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适用于大功率场合的ZVS三电平辅助谐振变换极逆变器 总被引:2,自引:0,他引:2
对于大功率的GTO逆变器,提出了一种零电压转换(ZVS)的三电平辅助谐振变换极逆变器(ARCPI)。提出的辅助变换电路由一个谐振电感和两个双向开关组成,此电路没有增加主开关的电压和电流应力,却给主开关提供了ZVS的条件。辅助开关实现零电流转换,它可以采用低成本的晶闸管。文中提出的ARCPI能够在产生较少谐波的情况下,处理更高的电压和更大的功率(1~10MVA),并阐明了提出的ARCPI的工作过程及分析并总结了其特性。用一个10kW,4kHz的样机证明了其工作原理。 相似文献
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本文所示的“TWitt”变换器具有一个正向变换器传递函数,并能有 效地工作在高开关频率,因为它的所有开关对所有的变换都可实现零电压开关(ZVS)(见图1)。由于它具有高开关频率能力、高效率和简单的结构,所以可以提供非常高的功率密度。另外的好处是它消除了二极管反向恢复效应,而这种效应在其他ZVS变换器中(如流行的ZVS相移调制全桥变换器)是一个问题。由于变换器具有消除反向恢复的能力,所以没有缓冲器时也可以工作。 本电路的一个缺点是它具有类似于连续方式回扫变换器的脉动输入和输出电流,但是没有回扫右半面零。增加第二个耦合电感器或回扫变压器,就可使输出电流在整个开关周期接近恒定(在短暂的开关转换期间除外)。适当地设计所加的变压器,其输出电流斜波斜率变为接近零。对于不同于额定输入电压的输入电压,其电流斜波很小,但不为零。 相似文献
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LS7534和LS7535是白炽灯亮度控制MOS集成电路,LS7534/LS7535通过控制与灯串联在一起的三端双向晶闸管的点火(触发)角控制灯的亮度。所有内部定时借助于锁相环路(PLL)与AC线路频率同步化。IC的占空因数控制范围为23% ̄88%,相应的AC线路半周期导通角φ为41° ̄159°,当导通角为15 相似文献
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C.R.Swartz 《电子产品世界》2012,(11):42-44,49
本文介绍了一种"零电压开关(ZVS)降压"的新型降压稳压器拓扑,说明了其给系统带来的优势和其在Picor Cool-Power ZVS降压稳压器系列产品中的集成。 相似文献
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TEA1610是飞利浦半导体公司采用DMOS工艺生产的高压单片IC,是专门为高压电源、监视器和TV电源设计的一种零电压开关(ZVS)谐振变换器控制器。TEA1610只需外加很少量的外部元件,即可组成高性能ZVC谐振变换器。 相似文献
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有源钳位正激变换器可以实现零电压开关(ZVS),降低功率开关损耗;同步整流可以提高低压大电流输出的开关电源的效率。介绍了一种基于有源钳位脉宽调制控制器UCC2892和同步整流控制器LTC3900的正激开关电源设计。 相似文献
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电流模式控制移相全桥零电压软开关(ZVS)DC/DC功率变换器 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍一种新型的高频DC/DC开关功率变换器,它采用电流模式移相PWM控制,在较大的负载范围内实现了开关器件的零电压软开关(ZVS),并给出了仿真主电路和主要波形。 相似文献
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提出一种新型的零电压零电流转换(ZCZVT)的正激拓扑。拓扑工作频率为300kHz,能实现主开关管的零电压开通(ZVS)和零电流关断(ZCS),同时辅助开关管也能实现零电流关断(ZCS),且变压器的磁通复位不需要辅助绕组。文章进行了拓扑的稳态分析,并且讨论了谐振电路的参数设计。最后,在研制一台48V输入、12V/100W输出样机的基础上,实验验证这种新型正激ZCZVT PWM DC-DC变换器的软开关特性。 相似文献
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分析研究了低压大电流全桥变换器电路拓扑结构。分别介绍了功率变压器初级移相控制零电压(ZVS)PWM和移相控制零电压零电流(ZVZCS)PWM软开关全桥变换器主电路拓扑结构,以及功率变压器次级适宜采用的不同电路拓扑形式,并对其优缺点进行了对比分析。文中简要说明了在变换器输入级加入功率因数校正环节的必要性。 相似文献
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根据实验数据给出了双向晶闸管的通态电压特性曲线。通过对特性曲线的分析,认为用铬-镍-银阻挡层烧结新的工艺可大 向晶闸管的双向通态特性。 相似文献
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带多模式操作和零电压开关等特点的第二代绿色开关电源(SMPS)控制器TEA1533T/AT,可用作设计低成本、高效和高可靠充电器.AC适配器及输出功率直至250W的TV/监视器SMPSs。文中介绍了TEA1533T/AT的绿色功能.保护特征和工作原理。 相似文献
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提出一种新型零电压零电流(ZVZCS)飞跨电容型不对称PWM半桥三电平变换器,该变换器原边开关器件的电压应力为输入电压的一半;所有开关器件在较宽负载范围内实现软开关,其中超前管实现ZVS开通,ZCS关断;滞后管实现ZCS开通,ZVS关断,从而降低开关损耗;副边采用容性整流,在续流阶段将原边电流降至0,使得开关器件的电流分布更加均衡并减小飞跨电容的电流应力;与此同时,消除二极管反向恢复损耗。文中讨论了电路的结构、工作原理和基础特性,为证明理论正确性,搭建一台500W实验样机来验证。 相似文献
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《电子工程师》2003,29(5):62-62
功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出全新 6 0 0 V HEXFET功率MOSFET系列 ,新器件具备快速本体二极管特性 ,专为零电压开关 (ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率 ,并能提高功率输出 ,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新 L系列 HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性 ,因此无需在 ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管 ,减少了元件数目 ,节省了电路空间。新器件有别于采用硬开关器件的桥式或功率因数修正… 相似文献