微电子CAD系统PC－SUPREM和PC－SEDAN及其应用研究

较全面地介绍了微电子工艺模拟及半导体器件模拟的ＰＣ实用系统和有关应用方面的研究，特别是ＳＵＰＲＥＭ（微电子集成电路工艺模拟系统）同ＳＥＤＡＮ（半导体器件特性模拟系统）的接口联机模拟，极大地增强了模拟信息量，最大限度地实施了以上两系统的模拟功能。     

集成运放纵向NPN—PC—SUPREM全参数模拟输入解析

尝试一种简单直观、图文并茂的文体方式向读者介绍ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ的输入卡撰写规则，为了全面反映ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ的模拟功能，选取了有代表性的集成运算放大器的平面工艺为模拟分析对象。模拟了ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ所能模拟的全部参数，进行双极型集成工艺全工序、全参数的模拟，该输入文本不仅充分地反映了工艺模拟输入卡的撰写方法与原则，且具有可操作性，读者完全可据此举一反三，设计出不同的模拟方案。     

微电子工艺CAD系统SUPREM—Ⅱ所提供的信息量

结合作者在半导体工艺ＣＡＤ领域的部分工作，介绍了ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ工艺模拟系统在单管（场效应）器件）和双极型电路（运算放大器）工艺模拟中能够提供给研究人员的数据信息量。从单项命题及全工艺模拟的视角加以阐述。     

计算机辅助设计在集成电路制造工艺中的应用

本文结合作者在集成电路创造工艺中应用计算机辅助设计（以下简称：微电子工艺ＣＡＤ）所做的部分工作，着重介绍了目前较为成熟、且使用越来越广泛的集成电路全工艺模拟系统ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ。向读者介绍该系统在单管（场效应器件）和双极型电路（运算放大器）的工艺设计及工艺优化中的若干应用，从中可以了解到微电子工艺ＣＡＤ系统所能够提供给从事集成电路制造工艺的研究人员的数据信息量。     

集成运放纵向NPN－PC－SUPREM全参数模拟输入解析

尝试一种简要直观、图文并茂的文体方式向读者介绍ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ的输入卡撰写规则，为了全面反映ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ的模拟功能，选取了有代表性的集成运算放大器的平面工艺为模拟分析对象。模拟了ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ所能模拟的全部多数，进行双极型集成工艺全工序、全参数的模拟，该输入文本不仅充分地反映了工艺模拟输入卡的撰写方法与原则，且具有可操作性，读者完全可以据此举一反三，设计出不同的模拟方案。     

微电子工艺CAD系统SUPREM－Ⅱ所提供的信息量

结合作者在半导体工艺ＣＡＤ领域的部分工作，介绍了ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ工艺模拟系统在单管（场效应器件）和双极型电路（运算放大器）工艺模拟中能够提供给研究人员的数据信息量。从单项命题及全工艺模拟的视角加以阐述。     

微电子工艺模拟及器件分析的CA方法研究进展

综述了用于微电子工艺模拟和器件分析的元胞自动机（CA）方法的研究进展，分析了现有CA方法的优势，并比较了CA方法与其它方法的优缺点。在此基础上，展望了微电子工艺模拟及器件分析的CA方法的发展前景。对研究采用CA方法模拟微电子加工工艺和进行微电子器件分析具有参考意义。     

在工艺实践中运用SUPREM工具

半导体集成电路工艺模拟软件ＳＵＰＲＥＭ是一个非常有用的ＣＡＤ工具。本论文主要讨论了如何正确、有效的运用这人上工具解决工艺问题。本文概括介绍了ＳＵＰＲＥＭ的能力，重点讨论了在工艺实践中如何处理工艺顺序与模拟顺序的差异，本文还介绍了工艺模拟中的一些技巧。     

集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的应用

采用集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４模拟了氧化、扩散工艺,并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在１０％以内,与集成电路器件模拟软件Ｓ－ＰＩＳＣＥＳ联用模拟了ＳＳＵＰＲＥＭ４的全工序,并把它应用于实际生产。结果表明ＳＳＵＰＲＥＭ４有较大应用价值。     

