BaO-PbO-Nd2O3-Bi2O3-TiO2系物相组成与介电性能关系的研究

以五元系统BaO-PbO-Nd2O3-Bi2O3-TiO2为研究对象探讨化合物相与介电性能的定量关系.系统的主次晶相分别为BaNd2Ti5O14和Bi4Ti3O12.对系统进行X射线分析,用X射线衍射峰强度计算出系统中各物相的体积分数,再运用李赫德涅凯对数混合定则进行定量计算,得出的系统的介电性能与用仪器实测的系统参数相符.在本研究系统中,X衍射射线分析可以测定和定量表征烧结介质瓷中化合物含量,经过对系统中各化合物成分的介电性能测定,可计算出所研究系统的介电性能,从而可以作为一种介质的设计方法.本系统主要是BaO-PbO-Nd2O3-Bi2O3-TiO2系.Nd和Bi对Ba的取代是异价取代,故能准确定量测出和算出其化合物的含量.Pb和Ba是等价取代,其化合物的含量可用X射线衍射等方法测出,在本系统中因其加入量小,对结果影响小.     

BiVO4掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷介电性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了BiVO4掺杂的(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(bismuth zincate niobate,BZN)介质陶瓷,用X射线衍射、扫描电镜以及电感-电容-电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究.结果表明BiVO4掺杂能显著降低BZN的烧结温度,由1 000℃降至850℃,同时可优化频率温度系数τf,由-450×10-6/℃变为-254×10-6/℃.BiVO4的掺杂量为5%,烧结温度为900℃时,BZN陶瓷具有较好的介电性能介电常数ε=153,品质因数Q=2 100,频率温度系数τf=-350×10-6/℃.     

锑替代铋对铋锌铌陶瓷介电性能的影响

研究了Sb3＋替代Bi3＋对Bi2O3-ZnO-Nb2O5（BZN）系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,经Sb3＋替代的BZN陶瓷样品成瓷温度仍为1 000℃;随着Sb3＋替代量的增加,Bi2O3-ZnO-Nb2O5系介质材料的晶粒尺寸、介电常数、介电损耗都有所变化。当替代量x=0.4时,介电性能最佳,介电常数为184,介电损耗为0.001。     

SrTiO_3-(K1/2Bi1/2)TiO_3-Bi_2O_3·3TiO_2系统铁电陶瓷材料低频介电性(1)介电常数,介质损耗以及电容器温度与频率特性

本文在较大范围内研究了SrTiO_3-(K_1/2Bi_1/2)TiO_3-Bi_2O_3·3TiO_2系统铁电陶瓷材料的介电性能,并获得介电常数高,介质损耗小,温度特性好的陶瓷介电材料.X射线衍射,扫描电镜,透射电镜以及能量色射x射线谱仪微观结构与成份分析表明:Sr-Bi-K-Ti等材料是由钙钛矿型SrTiO_3基固溶体为光晶相与含铋层状结构锶铋钛化合物为次晶相组成.     

Y3+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷显微结构和介电性能的影响

本文研究了Y3 替代Bi3 对Bi2O3-ZnO-Nb2O5系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,随着Y3 替代量的增加,Bi2O3-ZnO-Nb2O5系介质材料的晶粒尺寸、介电常数、介电损耗都有所变化,当替代量x=0.2时,介电性最佳,介电常数为79.4094,介电损耗为0.002125。     

Er3+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结温度的影响

研究了Er3 替代Bi3 对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、Agilent4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析.研究结果表明:经Er3 替代的BZN陶瓷样品烧结温度升高(从960℃升高到1000℃);随着Er3 替代量的增加,Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料的晶粒尺寸、介电常数、介电损耗都有所变化;当替代量x=0.1时,介电性能最佳,介电常数为78.7165,介电损耗为0.00134.     

掺杂B2O3对ZnO-TiO2介质陶瓷的烧结及介电性能的影响

本实验用传统固相法合成了B如。掺杂的ZnO-TiO2系微波介质陶瓷,通过X射线衍射、扫描电镜分析和微波介电性能测试等方法对其烧结行为、显微结构和介电性能进行了系统的研究。结果表明：试样掺杂4wt％B2O3,可使ZnO—TiO2陶瓷的烧结温度从1100℃降到900℃。试样在900℃下烧结2h、掺杂4wt％B2O3,在6-8GHz测试频率下试样的介电性能为：εr≈26、Qf≈19500、τf≈35ppm／℃。     

MgO-Al2O3-SiO2系统微晶玻璃的热处理工艺对其介电性能的影响

本文制备了MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃,用XRD、DTA等方法对该系统微晶玻璃材料的析晶过程进行研究,通过正交试验,讨论了热处理温度及时间对微晶玻璃介电性能的影响.结果表明通过热处理工艺来控制晶相的析出,可以使样品的介电常数和介电损耗符合要求.获得较小介电常数的热处理制度为核化温度750℃,核化时间1h,晶化温度1100℃,晶化时间1.5h,所获得的微晶玻璃的介电常数为6.13,介电损耗4.22×10-3+可作为绝缘体等微波介质材料使用.     

低损耗高压陶瓷电容器材料的研究Ⅱ——材料的介电性能

本对Sr-Ti-Bi系高压陶瓷电容器材料的介电性能进行了研究分析。结果表明在Sr-Ti-Bi系中加入一定量的添加剂，可以有效地提高高压陶瓷电容器材料的介电性能。获得了介电性能为：εr=2350;Eb=8.6KV/mm；tgδ=4×10^-4;ΔC/C（-25～ 85≤±11％；绝缘电阻R＝1．2×10^13Ω的介质陶瓷材料。     

Mg4(Mb2-xSbx)O9陶瓷的制备与微波介电性能

采用传统固相反应法制备了Mg4(Nb2-xSbx)O9陶瓷,研究了该材料的烧结性能、物相结构、显微组织和微波介电性能.X射线衍射结果显示,在x小于或等于1.6的范围内,形成了具有α-Al2O3刚玉型晶体结构的连续固溶体,晶轴长度和晶胞体积均随着锑含量的增加而降低.在x等于2.0时,Mg4Sb2O9的物相结构发生了变化,晶轴长度和晶胞体积也发生了突变.当0.4≤x≤O.8时,陶瓷的烧结温度从1400℃降低到了1300℃;而当x≥1.2后,陶瓷的烧结性能和微波介电性能均降低.在1300℃,5h的烧结条件下,Mg4(Nb1.6Sb0.4)O9陶瓷的微波介电常数(εr)为12.26,Q·f为168450 GHz.