石墨化温度对多孔碳微球/ 石蜡复合相变热界面材料性能的影响

文章利用葡萄糖水热法合成炭微球,并用氢氧化钾进行烧结处理,得到多孔结构的炭微球。在以硝酸铁为催化剂的条件下,对多孔炭微球进行不同温度下的石墨化处理,利用SEM、XRD、FTIR和BET对材料进行了表征。结果表明,炭微球表现出了良好的球形形貌、丰富的孔结构及大的比表面积。炭微球在经过1500℃处理后,其石墨化程度达90%。通过对石蜡进行物理吸附,制备了多孔石墨化炭微球/石蜡相变复合材料并用作热界面材料,其热导率随石墨化温度的增加而增加。     

石墨化炉人工神经网络预测控制的研究

针对目前石墨化炉控温精度不高，时有裂纹废品出现的现状，为提高石墨电极质量，实现石墨化炉的精确控温问题，提出了石墨化炉神经网络预测控制策略。利用径向基函数神经网络建立了石墨化炉稳态模型；利用工业过程裸模化方法，建立了石墨化炉的动态模型，为进一步实现石墨化炉的神经网络预测控制，完成了至关重要的第一步。该石墨化炉神经网络模型，计算机仿真结果非常理想，拟和精度很高，完全可以作为下一步实现预测控制的模型。     

基于ARM的嵌入式系统在石墨电阻率测试中的应用

为了满足石墨电阻率测量的准确性要求,提出并设计了一种基于ARM的嵌入式数据测量与采集系统。该系统以LPC2138微处理器为核心,利用大电流脉冲测量电阻的方法,实现石墨电阻率的测量,该系统可通过RS-232总线与上位机通信完成数据的存储、传输与处理;也可通过本地人机交互接口对系统进行维护。     

非金属发热元件

<正> 前言 众所周知,发热材料种类繁多,例如Ni-Cr系合金型、P-NTC系热敏半导体陶瓷型、SnO_2-Sb系金属氧化物半导体薄膜型、石墨-炭黑系非金属厚膜型等等。 本文要介绍的就是应用石墨-炭黑系非金属发热材料制成的发热元件,这种发热元件是属于厚膜型的发热元件,它是由电阻浆料通过涂敷工艺,在无机衬底材料上形成适当的面积,最后在高温条件下完成烧结,也只有在高温条件下涂敷的膜才具有一定的电阻值。 电阻浆料是由非金属材料的导电粒     

采用磁等离子发动机实现超高温石墨化工艺

针对市场对高性能碳基新材料的迫切需求,尤其是第四代半导体基材、锂离子电池负极材料、复合材料等对超高密度、超高纯度炭材料的需求,开展中间相炭微球超高温石墨化处理工艺及装备研究。基于深空探测领域应用的磁等离子体动力发动机技术,开展了基于强磁高密度超高温等离子体电磁场耦合加速及调控、大功率分时分级电源启动控制、真空超高温高效率中间相炭微球石墨化工艺制造、高效能稳定连续运作标准化研究。应用磁等离子体动力发动机进行MCMB超高温石墨化处理试验表明:应用超高温等离子体技术进行石墨化处理,可获得石墨化程度较高、微观结构特性优异的碳素材料。基于深空探测领域应用的磁等离子体动力发动机技术,真空下可迅速达到3000℃的高温,十分钟内便可实现毫米级中间相炭微球的高质量石墨化,此种应用在国内尚属首例。实现了中间相炭微球石墨化过程所需的超高温度、高效率和工业智能化控制,制备出具备超高密度、超高纯度的材料,对提升我国新材料工艺制造装备的整体技术水平有重大实际意义。     