微电子机械系统(MEMS)在光通信中的应用及其研究动态

近年来微电子机械系统（ＭＥＭＳ）成为光通信技术的新热点之一。本文叙述了ＭＥＭＳ技术的特点，论述了ＭＥＭＳ在光通信中的应用，并介绍了国内外的研究情况。     

计算机辅助设计在集成电路制造工艺中的应用

本文结合俐者在集成电路制造工艺中应用计算机辅助设计所微的部分工作，着重介绍了目前较为成熟，且使用越来越广泛的集成电路全工艺模拟系统ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ，向读者介绍该系统在单管和双极型电路的工艺设计及工艺优化中的若干应用，从中可以解到微电子工艺ＣＡＤ系统所能够提供给从事集成电路制造工艺的研究人员的数据信息量。     

从微电子器件到微电子机械系统

本文扼要介绍了一种崭露头角的微电子机械系统（ＭＥＭＳ）的应用前景，以及它的最新工艺技术。并预示在推进ＭＥＭＳ工艺的前提下，ＭＥＭＳ产品将大有作为。     

集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的校验

本文对知名的集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４进行了较仔细的校验,用ＳＳＵＰＲＥＭ４模拟了氧化、扩散工艺,并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在１０％以内,与集成电路器件模拟软件Ｓ－ＰＩＳＣＥＳ联用校验了ＳＳＵＰＲＥＭ４的工序模拟结果,校验结果有较大参考价值。     

PC WINDOWS一维硅微电子集成工艺及器件CAD和CAI交互系统

微电子ＣＡＤ（计算机辅助设计）和ＣＡＩ（计算机辅助教学）ＦＯＲＷＩＮＤＯＷＳＰＣ交互系统的开发成功，对微电子ＣＡＤ技术的推广应用及高等学校的教学应用等各方面有着极其重要的作用，本文介绍了该系统开发思路、功能结构、科研与教学的应用情况。     

PC WINDOWS一维硅微电子集成工艺及器件CAD和CAI交互系统

微电子ＣＡＤ（计算机辅助设计）和ＣＡＩ（计算机辅助教学）ＦＯＲ ＷＩＮＤＯＷＳ ＰＣ 交互系统的开发成功，对微电子ＣＡＤ技术的推广应用及高等学校的教学应用等各方面有着极其重要的作用，本文介绍了该系统开发思路、功能结构、科研与教学的应用情况。     

EGNOS——-GPS和GLONASS的欧洲区域增强

欧洲正在开发的ＥＧＮＯＳ系统可为欧洲物陆、海、空用户提供ＧＰＳ和ＧＬＯＮＡＳＳ的区域增强服务。ＥＧＮＯＳ计划是欧洲卫星导航计划一个主要组成部分，它是由欧洲联盟委员会（ＣＥＵ）、欧空局（ＥＳＡ）和欧洲航空安全组织（ＥＵＲＯ ＣＯＮＴＲＯＬ）联合制定的。ＥＧＮＯＳ将提供如下的业务：基于ＧＥＯ的类ＧＰＳ测距信号（Ｒ－ＧＥＯ），用以改善ＧＰＳ定位在静地广播区域（ＧＢＡ）上接收机自主完善性监测（ＲＡＩＭ）的     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

微机环境下的集成电路CAD工具

集成电路计算机辅助设计技术是当今集成电路设计的重要技术手段。本文主要介绍在微同上运行的集成电路ＣＡＤ软件：电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ，电路设计软件包ＶＩＥＷＬｏｇｉｃ中的逻辑模拟软件ＶＩＥＷＳｉｍ；半导体集成电路工艺模拟软件ＳＵＰＲＥＭ；集成电路版图编辑软件Ｌ－ＥＤＩＴ。     

P－MOSFET的TEM研究

Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最大缺点就是电流驱动能力弱。为此，人...     

Globalstar卫星通信系统星座模拟和全球覆盖率的研究

Ｇｌｏｂａｌｓｔａｒ系统是美国ＬＱＳＳ公司于１９９１年６月向美国联邦通信委员会（ＦＣＣ）提出的低轨道（ＬＥＯ）卫星通信系统。使用开发工具Ｄｅｌｐｈｉ，通过编程的方法成功地模拟了Ｇｌｏｂａｌｓｔａｒ卫星通信系统的系统动态运行情况，并同时给出了系统运行的全球覆盖率。