。上述性能表明 ,该 PL T膜能用于非挥发性铁电存储器的试制     

MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料

用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m A/mm,Imax～ 52 0— 580 m A/mm,gm～ 32 0— 40 0 m S/mm,BVDS>1 5V( IDS=1 m A/mm) ,BVGS>1 0 V,微波特性 :P0 ～ 60 0— 90 0 m W/mm,G～ 6— 1 0 d B,ηadd～ 40— 60 % ;栅长为 0 .4μm的器件的直流特性 :Imax～ 80 0 m A/mm,gm>40 0 m S/mm.