石墨化过程冗余电量的自动识别

本文用对比方法证明了石墨化过程冗余电量的存在 ,提出了微机自动识别冗余电量的软件设计思想 ,讨论了舍去冗余电量对石墨化生产的意义     

非金属热电偶及其热电性能

介绍了一种二硼化锆和石墨组成的套管式热电偶，采用内电极石墨渗硼，热接点找麻烦坟焊接和热电偶真空处理等技术获得了优良的热电性能，在温度为１２００－１６００℃范围内的氧化性气氛中测试，其精度为所测温度的１％左右。     

以石墨粉为造孔剂制成的多 孔湿敏陶瓷及其特性分析

本文报道的钴铁尖晶石多孔湿敏陶瓷,具有电阻率低,电阻和相对湿度呈线性关系的特点。该材料制成的湿敏元件不需要加热清洗,性能稳定。以石墨粉为造孔剂制成多孔湿敏陶瓷,可以提高湿敏元件的湿度灵敏度,并且有利于改进湿敏元件的长期稳定性。最后,讨论了石墨的钝化作用。     

基于卷积神经网络与迁移学习的碳钢石墨化自动评级研究

为实现碳钢石墨化的智能化评级,基于卷积神经网络与迁移学习的方法构建了碳钢金相图像的自动分类模型;首先通过几何变换和像素调整的数据增强方法建立了碳钢石墨化图像数据集;然后采用统一扩展网络宽度、深度和分辨率方式来协调精度与效率的轻量级EfficientNet网络作为主干特征提取网络,构建碳钢石墨化图像评级模型,并在训练阶段利用迁移学习与参数微调的方法来提高模型的训练效率;最后使用测试数据集对模型的分类精度与复杂度进行了验证实验,结果表明该模型能快速准确地对碳钢石墨化程度进行自动评级,在仅需12 MB内存的情况下,便可实现97.01%的评级准确率,单幅金相图像的平均检测时间也仅需10.27 ms,满足现场检测的精度与实时性要求。     

碳/碳材料作为单晶炉发热体的研究

发热体作为单晶炉的唯一热源,是影响拉晶质量的重要部件。通过与传统石墨发热体材料进行对比实验,分别针对电阻率、电阻温度稳定系数、导热系数、力学性能、抗腐蚀性5个重要因素,结合自身的工艺进行比较,探究碳/碳材料作为单晶炉发热体的优劣势。     

基于RBF网络电阻点焊最佳点焊电流研究

利用RBF网络对电阻的动态参数进行融合处理，建立了以电阻点焊参数为输入空间、点焊电流为输出空间的电阻点焊质量智能监测模型，将由多参数控制的复杂点焊过程优化为仅由点焊电流控制的过程。实验结果表明：通过该模型设置的最佳点焊电流可以达到使点焊质量最佳化，并且与实际点焊电流相比具有较好的逼近性，具有较高的计算精度。     

金刚石与石墨局域态密度和能带结构的第一原理分析

计算与分析电子结构对类金刚石薄膜材料的研究尤为重要.本文用第一原理分子动力学模拟,以研究金刚石和石墨的局域态密度和能带结构.第一原理计算赝势平面波法和密度泛函理论(DFT)去计算,电子交换相关能采用广义梯度近似(GGA)去描述,这种方法可以正确无误的预测半导体带隙与尺寸的关系.金刚石的禁带很宽,为绝缘体,Sp3杂化轨道在费米能级附近提供部分能态密度.石墨是零带隙半金属的内部结构根源就在于离域π键,费米能级处的能态密度几乎全部来自p能级的贡献.研究结果预测,结构变化和Sp杂化轨道产生的函数关系,是很多物理性质不同的最根本原因,而物理性质的研究则可以最直观的体现这种函数关系,可以更深入地研究金刚石和石墨这两种物质.     

交错并联技术在无损电阻中的应用

无损电阻由于开关元件的存在而产生很大的电流脉冲,其等效电阻也是时变的,这严重限制了无损电阻的应用.为了降低由于开关元件的存在而造成的脉冲电流,改善无损电阻的特性,以工作在不连续导通模态下Buck-Boost变换器为具体研究对象,分析了无损电阻的建模原理,并给出了带低通滤波器的Buck-Boost变换器的无损电阻模型,将新近几年在电力电子领域比较活跃的交错并联技术引入到无损电阻,用以改善无损电阻的特性.仿真实验验证了方案的可行性,说明了交错并联技术对无损电阻的集成化和实用化有很大的促进作用.     

