NaCl-KCl-NaF-SiO_2熔盐体系电沉积渗硅的研究

在KCl-NaCl-NaF-(SiO2)熔盐体系中,以钼为基体,以电沉积法得到的硅为硅源,在电沉积硅的同时进行渗硅,成功制备了Mo-MoSi2梯度材料。考察了电沉积给电方式、电流密度、温度、时间和脉冲形式对沉积扩散层表面形貌、相结构、断面厚度以及硅含量分布的影响。结果表明,脉冲给电比直流给电的沉积效果好。合适的脉冲沉积参数为:电流密度750~1 000A/cm2、温度800~850℃、t1/t2=0.7~1.5、沉积时间120~180min。     

半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展

钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。本文归纳了半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用方面的研究进展,首先分别对物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)制备钨硅薄膜的方法进行介绍,并分析了各种制备工艺的优缺点,并进一步对钨硅薄膜在半导体中的主要应用场景进行了介绍。最后分析了钨硅薄膜的未来发展前景,认为随着半导体产业的不断发展及钨硅薄膜应用的持续拓宽,钨硅薄膜的重要性将会进一步显现,钨硅薄膜的制备技术必将获得进一步的提升。     

电化学还原法制备Fe-6.5%Si薄板

介绍了高温熔盐电沉积技术的特点及硅的沉积历史。在FLNAK-Na2SiF6熔盐体系中,以低硅钢片Fe-3％Si薄板为阴极,控制温度和电流密度,以电化学还原法沉积硅,然后在1050℃下利用高温扩散退火均匀化处理,制得成分均匀的Fe-6．5％Si薄板。对熔盐电沉积过程中的工艺因素进行了讨论,指出了熔盐电化学还原方法是制备Fe-6．5％Si薄板的一种新方法。     

电沉积硅技术的历史和发展趋势

介绍了沉积硅的几种方法。常规的沉积方法为固体粉末法和气相沉积法。固体粉末法要消耗大量的硅铁，且硅层存在气孔；气相沉积法由于涉及气体，其保护措施和密闭性的严格要求使其应用受到了严格的限制。新型的沉积方法为电沉积法。电沉积法涉及高温熔盐，但其所得渗硅层质量性能良好，很受国外工作者的欢迎。本文介绍了各方法的影响因素，回顾了电沉积硅的历史，指出电沉积硅法具有良好的发展趋势。     

熔盐电脱氧法制备难熔金属及合金的研究进展

介绍了熔盐电脱氧法制备难熔金属及合金的基本原理和工艺,分析了熔盐电脱氧法的优势及目前存在的主要问题,归纳了采用熔盐电脱氧法制备难熔金属及合金的研究进展,指出了该制备工艺的发展趋势,并对其推广应用和实现大规模工业化前景等进行了讨论.     

电沉积-水热合成法制备羟基磷灰石生物陶瓷涂层的研究进展

评述了电沉积-水热合成法制备羟基磷灰石生物陶瓷涂层的相形成机理、工艺进展和工艺特点,并对有关问题进行了探讨。     

阴极电沉积法制备钛基生物陶瓷复合材料的研究进展

阐述了电沉积技术制备金属基羟基磷灰石生物活性涂层的工艺，对电沉积工艺的基本原理、特性以及该工艺过程中主要参数如电解液温度、溶液浓度及pH值、沉积时间、电流密度及电位对涂层形成的影响作了较为详尽的总结与分析。并对该工艺过程今后的主要研究方向提出了建议。     

电沉积法制备泡沫铜

以聚氨酯软泡沫为基体，经预处理、化学沉积、电沉积和焚烧及热还原工艺制备了均匀分布三维网状孔结构的、高空隙率（〉９５％）且具有一定拉伸强度的泡沫铜材料，通过电子显微镜及生物显微镜观察了制备过程各步骤产品的形貌，用图像分析仪测定了泡沫铜的孔径分布，并运用线性电位扫描法对在泡沫上电沉积的阴极过程进行了研究。     

高硅硅钢片喷射成形技术的研究

喷射成形是一项先进的材料制备技术.本文介绍了一种用喷射成形工艺来制备高硅硅钢片的技术和方法.并从合金母液的制备、喷射成形过程、喷射沉积坯的轧制及退火工艺和相关问题的分析等方面进行了研究.     

不同喷射沉积工艺对硅铝合金组织的影响分析

文章介绍了采用自行开发的喷射沉积装置制备硅铝合金坯件，并分析了不同喷射沉积工艺对硅铝合金组织及性能的影响。     

高硅硅钢片制备工艺进展

高硅硅钢片是一种具有高磁导率、磁致伸缩系数小和低铁损等优异软磁性能的合金,但由于其室温脆性和低的热加工性能严重影响了其在工业领域的应用.本文综述了特殊轧制工艺、快速冷凝工艺、粉末压延工艺和沉积扩散工艺等制备高硅钢的工艺路线和原理,总结了各种方法的研究现状和存在问题及今后的研究方向.     

