宽带直流放大器系统设计

设计了一种增益连续可调的宽带直流放大器,通过单片机AT89S52控制数模转换器TLV5638来改变可变增益放大器AD8336增益的大小,实现了增益连续变化及预置增益以及显示的功能;此宽带直流放大器电压增益在0 dB～60 dB连续可调,3 dB通频带0～10 MHz,其中在0～9 MHz通频带内增益起伏≤1 dB,最大输出电压正弦波有效值V2≥10 V并无明显失真.     

一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器

设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器,采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT).给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果.测试结果显示低噪声分布式放大器在2～10GHz频率范围内,输入和输出端口驻波比均小于2.0,相关增益大于7.0dB.带内增益波纹小于1d8.在2～6GHz频率范围内,噪声系数小于5dB;在2～10GHz频率范围内,噪声系数小于6.5dB;测试结果与仿真结果较吻合.     

高输出电压的宽带程控增益放大系统

设计了以电压控制可变增益放大器AD603为程控增益主体,以MSP430F449单片机为控制核心的高电压输出宽带程控增益放大系统.系统电压增益为0～60 dB可调,3 dB带宽2.5 MHz、5 MHz、10 MHz、15 MHz可调,最小输入电压有效值为1 mV,在50 Ω负载下最大不失真输出电压峰峰值为28 V,电压...     

60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器

基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺寸2mm×lmm.实测性能指标为:工作频段45～65GHz,增益18±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比小于2.3,直流功耗96mW.在增益、带宽和功耗上达到国际现有产品指标.该芯片可被应用于60GHz宽带无线通信系统.     

60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器

基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺寸2mm×lmm.实测性能指标为:工作频段45～65GHz,增益18±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比小于2.3,直流功耗96mW.在增益、带宽和功耗上达到国际现有产品指标.该芯片可被应用于60GHz宽带无线通信系统.     

用于5.8G网络的高增益低噪声放大器设计

设计了一款适用于5.8G网络的高增益低噪声放大器,采用两级低噪声放大器级联的形式提高放大器的增益参数,进行了放大器输入端、输出端和级间阻抗匹配。采用ATF-551M4作为核心器件,使用ADS软件实现放大器直流偏置电路设计、稳定性设计及阻抗匹配电路设计,并且进行了两级低噪声放大器的联合仿真以及PCB版图设计。测试结果表明在5.725～5.825 GHz的工作频率范围内,低噪声放大器的噪声系数小于1.1 dB,增益大于20 dB,输入输出回波损耗小于-10 dB。     

一种用于DVB-C射频调谐器宽带低噪声放大器的设计

设计了一种用于DVB-C射频调谐器的宽带低噪声放大器.低噪声放大器采用了负反馈拓扑结构,用于改善增益平坦度,使用Agilent公司的ADS软件对电路进行了优化设计,测试结果表明,在50～860 MHz有线数字电视全波段内获得了10.7 dB的增益,增益平坦度小于1.2 dB,噪声系数小于3.5 dB,输入电压驻波比小于2,输出电压驻波比小于2.5.     

一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器

设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器,采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT (CC-HEMT). 给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果. 测试结果显示低噪声分布式放大器在2~10GHz频率范围内,输入和输出端口驻波比均小于2.0,相关增益大于7.0dB,带内增益波纹小于1dB . 在2~6GHz频率范围内,噪声系数小于5dB;在2~10GHz频率范围内,噪声系数小于6.5dB; 测试结果与仿真结果较吻合.     

超宽带低温接收机后级低噪声放大器设计

设计了一种用于超宽频低温接收机后级放大的宽带低噪声放大器,并给出了仿真和测试结果。该低噪声放大器采用三个单片级联,并在级间加入了均衡和衰减网络对增益进行修正,使增益平坦度得到很大改善,同时对噪声等指标影响较小。最终实现的低噪声放大器在1～9GHz 频率范围内,常温噪声系数优于2dB,增益大于35dB,平坦度小于3.5dB,输入输出驻波比小于2.5,输出1dB 压缩点功率大于10dBm。     

用于W波段接收机的宽带单片低噪声中频放大器

设计和制造了频率覆盖范围8～18GHz的宽带单片低噪声放大器。通频带内,其噪声系数小于4.3dB,相关增益8.5dB。新设计的低噪声放大器用于W波段(75～110GHz)接收机作为中频放大器。该放大器的射频性能适用范围宽,并且可以作为廉价的增益功能块。     

A CMOS variable gain LNA for UWB receivers

A CMOS variable gain low noise amplifier(LNA) is presented for 4.2-4.8 GHz ultra-wideband application in accordance with Chinese standard.The design method for the wideband input matching is presented and the low noise performance of the LNA is illustrated.A three-bit digital programmable gain control circuit is exploited to achieve variable gain.The design was implemented in 0.13-μm RF CMOS process,and the die occupies an area of 0.9 mm~2 with ESD pads.Totally the circuit draws 18 mA DC current from 1.2 V DC supply,the LNA exhibits minimum noise figure of 2.3 dB,S(1,1) less than -9 dB and S(2,2) less than -10 dB.The maximum and the minimum power gains are 28.5 dB and 16 dB respectively.The tuning step of the gain is about 4 dB with four steps in all.Also the input 1 dB compression point is -10 dBm and input third order intercept point(IIP3) is -2 dBm.     