基于机器视觉的色环电阻阻值测量

色环电阻是电子实验室必备的元器件,人工识别色环读取阻值缺乏准确性。本文以色环电阻为研究对象,设计了一款基于机器视觉的色环电阻阻值测量的方法。研究方法如下：首先对获取的色环电阻图片进行预处理,去除噪声干扰;然后采用两种阈值分割算法,对彩色图像进行阈值分割,提取出电阻的色环;采用连通区域算法判断色环个数;最后对所提取的色环正反校正,对其用颜色量化的方法对各个色环颜色识别,计算出电阻的阻值。采用颜色量化的方法,颜色识别率可达96.5%。     

湿敏电阻器本体电阻对线性度的影响

通过理论推导 ,获知了湿敏电阻器的感湿特性曲线与拟合直线之间的偏差随其本体电阻的变化关系。由此可知 ,当感湿特性曲线位于电阻 -湿度平面上某个确定的区域内时 ,可通过增加本体电阻以改善线性度 ;而位于该区域外时 ,应减小本体电阻。     

用RBF神经网络建立石墨化炉过程模型

研究用RBF神经网络建立石墨化炉过程模型,提出了RBF网络中心点选取方法,所建立的模型精度满足现场要求。     

伏安法测电阻的思路及方法研究

伏安法是测电阻的基本方法,电学实验是高中阶段实验的重点和难点,而电学实验中有90%都与电阻有关,测电阻更是高考的热门考点,常见的测电阻方法都是伏安法,其基本公式是R测=U测/I测。     

高稳定薄膜电阻技术及其应用

首先对有关薄膜电阻的理论作了一定的探讨,得出薄膜电阻随电阻率的增加,其温度系数将会减小;在一定厚度范围内薄膜厚度减小,其温度系数减小;适当的成膜工艺能控制和改善电阻的温度系数的结论。给出了制备薄膜电阻的试验方法(调整薄膜的淀积条件以获得高质量的薄膜,再通过热处理激活)及试验结果,对影响电阻特性及稳定性的一些条件进行了讨论,并探讨了高稳定薄膜电阻技术在集成电路中的应用前景。该工艺现已在双极和MOS电路中得到了很好的应用,拥有更快、更好的发展前景。     

一种提高电阻式传感器灵敏度的双传感器电路

提出一种双传感器电路,其原理是利用1个传感器在气氛变化时电阻的变化,改变通过另1个传感器的电流,使得后一传感器在气氛变化时电流和电阻的同时变化,使灵敏度得到极大提高。以SrFeO3薄膜传感器考察了这种双传感器电路的实际效果。     

“磁传感器及其应用技术”讲座 第四讲 磁敏电阻传感器(一)

一、概述磁敏电阻(Magnotoresor)是一种基于磁阻效应而制作的电阻体。它在外施磁场的作用下(包括外施磁场的强度及方向的变化)能够改变自身的阻值,是一种新颖的传感元件。它可分为半导体磁敏电阻及强磁性金属薄膜磁敏电阻两大类。半导体磁敏电阻的研制始于60年代初,在这方面联邦德国西门子公司较为权威,继而是日、美、苏、西欧等国。在60年代中期即有商品销售,因其和普通电阻一样,具有两个端子、结构简单、灵敏度高、安装方便等优点,其应用较为普遍。我国电子工业部某所在1974～1976年间,曾组织过半导体磁敏电阻的研制与应用。强磁性金属薄膜磁敏电阻是用强磁性合金材料制成的一种薄膜型的磁敏电阻器件,其作用原理是强磁性体的磁阻效应,它和半导体磁敏电阻不同,除对磁场