硅热还原三硫化二铈制备单硫化铈

研究了硅热还原三硫化二铈制备单硫化铈的新方法。理论计算确定了反应的热力学条件，试验确定了反应温度、时间和还原剂硅过量值等反应条件。分析了反应过程的动力学影响因素并提出了二次反应法减少单硫化铈产物中杂相三硫化二铈的方法，研究了单硫化铈中残留的还原剂硅的分离净化方法。与文献报道的其它方法比较，结果表明：与铝热还原法和碳热还原法相比，硅热还原法制备的单硫化铈纯度高——杂相三硫化二铈低，残留的硅容易分离。与稀土金属和硫黄直接反应法、氢化铈和三硫化二铈合成法以及电解法比较，硅热还原法所需的设备更为简单实用。     

提高转炉氧枪使用寿命研究

本文研究了喷头变形、喷头漏水和氧枪枪身粘钢对氧枪使用寿命的影响,并且对产生这三种因素的具体原因进行了分析。结果表明通过采取优化喷头相关参数,建立“低温低硅、中温中硅、高温高硅、低温高硅、高温低硅、高生铁块比和高铁水比”七种操作模式等措施,使得氧枪寿命提高了141炉,钢铁料消耗降低了4Kg/t钢,喷溅渣数量降低了3Kg/t钢,氧气消耗降低了1.9m3/t钢,石灰消耗降低了5Kg/t钢,转炉脱磷率提高了8%,转炉脱硫率提高了4%。     

Effect of Charge Composition on Metallurgical Silicon Smelting Indices in Electric-Arc Furnaces

Metallurgist - It is shown that preparation of silicon at high temperature from silicon-containing resources by reduction with carbon in electric-arc furnaces is accompanied by the occurrence of...     

用天然碱液及水氯镁石制备硅钢氧化镁

介绍了一种采用纯碱-卤水法制备硅钢氧化镁新工艺。首先用天然碱液及水氯镁石制得的工业氯化镁反应制得碱式碳酸镁,再将碱式碳酸镁煅烧制备氧化镁。考察了影响硅钢氧化镁粒径及水化率的因素,确定了最佳工艺参数:氯化镁溶液浓度1.5mol/L,天然碱液浓度1.5～2.0mol/L,体积比(1.05～1.1)∶1,反应温度70～80℃,反应时间10min,搅拌速度200r/min,煅烧时采用低温逐步升温方式。此条件下制得的硅钢氧化镁具有纯度高、粒径小、水化率低等特点。     

新型高硅铝合金电子封装复合材料的研究进展

微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。具有低膨胀系数、轻质化、较高导热率的新型Al-Si复合材料受到了广泛的重视。文章详细介绍了高硅铝合金电子封装材料的性能特点、制备方法以及研究现状，指出了高硅铝合金电子封装材料的发展方向。     

中关铁矿制备熔剂性球团生球性能试验

 通过增加熔剂性球团矿的入炉比例,能够改善炉料结构,降低炼铁系统能耗,并且通过“源头减量”的途径可以降低炼铁过程中污染物的排放。实现高球比冶炼的核心环节是制备熔剂性球团,而熔剂性球团质量取决于生球的性能,因此,保证生球质量是探究熔剂性球团制备工艺较为重要的环节。由于中关铁矿硅含量较低、镁含量适宜,适合作为低硅熔剂性球团的原料。以中关铁矿为原料探究熔剂性球团的制备工艺,并在此基础上分析了影响熔剂性球团生球质量的因素(粒度、时间、水分、膨润土、SiO₂含量、碱度和MgO含量)。试验结果表明,生球的抗压强度、落下强度及爆裂温度受碱度、SiO₂和MgO含量变化的影响不大;生球的抗压强度、落下强度及爆裂温度主要受造球时间、水分、黏结剂用量、铁矿粉及熔剂的理化性能影响,并在造球时间维持为12 min、水分维持为8%～9%、膨润土用量为2%时,生球抗压强度、落下强度及爆裂温度较优且满足运输与入炉要求。     

低硅含镁球团矿抗压强度及冶金性能

提高入炉原料品位降低硅含量,改善冶金性能是高炉精料的主要方向。研究了低硅球团矿的还原膨胀率及MgO对低硅球团矿抗压强度和冶金性能的影响。研究结果显示,低硅球团矿虽然具有品位高,脉石含量低等优点,但随着SiO2含量的降低球团矿还原膨胀率恶化,影响高炉冶炼。低硅球团配加含镁添加剂可以有效控制还原膨胀率,同时改善球团矿的还原度和熔滴性能。球团矿SiO2的质量分数低于2%时,还原膨胀率在60%以上;当MgO的质量分数提高到2.15%以上时,还原膨胀率能降到20%以下,但随着MgO含量的增加低硅球团矿抗压强度下降,需要提高焙烧温度,才能形成稳定的铁酸镁,改善抗压强度。MgO的质量分数为2.15%时,焙烧温度要提高到1 270℃,MgO的质量分数超过2.8%以上时,焙烧温度需要提高到1 300℃。     

Development and Characterization of Functionally Gradient Al–Si Alloy Using Cast-Decant-Cast Process

A cylindrical component of functionally gradient Al alloy with high silicon in the outer and low silicon in the core was produced using cast-decant-cast (CDC) process. The preparation of the component consisted of pouring high Si–Al alloy first into a cylindrical mould, decantation of un-solidified liquid after the alloy solidified for a desired thickness against the mould walls and subsequently pouring the low Si–Al alloy at superheated temperature, so that the first alloy got partially re-melted forming a functionally gradient material (FGM) region between the two. The characteristics of FGM region like depth, size, shape and distribution of Si particles in the cross section of CDC alloy were evaluated by optical microscopy. Hardness tests and sliding pin-on-disc wear tests were carried out to compare hardness and wear resistance of outer, FGM and core regions. The micrographs of wear surfaces showed that the FGM region has better wear resistance as compared to outer and core regions as seen from the decreased delamination of wear tracks.     

取向硅钢板坯加热温度对热轧及冷轧板织构的影响

 采用取向分布函数及取向线分析方法对取向硅钢高温和低温板坯加热工艺的热轧及冷轧钢板织构进行了研究。结果表明：低温与高温板坯加热工艺的热轧板及冷轧板织构组分有明显不同。低温板坯加热热轧板中{100}<001>及{110}<110>织构较强,但经冷轧后{001}<110>织构最强。