应用于多模接收机的低功耗可编程增益放大器

针对多模接收机的应用,提出了引入一条闭环伪通路技术结构的可编程增益放大器,在保持一定的线性度及噪声性能的基础上,以较低的功耗实现较大的带宽.该电路增益步长为2 dB,增益变化范围1～39 dB.电路中内嵌了直流失调消除模块防止直流漂移引起的阻塞.芯片采用SMIC 0.13 μm 1P8M RF CMOS工艺实现.测试结...     

CMOS宽带可编程增益低噪声放大器

给出了一种可应用于中国移动多媒体广播(CMMB)调谐器的宽带(470~860 MHz)可编程增益低噪声放大器。该电路在UMC 0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为0.37 mm2(不包括ESD pad)。芯片测试结果表明,在1.8 V的电源电压下功耗为30.2 mW,该电路可实现-6.8~32.4 dB的增益动态变化范围,0.5 dB步长,最高增益下单端信号噪声系数小于3.8 dB。     

2.0～3.5 GHz单路宽带低噪声放大器

使用微波仿真软件ADS设计了一款用于2.0³.5 GHz无线通信的宽带低噪声放大器。匹配网络采用微带线,减小了分立元件的寄生效应。详细阐述了提高放大器稳定性的方法,实现了PHEMT放大器在全频段的稳定性,并分析了源极反馈电感对放大器性能的影响。在2.03.5 GHz无线通信的宽带低噪声放大器。匹配网络采用微带线,减小了分立元件的寄生效应。详细阐述了提高放大器稳定性的方法,实现了PHEMT放大器在全频段的稳定性,并分析了源极反馈电感对放大器性能的影响。在2.0³.5 GHz频段内,放大器增益为12 dB左右,增益平坦度为0.23 dB,最大噪声系数为2.8 dB,输入输出驻波比小于2,三阶输出截点值OIP3大于35.5 dBm。设计的放大器可以用于无线通信的前段中。     

毫米波大动态宽带单片低噪声放大器

利用0.25μmGaAsPHEMT低噪声工艺,设计并制造了2种毫米波大动态宽带单片低噪声放大器。第1种为低增益大动态低噪声放大器,单电源+5V工作,测得在26～40GHz范围内,增益G=10±0.5dB,噪声系数NF≤2.2dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥15dBm;第2种为低压大动态低噪声放大器,工作电压为3.6V,静态电流0.6A(输出功率饱和时,动态直流电流约为0.9A),在28～35GHz范围内,测得增益G=14～17dB,噪声系数约4.0dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥24.5dBm,最大饱和输出功率≥26.8dBm,附加效率约10%～13.6%。结果中还给出了2种放大器直接级联的情况。     

2.4GHz可变增益CMOS低噪声放大器设计

设计了一款工作在2.4GHz的可变增益CMOS低噪声放大器,电路采用HJKJ0.18μm CMOS工艺实现。测试结果表明,最高增益为11.5dB,此时电路的噪声系数小于3dB,增益变化范围为0～11.5dB。在1.8V电压下,电路工作电流为3mA。     

一种用于地面和有线接收机的宽带低噪声放大器

提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1dB压缩点为-2dBm,输入三阶交调为8dBm.在5V供电的情况下,直流功耗为120mW.     

宽带W波段低噪声放大器的设计与制作

基于未来低功耗毫米波接收前端的应用,采用InP HEMT工艺实现了一种W波段宽带低噪声放大器.该放大器采用边缘耦合线用于级间的隔离,扇形短截线用于RF旁路,偏置网络采用薄膜电阻和扇形短截线以保持放大器的稳定性.采用3 mm噪声测试系统对单片进行在片测试.测试结果显示在80～102 GHz,噪声系数小于5 dB,相关增益大于19 dB.五级电路的栅、漏分别连在一起方便使用,芯片面积3.6 mm×1.7 mm,功耗30 mW.     

微型封装P波段低噪声场效应管放大器

介绍了 0 .5～ 1 .0 GHz微波微封装低噪声场效应管放大器的研制。采用负反馈的设计原理 ,利用 Serenade软件进行了 CAD设计。主要指标为 :工作频率 0 .5～ 1 .0 GHz,增益≥ 2 5 d B,增益平坦度≤± 0 .5 d B,驻波比≤ 2 .0∶ 1 ,噪声系数≤ 1 .0 d B,封装形式 TO- 8F。     

一款用于驱动耳机的低噪声低功耗音频功率放大器的设计

报道了一款低噪声、低功耗、增益可调的音频功率放大器的设计.该功率放大器在电源电压为5V,输入信号频率为1kHz,驱动负载为16Ω,输出功率为120mW时的总谐波失真仅为0.1%.此音频功率放大器的增益允许以每台阶为1.5dB在+12～-34.5dB之间变化,共32个台阶,内部的放大器电路是该用于驱动耳机的音频功率放大器的核心.介绍了功率放大器的电路结构、放大器的主要模块、最终版图和测试结果,最后此电路在上华0.6μm双层多晶硅、双层金属的CMOS工艺上实现.